提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品,此第四代器件具有出色的导通电阻特性,适用于主流800V总线架构中的电源解决方案,如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。 贸泽电子分销的UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了
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SiC FET
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管(FWD)、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT(PPI),进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计,是大电流模块化多电平转换器(MMC)、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。Prime Switch IGBT的阻断电压为4.5 kV,不带有FWD的型号电流为3000 A,带有FWD的型号为 2000 A。英飞凌为3000
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IGBT FWD
英飞凌科技股份公司近日发布了采用EconoDUAL™ 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术,EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流,进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器(SVG)等应用。与过去采用IGBT4芯片组的模块相比,基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模块在相同的封装尺寸下,可将逆变器的输出电流值提高40%。全新的1700 V I
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逆变器 IGBT
IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时,时常会无奈发生,占空比越小越容易输出窄脉冲,且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着I
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英飞凌 IGBT 窄脉冲
安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟近日引入Power Integrations系列高功率栅极驱动器,进一步扩大其功率产品阵容,均可快速交付。Power Integrations高功率产品系列包括:● SCALE™-2:即插即用● ISO5125I:DC-DC电源● SCALE-2:Driver Core驱动核● SCALE-2+:Driver Core 驱动核● SCAL
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高功率 IGBT
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
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Mentor P Qorvo SiC FET
晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管 1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安 2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率 3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
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IGBT 晶体管 MOS管
IGBT市场缺口高达50%,安森美已不再接单。 随着新能源汽车发展,IGBT需求量水涨船高,同时叠加持续一年有余的全球缺芯大背景,车规级IGBT依旧在苦苦挣扎。今年2月,业内已发出预警称,今年下半年IGBT或将成为新能源汽车生产瓶颈所在,其影响可能将超过MCU。 如今迈入5月,IGBT供不应求已有愈演愈烈之势。目前IGBT交货周期已全线拉长到50周以上,个别料号周期甚至更长。需求高涨下,IGBT订单与交货能力比最大已拉至2:1。若去掉部分非真实需求订单,预计真实需求是实际供货能力的1.5倍,这也意
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IGBT
IGBT作为一种常用的半导体芯片,我们生活中的家用电器、汽车等商品上面都有,受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影响,IGBT目前也处于紧缺状态,尤其是车规级IGBT更是缺货严重,缺口最大的时候已经超过50%。全球最大的IGBT企业依然缺货 芯片巨头英飞凌是全球最大的IGBT供应商,整个IGBT市场英飞凌占据三分之一份额,订单量、出货量都是遥遥领先,就是这样规模的企业同样面临着巨大的供需缺口,目前合作伙伴订单量和交货量比例大约为2:1,而且交货周期长达50周,尤其是车规及IGBT供需缺口还有进一步扩大趋
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IGBT
5月16日报道,最近,海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。士兰微和华润微相关人士表示,由于汽车和光伏需求增加明显,IGBT订单增长很快,做不过来。 CINNO Research半导体事业部总经理Elvis称,车规级IGBT下探至0.5,即供需缺口在50%以上。因为车规级IGBT认证周期很长,悠关生命安全,认证项目复杂且冗长,付出成本昂贵,技术Know-How不易取得,一般快则两到三年,慢则甚至五到十年之间。因此产能的扩充在近期内无法缓解终端市场强大需求的短缺,至少在2023年
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IGBT
获悉,最近,海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。安森美深圳厂内部人士透露消息称,车用绝缘栅双极晶体管订单(IGBT)已满且不再接单,但不排除订单中存在一定比例的超额下单。士兰微(600460)和华润微相关人士也表示,由于汽车和光伏需求增加明显,IGBT订单增长很快,做不过来。 供应链业者表示,2021年起车用半导体中的功率元件、微控制器最为缺乏,且直至2022年情况都未见明显改善。在IGBT产品中,车用IGBT的缺口则更大。CINNOResearch半导体事业部总经理Elvi
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IGBT
获悉,欧盟的REPowerEU计划草案提出,2022年屋顶光伏发电量增加15TWh。该草案还要求欧盟和各国政府今年采取行动,将屋顶光伏装置的安装申请许可时间缩短至三个月,并提出“到2025年,所有新建筑以及能耗等级D或以上的现有建筑,都应安装屋顶光伏设备”。该计划有望利好IGBT等逆变器产业链公司。 据悉,REPowerEU计划是欧盟在今年3月8日提出的,价值高达1950亿欧元,旨在让成员国家在2030年之前逐步消除对俄罗斯化石燃料的依赖,其中近三分之二的削减可在今年(2022年)底前实现,结束欧盟
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IGBT
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列,该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构,这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示:“我们通过
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SiC FET
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块,其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车(包括巴士和卡车)以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证,可实现AS
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Power Integrations IGBT SiC 模块驱动器 SCALE EV PI
IGBT作为功率设备的核心器件,在电力电子工业领域应用广泛。为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响,本文搭建了实验样机(选用3代IGBT采用T型三电平拓扑,额定输出线电压315 V,电流230 A,设计输入电压范围500~1 000 V),通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行性。
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IGBT 单脉冲 电压应力 202203
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