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gan.功率元件 文章 进入gan.功率元件技术社区

采用GaN LED的便携式DNA分析仪

  • 在当今社会,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说:英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
  • 关键字: GaN  LED    

大功率LED关键材料GaN开始侵食硅功率MOSFET市场

  • 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为大功率LED的关键材料之...
  • 关键字: LED  GaN  MOSFET  

IGBT功率元件的应用及保护技术

  • 1 引言  随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高,半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快通断、 ...
  • 关键字: IGBT  功率元件  

SiC国际会议:从功率元件到传感器和集成电路

  •   作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成果发表。虽然以SiC制功率元件相关成果为中心,但发表的内容其实涉及多个方面。比如,还有采用SiC制成的传感器及可支持高温工作的集成电路,以及SiC材料金刚石和在SiC基板上形成石墨烯等成果发表。  
  • 关键字: 功率元件  传感器  

硅衬底LED芯片主要制造工艺解析

  • 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
  • 关键字: LED芯片  硅衬底  GaN    

硅衬底上GaN基LED的研制进展

  • Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,...
  • 关键字: MOCVD  GaN  LED芯片    

一种S波段宽带GaN放大器的设计

  • 摘要:氮化镓功率管的宽带隙、高击穿电场等特点,使其具有带宽宽,高效特性等优点。为了研究GaN功率放大器的特点,使用了Agilent ADS等仿真软件,进行电路仿真设计,设计制作了一种S波段宽带GaN功率放大器。详述了电
  • 关键字: GaN  S波段  宽带  放大器    

GaN基量子阱红外探测器的设计

  • 摘要:为了实现GaN基量子阱红外探测器,利用自洽的薛定谔-泊松方法对GaN基多量子阱结构的能带结构进行了研究。考虑了GaN基材料中的自发极化和压电极化效应,通过设计适当的量子阱结构,利用自发极化和压电极化的互补
  • 关键字: 设计  探测器  红外  量子  GaN  

HEV系统的主要部件:功率元件解析

  • 功率元件是最重要的部件就功能和成本而言,功率元件在逆变器中是最为重要的部件。要想降低成本,如何使用...
  • 关键字: 功率元件  开关  IGBT  电容  电流  

一种GaN宽禁带功率放大器的设计

  • 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的典型代表之一,由于其宽带隙、高击穿电场强度等特点,被认为是高频功率半导体器件的理想材料。为研究GaN功率放大器的特点,基于Agilent ADS仿真软件,利用负载/源牵引方法设计制作了一种S波段GaN宽禁带功率放大器(10W)。详细说明了设计步骤并对放大器进行了测试,数据表明放大器在2.3~2.4 GHz范围内可实现功率超过15W,附加效率超过67%的输出。实验结果证实,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特点。
  • 关键字: 设计  功率放大器  GaN  一种  

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

  • 目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因,对后期器件加工和应用带来很多不便,SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处,而价格相对便宜的Si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势,因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。
  • 关键字: GaN  LED  衬底  功率型    

GaN功率半导体市场将迅速增长,2013年市场规模达1.8亿

  •   美国iSuppli公布了关于GaN(氮化镓)功率半导体市场将迅速增长的调查报告)。报告显示,2010年的市场规模近乎为零,但3年后到2013年将猛增至1.836亿美元。各厂商将以替代现有功率MOSFET的方式,不断扩大市场规模。iSuppli预测,该产品在高性能服务器、笔记本电脑、手机及有线通信设备等方面的应用将取得进展。   目前,GaN功率半导体正处于在研究室评测阶段,或者刚开始商用化的阶段。不过,GaN功率半导体与采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有导通电阻较低等优点,可提高电源电路的转
  • 关键字: GaN  MOSFET  

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

  • 使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
  • 关键字: MMIC  SiC  GaN  衬底    

IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布,成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前最先进的硅基技术平台相比,该技术平台可将关键特定设备的品质因子 (FOM) 提高1/10,显著提高计算和通信、汽车和电器等终端设备的性能,并降低能耗。   开拓性GaN功率器件技术平台是IR基于该公司的GaN器件专利技术,历经5年研发而成的成果。   IR的GaN功率器件技术平台有助于实现电源转换解决方案的革命性进步。通过有效利用公司60年来在电源转换专业知识方面
  • 关键字: IR  功率器件  GaN  终端  

测试具备UMA/GAN功能的移动电话技术问题

  • 要预测客户对一款手机性能的接受程度,从而预测手机设计的品质,需要进行实际使用测试。使用测试是一种很有价值...
  • 关键字: GAN  蜂窝  话音质量  
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gan.功率元件介绍

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