全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOL
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能（AI）数据中心和服务器电源（包括新型800V高压直流架构）、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型（Gen IV Plus）产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和T
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
关键要点BM6337xS系列 配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的 T j 达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下桥臂各相的IGBT，并输出FO信号。在TSD已启动的情况下，由于IGBT的 T j 已超过150°C的绝对最大额定值，因此需要更换IPM。该功能监控的 T j 为LVIC芯片的 T j ，无法跟上IG
在消费电子市场高速发展的当下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）已成为现代家电设备中不可或缺的核心器件。凭借其优异的开关特性、低导通损耗及出色的热管理能力，IGBT技术正持续推动家电产品能效升级。安世半导体推出的650 V G3 IGBT平台产品，通过性能优化与可靠性提升，为家电设备的高效化、节能化发展提供了关键解决方案。本文将聚焦家电设备的三大核心应用场景——电机拖动、PFC（功率因数校正）电路及感应加热，深入解析安世半导体650 V G3 IGBT平台的技术优势及其在家电领域的实际应用价值。1. 电机拖动1
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