IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天发布了 LPDDR5X-8500 内存，采用先进 1β 工艺，正在向智能手机制造商和芯片组合作伙伴发送样品。据官方介绍，美光 2021 年实现 1α 工艺批量出货，现在最新的 1β 工艺巩固了美光市场领先地位。官方称，最新的工艺可提供约 15% 的能效提升和超过 35% 的密度提升，每个 die 容量为 16Gb。美光表示，随着 LPDDR5X 的出样，移动产品将率先从 1β DRAM 的提升中获益，提升新一代智能手机的性能的同时，消
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美光 LPDDR5X-8500 内存 1β DRAM
近日，SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注，对此，SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度业绩发表会上，针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境，作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外，针对美国对芯片设备出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X内存已通过验证，可在骁龙（Snapdragon®）移动平台上使用，该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通过优化应用处理器和存储器之间的高速信号环境，三星超过了自身在今年3月创下的7.5Gbps的最高运行速度，夯实了在内存市场的地位。三星LPDDR5X DRAM 可达8.5Gbps的运行速度作为十多年来全球移动内存（DRAM）市场的推动者，三星一直在努力推进高端智能手机普及，使更多消费者能够在移动设备上体验更为强大的计算性能。凭借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此，SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应，进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示：“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作，在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称，将限制用于在中国生产18纳米以下
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SK海力士 DRAM NAND
据TrendForce集邦咨询最新服务器相关报告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能够整合各种xPU之间的性能，进而优化AI与HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU为源头去考虑，但由于可支援CXL功能的服务器CPU
Intel Sapphire Rapids与AMD Genoa现阶段仅支援至CXL
1.1规格，而该规格可先实现的产品则是CXL存储器扩充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce认为
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TrendForce 集邦咨询 存储器 CXL AI/ML DRAM
芯片已经无处不在：从手机和汽车到人工智能的云服务器，所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。创建更先进的芯片通常涉及缩小晶体管和其他组件并将它们更紧密地封装在一起。然而，随着芯片特征变得更小，现有材料可能无法在所需厚度下实现相同性能，从而可能需要新的材料。 泛林集团发明了一种名为 SPARC 的全新沉积技术，用于制造具有改进电绝缘性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉积超薄层，并且在高深宽比的结构中保持性能，还不受工艺集成的影响，可以经受进一步处理。SPAR
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SPARC 先进逻辑 DRAM 沉积技术
市调机构表示，在高通胀影响下，消费性产品需求疲软且旺季不旺，第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减，各终端买方因需求明显下滑而推迟采购，导致供货商库存压力进一步升高。同时，各DRAM供货商为求增加市占的策略不变，市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形，导致第四季DRAM价格续跌13％～18％。标准型DRAM方面，由于笔电需求疲弱，OEM厂仍将着重去化DRAM库存，而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下，未有实际减产情形，故位产出仍持续升高，供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
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集邦 DRAM NAND
如果你真的去仔细梳理一下LPDDR5X和LPDDR5的技术规格对比和实际表现测评，你会发现这一次LPDDR5X进步得真的不止一小步而已，更重要的是，这些进步可能带来让诸多热门应用在移动端的实现成为可能。
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LPDDR5X 美光 存储
根据集邦科技指出，2023年DRAM市场需求位成长仅8.3％，是历年来首度低于10％，远低于供给位成长约14.1％，分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻，价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求，但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看，高通膨持续冲击消费市场需求，故优先修正库存是品牌的首要目标，尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题，品牌超额下订，加上通路销售迟缓，使得目前笔电整机库存去化缓慢，造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统（ADAS）实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合，理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术，为用户提供出色的娱乐和用
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美光 智能座舱 DRAM UFS ADAS 域控制器 车载信息娱乐系统
IT之家 7 月 18 日消息，日经新闻表示，半导体存储芯片之一的 DRAM 正在加速降价，作为上代产品的 DDR3 型的 4GB 内存连续 2 个月下跌。指标产品的 6 月大单优惠价环比下跌 1 成，创出 1 年半以来新低。从作为指标的 8GB DDR4 内存来看，6 月报价约 2.7 美元每个，环比下跌 0.3 美元（10％），而容量较小的 4GB 内存约为 2.18 美元 / 个，环比下跌 10％，同比下跌 32％，处于 2020 年 12 月以来的最低水平。分析师认为，PC 和智能手机的
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DRAM 市场
在今年Gartner的半导体市场分析报告中指出，从历史角度来看，存储市场一直规律的处于2~3年的周期波动中。2021年DRAM市场存在一个供不应求的情况，使得价格上涨，但在2022年下半年会恢复并且进入供过于求的周期，这个周期会导致存储市场价格的整体下滑。下面我们来具体分析都存在哪些因素导致DRAM的周期波动。1.地缘问题导致消费市场向下修正 俄乌战争打破欧洲和平局面，导致能源价格大幅提升，整体社会的消费水平降低，企业和消费者会减少很多不必要的开支。早在4月底，美国商务部公布的数据显示，美国一季度G
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DRAM 半导体 市场
随着智能化、电动化浪潮的推进，汽车芯片的含量成倍提升，电动车半导体含量约为燃油车2倍，智能车为8-10倍。需求增量端2020年全球约需要439亿颗汽车芯片，2035年增长为1285亿颗。价值增量端，2020年汽车芯片价值量为339亿美元，2035年为893亿美元。可见芯片将成为汽车新利润增长点，有望成为引领半导体发展新驱动力。 汽车芯片从应用环节可以分为5类：主控芯片、存储芯片、功率芯片、模拟芯片、传感器芯片等，以存储芯片为例，2022年全球汽车存储芯片市场规模约52亿美元，国内汽车存储芯片市场规模
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北京君正 兆易创新 DRAM NAND
关键优势：● 随着 CPU 内核数量不断增加，改进后的内存架构相比 DDR4[1] 可将带宽提高近一倍，进而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高达 64GB 的模组容量，能够支持内存密集型工作负载[4]● DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能，有助于优化系统整体运行性能 内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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美光 数据中心 DRAM DDR5
近日，韩国进出口银行海外经济研究所（OERI）推算，韩国和中国在存储芯片领域的技术差距为：DRAM的差距约为 5年，NAND 的差距约为2年。该研究院分析，中国DRAM制造企业长鑫存储2022年将推进第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量产。三星电子等韩国企业计划在今年年末或明年批量生产第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考虑到每一代的技术差距为2年-2年半，两国之间的技术差距超过5年。据该研究院推测，在NAND闪存领域，中国与韩国的技术差距约为2年。中国存储芯片企业长江存
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DRAM NAND
lpddr5x dram介绍
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