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foresee-spi-nand-flash 文章 最新资讯

AI推理应用爆发推升QLC NAND Flash市场需求

  • AI推论快速成长，QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND，QLC具备更高存储密度与更低成本，适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析，台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂，有望从中受惠。根据调研机构预测，2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb，占NAND总产能的22.2%，渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据，而这类应用访问模式以读取为主，写入频率相对较低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
  • 关键字： AI推理  QLC  NAND Flash  

存储市场复苏，关键看AI

  • 存储市场新一轮的逆风，始于 2024 年下半年。迈入 2025 年 3 月，市场已显露出一些微妙变化。NAND 厂商，集体涨价近日，全球知名存储芯片厂商闪迪向客户发出涨价函，宣布自 4 月 1 日起，旗下产品将全面涨价，整体涨幅超 10%，此次调价覆盖所有渠道及消费类产品。闪迪还透露，将持续审查定价，后续季度或有额外涨幅。继闪迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 厂商也计划将于 4 月涨价。从供应方面，美光今年新加坡 NAND 厂发生停电，也影响了供货。NAND Flash 控制芯片厂商群联也透露，
  • 关键字： NAND  

美光断电减产 NAND原厂4月提前调涨

  • NAND Flash价格由谷底翻涨正蓄势待发，继SanDisk日前发函通知4月1日将调涨报价，近期市场传出，美光（Micron）、三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中国的存储厂均将从4月起提高报价。由于二大韩厂减产措施发酵，美光日前新加坡NAND厂发生跳电，导致NAND供货转趋吃紧，长江存储旗下SSD品牌也将于4月起调涨代理价格，涨幅可望将超过10%，全球各大原厂不约而同推动涨价，NAND价格回涨速度优于原先预期。存储器业界观察，近期整体终端市场的需求并
  • 关键字： 美光  NAND  

兆易创新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求，成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。GD25NE系列SPI NOR
  • 关键字： 兆易创新  SPI NOR Flash  

SK海力士完成与英特尔的最终交割

  • SK海力士将于2025年3月（协议预设的最早时间点）支付收购尾款，完成与英特尔NAND闪存业务的最终交割。随着交易的完成，将加强SK海力士在全球NAND闪存市场的地位，尤其是企业级固态硬盘（SSD）方面。随着AI技术的普及和应用，存储需求正在不断增长，HBM领域的领导者SK海力士却没有停止扩张的步伐，这次收购将使SK海力士与竞争对手三星展开直接竞争。· 2020年10月，SK海力士与英特尔达成协议，宣布以90亿美元收购其NAND闪存及存储业务；· 2021年12月，第一阶段的交易完成，SK海力士支付70亿
  • 关键字： SK海力士  英特尔  NAND  闪存  

十年磨一剑：三星引入长江存储专利技术

  • 近日，三星与长江存储（YMTC）签署了3D NAND混合键合（Hybrid Bonding）相关专利许可协议。不过，目前尚不清楚三星是否也获得了Xperi等其他公司的专利许可。三星从第10代V-NAND（V10）将开始采用NAND阵列和外围CMOS逻辑电路分别在两块独立的硅片上制造，因此需要长江存储的专利技术W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术实现 —— 通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，形成间距为10μm及以下的互连。从而使得电路路径变得更短，显著提高了传输
  • 关键字： 三星  长江存储  NAND  混合键合  晶栈  Xtacking  闪存  

NAND Flash市况 有望6月复苏

  • NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期，NAND Flash市况将于6月好转，下半年表现将优于上半年，甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出，2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌，但供应商已开始坚守价格，避免市场陷入低迷行情。他强调，供应商根据市场状况自然调节供给，是NAND Flash供需好转的主因之一，2025年NAND Flash位元供给，估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制，也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
  • 关键字： TrendForce  集邦咨询  NAND Flash  

