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国产IGBT，迎来大丰收
- 根据 IGBT 的产品分类来看，按照其封装形式的不同，可分为 IGBT 分立器件、IPM 模块和 IGBT 模块。IGBT 分立器件主要应用在小功率的家用电器、分布式光伏逆变器；IPM 模块应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电产品；而 IGBT 模块应用于大功率变频器、新能源车、集中式光伏等领域。根据工作环境的电压不同，IGBT 可以分为低压（600V 以下）、中压（600V－1200V）、高压（1700V－6500V）。一般低压 IGBT 常用于变频白色家电、新能源汽车零部件等领域；中压 IGBT 常用
- 关键字： IGBT
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驱动器方案
- 加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来, 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。 不同于同类竞争的 e-mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperG
- 关键字： Transphorm SuperGaN FET 驱动器
IGBT模块是如何失效的？
- IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装。1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封装中，单个IGBT还会并有续流二极管，接着在芯片上方灌以大量的硅凝胶，用塑料壳封装，IGBT单元堆叠结构如图1-1所示。从上之下它依次由芯片，DBC（Directed Bonding Copper）以及金属散热板（
- 关键字： IGBT
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。 Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 关键字： Nexperia E-mode GAN FET
Power Integrations推出具有温度读数功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器
- 德国纽伦堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日讯 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出SCALE-iFlex™ LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器。新款门极驱动器适配于流行的100mmx140mm IGBT半桥模块，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐压在2300V以内的碳化硅(SiC)衍生模块。SCALE-iFlex LT NTC驱动器可提供负温度系数
- 关键字： Power Integrations IGBT SiC模块 门极驱动器
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