- 看好中国半导体行业未来持续的蓬勃发展，工艺控制与成品率管理解决方案提供商KLA-Tencor (科天)透过半导体检测与量测技术，以最快的速度及最有效的方式 ，帮助客户解决在生产时面对的良率问题。KLA-Tencor立志于帮助中国客户一起提升良率，降低生产成本，提高生产效率，并与中国半导体行业一同成长。 KLA-Tencor中国区总裁张智安表示，KLA-Tencor成立至今40年，现于全球17国拥有6000多位员工。2016财年，KLA-Tencor营收表现来到30亿美元。从硅片检
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KLA-Tencor EUV
- 摩尔定律(Moore’s Law)自1970年代左右问世以来，全球半导体产业均能朝此一定律规则前进发展，过去数十年来包括光微影技术(Photolithography)等一系列制程技术持续的突破，才得以让半导体产业能依照摩尔定律演进，进而带动全球科技产业研发持续前进。
但为延续产业良性发展，光是依赖于传统微影技术仍不够，因此芯片制造商也正在苦思试图进行一次重大且最具挑战的变革，即发展所谓的“极紫外光”(EUV)微影技术，该技术也成为台积电、英特尔(Intel)等
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ASML EUV
- ASML宣称它的Q2收到4台EUV订单，预期明年EUV发货达10台以上。
EUV光刻设备一再延迟，而最新消息可能在2020年时能进入量产，而非常可能应用在5nm节点。
业界预测未来在1znm的存储器生产中可能会有2层或者以上层会采用它，及在最先进制程节点(7 or 5nm)的逻辑器件生产中可能会有6-9层会使用它。
ASML计划2018年时它的EUV设备的产能再扩大一倍达到年产24台，每台售价约1亿美元，目前芯片制造商己经安装了8台，正在作各种测试。
半导体顾问公司的分析师Ro
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半导体 EUV
- 英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限?不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光(EUV)，以及开始采用包括砷化铟镓(InGaAs)及磷化铟(InP)等三五族半导体材料。
摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸润式微影(immersionlitho
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摩尔定律 EUV
- 又到了超紫外光(EUV)微影技术的关键时刻了。纵观整个半导体发展蓝图，研究人员在日前举办的IMEC技术论坛(ITF)上针对EUV微影提出了各种大大小小即将出现的挑战。
到了下一代的10nm节点，降低每电晶体成本将会变得十分棘手。更具挑战性的是在7nm节点时导入EUV微影。更进一步来看，当扩展到超越5nm节点时可能就需要一种全新的晶片技术了。
目前最迫在眉睫的是中期挑战。如果长久以来一直延迟的EUV微影系统未能在2017年早期就绪的话，7nm制程将会成为一个昂贵的半节点。
不过，研究人
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EUV SanDisk
- 按照现在量产产品工艺进展的速度，几乎可以预见的是，2018年上7纳米的愿望很美好，但是实际情况却困难重重，几乎是不太可能的事，即便在技术上能实现，在商业上来看也不能算是理性的选择。
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台积电 7纳米 EUV
- ASML公司第3代极紫外光(EUV)设备已出货6台。这预示着预示了全球两家顶级大厂未来采用EUV光刻技术，在10nm的量产关键技术选项中几乎同步，或者说台积电在10nm时顺利赶上业界龙头英特尔。
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半导体 EUV
- 核心提示：荷兰半导体设备大厂 ASML 现在勉为其难地承认了其客户私底下悄悄流传了好一阵子的情况：大多数半导体厂商仍将采用传统浸润式微影技术来生产10奈米制程晶片，而非延迟许久的超紫外光微影(EUV)技术;不过这恐怕将使得10奈米节点因为无法压低每电晶体成本，而成为不受欢迎的制程。
荷兰半导体设备大厂 ASML 现在勉为其难地承认了其客户私底下悄悄流传了好一阵子的情况：大多数半导体厂商仍将采用传统浸润式微影技术来生产10奈米制程晶片，而非延迟许久的超紫外光微影(EUV)技术;不过这恐怕将使得
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EUV 7纳米
- KLA-Tencor 公司(纳斯达克股票代码：KLAC)宣布推出 Teron™ SL650，该产品是专为集成电路晶圆厂提供的一种新型光罩质量控制解决方案，支持 20nm 及更小设计节点。Teron SL650 采用 193nm光源及多种 STARlight™ 光学技术，提供必要的灵敏度和灵活性，以评估新光罩的质量，监控光罩退化，并检测影响成品率的光罩缺陷，例如在有图案区和无图案区的晶体增长或污染。此外，Teron SL650 拥有业界领先的产能，可支持更快的生产周期，以满足检验
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KLA-Tencor SL650 EUV
- 当半导体工艺发展到10nm水平时，传统的光刻工艺将面临前所未有的挑战，所有经典物理的规律在量子水平下都有可能失效，必须在硅材料之外寻找一种新的、实用的思路来进一步延续集成电路的发展。
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EUV 10nm
- 据美国科技博客Business Insider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。
摩尔定律是由英特尔联合创始人GordonMoore提出，内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。
在几十年来，芯片技术得以快速变革和发展，变得更加强大，节省了更
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EUV 摩尔定律
- 微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每小时晶圆产出片数为43片，预计2013年底前，可达到80瓦的目标，2015年达250瓦、每小时产出125片。
半导体生产进入10纳米后，虽然可采用多重浸润式曝光方式，但在一片晶圆上要进行多次的微影制程曝光，将导致生产流程拉长，成本会大幅垫高，半导体大厂为
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ASML EUV
- 极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到，ASML虽也同步投入E-Beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟表示，ASML于2012年
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ASML EUV
- 5月7日消息，全球代工市场规模继2011年增长7%，达328亿美元之后，2012年再度增长16%，达到393亿美元，预计2013年还将有14%的增长。
台积电与英特尔以前是“河水不犯井水”，但是随着英特尔开始接受Altera的14nm FPGA订单，明显在与台积电抢单，两大半导体巨头开始出现较为明显的碰撞。目前，台积电已誓言将加速发展先进制程技术，希望在10nm附近全面赶上英特尔。
而另一家代工厂格罗方德近日也发出声音，要在两年内，在工艺制程方面赶上台积电。
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半导体代工 EUV
- Intel CTO Justin Rattner近日对外披露说，Intel 14nm工艺的研发正在按计划顺利进行，会在一到两年内投入量产。
2013年底，Intel将完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC两项新工艺的开发，并为其投产扩大对俄勒冈州Fab D1X、亚利桑那州Fab 42、爱尔兰Fab 24等晶圆厂的投资，因此量产要等到2014年了。
而从2015年开始，Intel又会陆续进入10nm、7nm、5nm等更新工艺节点。
Rattner指出，Intel
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