目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。构成这些系统的变频器·转换器·马达等装置的开发与测试则需要相较以前有着更高精度、更宽频带、更高稳定性的能够迅速测量损耗和效率的测量系统。
各装置的损耗和效率与装置的输入功率和输出功率同时测量，利用它们的差和比
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SiC GaN 电流传感器
1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
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步骤2——构建
构建系统的第一个步骤是创建一个电源系统的方框图，从输出开始，然后向输入后向推进。从最低功率级别开始它的运作更好，并从那里继续工作，以便可以审查功率元件类别，并随功率级别的增加在必要时做出改变。
根据适当功率级别选择正确的元件类别非常重要。例如，在低功耗条件下，系统级封装产品(SiP)，如Vicor ZVS降压稳压器是最好的解决方案。在较高功率级别，更好的方法可能是使用Vicor的ChiP
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Vicor 电源系统 功率元件 SELV 稳压器
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
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英飞凌 松下 GaN
氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射频
摘要：现在，高性能电源系统已经有了长足进展，设计人员正在使用多个输入电压，驱动种类繁多应用的多路电压轨。为了确保PoL稳压器尽可能靠近负载的需求，设计人员需要在一个非常小的范围实现大量功率转换功能。与此同时，企业资源正趋于扩展到工程师，常常是由多面手，而不是电源专家来负责设计电源系统。因此，当今复杂的电源要求可能令设计人员非常头痛：如何利用不同资源为多样化的负载提供高性能电源，从而保证架构的所有部分都在其功率和散热范围内运行，同时还可优化效率和成本目标。
工程师如何充分利用现在可用的高性能构建模
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Vicor 电源系统 功率元件 SELV 稳压器 201412
微控制器(MCU)厂商正积极补强功率半导体元件战力，强攻直流变频马达市场。无论是直流无刷马达(BLDC)或永磁同步马达(PMSM)，其与交流感应马达最大的不同之处，就在于变频电路的设计，因此MCU厂为了直攻变频马达市场，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力强化与MCU搭配的功率元件战力。
德州仪器(TI)马达事业部现场应用工程师刘俊男表示，欧盟在2015年时预计将7.5千瓦(kW)以上之马达最低能效标准(MEPS)提升至IE3，到2017年时，才将IE3管制范围向下探至0.75kW以上，从这
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功率元件 MCU
为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也
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SiC GaN
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后，采用比平面型更小的芯片面积即可获得相同载流量。也就
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GaN 功率半导体
gan.功率元件介绍
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