- Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的，比如同样标称10nm，自己要比三星、台积电的领先整整一代，但是没办法，人家的脚步要快得多。
今天，三星电子又宣布了新的11nm FinFET制造工艺“11LPP”(Low Power Plus)，并确认未来7nm工艺将上EUV极紫外光刻。
三星11LPP工艺不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工艺)，可以大大缩小芯片面积，另一方面则沿用14nm LPP工艺的部分元素。
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三星 11纳米
- 英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者,并声称11纳米可能发生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技术可能延伸到分别在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年会上许多其它的专家似乎对于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻机设计部总经理Masato Hamatani认为,当EUV达到所有的预定目标时,进入量产
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英特尔 11纳米 EUV
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