- 德国Carl Zeiss SMT AG已向半导体设备商ASML出货首台EUV光学系统。该公司已使EUV光学系统达到了生产要求。
光学系统是EUV设备的核心模块，首台EUV设备预计将在2010年出货。几周前，美国公司Cymer完成了EUV光源的开发，EUV光源是EUV光刻设备另一个关键模块。该技术将使芯片制造商进一步缩小芯片的特征尺寸，提高生产效率。
据Carl Zeiss 介绍，目前出货的光学系统已经研发了约15年。
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ASML EUV 光刻设备
- 对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召开了一次内部讨论，并在会上向与会的同仁报告了在这一领域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
- 浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫外光(EUV)的ASML则表示，目前已有数家客户下单，最快2009年便可出货，但哪种技术最终将「一统江湖」，尚未有定论。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波长可达13.5纳米，约是248波长的KrF显影设备的15分之1，尽管浸润式显
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消费电子 EUV 电子束 消费电子
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。 这家大型半导体厂商的名字，尼康没有公布，估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。 作为全折射型液浸曝光设备，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技术，能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题，据称利用名为“Local-fill（局部
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NA 尼康 嵌入式系统
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