称三星与长江存储合作，新一代NAND将采用中国企业专利

  • 据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。据悉，V10是三星电子计划最早在今年下半年开始量产的下一代NAND，该产品预计将具有约420至430层。将采用多项新技术，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合键合技术。据了解，长江存储是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，并将这项技术命名为“晶栈Xtacking”。该技术可在一片晶圆上独立加工负责
  • 关键字： 三星  长江存储  NAND  

铠侠与闪迪合作研发出332层NAND闪存

  • 自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%。两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH™ generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8G
  • 关键字： 铠侠  3D闪存  NAND  

NAND闪存再减产：三星、SK海力士将至少削减10%

  • 据报道，NAND闪存在2025年将继续面临需求疲软和供过于求的双重压力。三星、SK海力士、美光等NAND闪存制造商都选择在2025年执行减产计划。当前，存储器市场，尤其是NAND闪存领域，似乎正步入一个低迷阶段。自2024年第三季度以来，NAND闪存价格持续下滑，这一趋势使得供应商对2025年上半年的市场需求前景持悲观态度。长期的价格疲软无疑将进一步压缩企业的利润空间，为此，三星与SK海力士均选择在2025年第一季度实施更为激进的减产措施，将NAND闪存产量削减幅度提高至10%以上。在此前的上升周期时，N
  • 关键字： NAND  闪存  三星  SK海力士  

国际最新研究将3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍

  • 据媒体报道，近日，研究人员发现了一种使用先进的等离子工艺在3D NAND闪存中蚀刻深孔的更快、更高效的方法。通过调整化学成分，将蚀刻速度提高了一倍，提高了精度，为更密集、更大容量的内存存储奠定了基础。这项研究是由来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校和美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室（PPPL）的科学家通过模拟和实验进行的。根据报道，前PPPL研究员、现就职于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等离子体中发现的带电粒子是创建微电子学所需的非常小但很深的圆孔的最简
  • 关键字： 3D NAND  深孔蚀刻  

NAND价格能否“触底反弹”？

  • 全球NAND闪存价格已连续四个月下跌，为应对这一不利局面，厂商开始减产以平衡供求，进而稳定价格。美光率先宣布将减产，随后三星也被曝出将调整其韩国本土的NAND产量以及中国西安工厂的开工率，韩国另一大存储芯片制造商SK海力士也计划削减产量。
  • 关键字： NAND  三星  闪存  美光  SK海力士  

NAND Flash厂商2025年重启减产策略，以缓解供需失衡和稳定价格

  • 根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出，NAND Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布减产，Kioxia/ SanDisk（铠侠/闪迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也启动相关计划，可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示，NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的，背后受以下因素驱动：第一，需求疲软
  • 关键字： NAND Flash  减产  TrendForce  集邦咨询  

嵌入式软件OTA升级，有哪几种FLASH划分方式？

  • 很多嵌入式硬件设备都集成了OTA功能，以便产品量产后可以通过远程OTA等方式下载的APP应用程序。在使用带有OTA功能的固件之前，其实还需要提前下载BootLoader程序，才能进一步下载APP程序，今天就来说说通过OTA方式升级固件时，几种Flash（闪存）划分方式。独立型
  • 关键字： 嵌入式  OTA  FLASH  

应对降价：三星大幅减产西安工厂NAND闪存！

  • 1月13日消息，据媒体报道，三星电子已决定大幅减少其位于中国西安工厂的NAND闪存生产，以此应对全球NAND供应过剩导致的价格下跌，确保公司的收入和利润。DRAMeXchange的数据显示，截至2024年10月底，用于存储卡和U盘的通用NAND闪存产品的价格较9月下降了29.18%。据行业消息，三星电子已将其西安工厂的晶圆投入量减少超过10%，每月平均产量预计将从20万片减少至约17万片。此外，三星韩国华城的12号和17号生产线也将调整其供应，导致整体产能降低。三星在2023年曾实施过类似的减产措施，当时
  • 关键字： 三星  NAND  闪存  存储卡  U盘  晶圆  SK海力士  铠侠  西部数据  美光  长江存储  
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