摘 要：介绍了一种纯电动汽车用永磁同步电机系统的堵转控制包含对原理、法规要求过程分析、测试方法及
策略控制应用，通过对永磁同步电机的基本工作原理变换到堵转的工作原理及带来的问题的原因，通过建立堵
转策略及仿真计算开展实施驱动电机和IGBT的温度保护策略，并确立目标开展对驱动电机和IGBT选型设计，
通过仿真设计校核并通过台架和整车实车测试验证设计目标，验证了系统性能，安全性高，在通过设计对整车
目标进行校核的同时，防止过度开发，降低了系统开发成本。关键词：PMSM；PWM；堵转；IGBT；载频0
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202211 PMSM PWM 堵转 IGBT 载频
EconoDUAL™3是一款经典的IGBT模块封装，其上一代的1700V系列产品已经广泛应用于级联型中高压变频器、静止无功发生器（SVG）和风电变流器，覆盖了中功率和一部分大功率的应用场合。随着芯片技术的发展和市场对高功率密度IGBT模块的需求增加，英飞凌已经基于最新的1700V IGBT7技术开发了新一代的EconoDUAL™3模块，并率先推出了900A和750A两款新产品。本文首先分析了上一代最大电流等级600A的产品FF600R17ME4[1]在MVD和SVG中的典型应用，然后介绍了1700V IG
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英飞凌 IGBT
IGBT是大家常用的开关功率器件，本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册，对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明，用户可以了解各参数的背景信息，以便合理地使用IGBT。英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容：1. 封面，包括器件编号，IGBT技术的简短描述，如果是带共封装续流二极管的器件，数据手册也会包括二极管的功能，关键参数，应用以及基本的封装信息。2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻3. 室温下的电气特性，包括静态和动态参数4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性5. 电气特性
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英飞凌 IGBT
栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能，在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过，上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI，而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。图1：DGD0216 的栅极驱动组件上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱
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DigiKey IGBT
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
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贸泽 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
提到软开关技术，大家耳熟能详的有零电压开通ZVS（Zero voltage switching） 和零电流关断ZCS（Zero current switching），同时，尤其是在现在的电源产品中，绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档，而不是IGBT。今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。长期以来，IGBT给人的印象就如农
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英飞凌 IGBT
在过去的文章中，我们曾经讨论过IGBT在关断的时候，集电极会产生电压过冲的问题（回顾：IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么？）。IGBT关断时，集电极电流Ic迅速减小到0，急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感，产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上，使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短，也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关，也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时，集电极电压过冲会格外大，有可能超过额定值，从而损坏IGBT。所以如何抑制
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英飞凌 IGBT
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封装选项，Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制，能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on)，其额定值分别为 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 电源 SiC FET
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上，GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同，比如“这是否通过了鉴定？”尽管GaN器件也通过了硅鉴定，但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点，因
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GaN FET 电源 可靠性
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的，完全有这样的底气，EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的，在驱动电压不超过15V时，短路电流典型值是2400A，只要在10us内成功关断短路电流，器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间，驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
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英飞凌 IGBT 功率半导体
摘要：针对轨道交通领域IGBT的使用要求，设计了一款基于可编程逻辑器件并具有故障存储功能的数字化
驱动器。文章介绍了驱动器总体方案，设计了多电压轨电源系统；分析了异常驱动信号对IGBT正常工作的危
害，并通过软件算法实现了短脉冲抑制与超频保护；电源欠压会导致IGBT开关异常，使用欠压检测芯片进行
检测并在发生欠压故障时进行脉冲封锁；针对短路故障，使用退饱和电路检测并结合软件时序进行保护；详细
分析了IGBT开关过程各阶段的不同特性，设计了可优化开关性能的多等级开关电路；通过存储芯片与可编程
逻辑
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202206 存储 数字化 IGBT 驱动器
摘要：本文介绍了一种新能源电动汽车上用驱动电机控制器IGBT驱动电源方案的设计分析及其验证，通过
对基本Buck-boost拓扑研究变换到Flyback电路，通过对LTC1871电流驱动芯片的应用设计、分析，设计反激变
压器参数目标需求匹配驱动电路，通过PWM供电、NMOS驱动、电流检测、反馈输出电压跟踪闭环调节，实
现满足一款Infineon的驱动芯片1ED020I12芯片的驱动电路系统，本方案通过原理设计、电路仿真及电路台架测
试，验证了系统性能、安全性高，同时可以通过较少的外围电路实现可靠的
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202206 升降压变换器 反激 反激变压器 IGBT 脉宽调制
海英搏尔电气股份有限公司，率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。 这款分立式IGBT EDT2组件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统整合。英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示：「英搏尔坚定不移地遵循使用分立式组件设计电机控制单元（MCU）的技术路线，不断开发出高性价比的产品，从而始终保持
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英搏尔 英飞凌 IGBT EDT2组件
中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司（FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY）最新推出的750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统集成。 &
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英博尔 英飞凌 IGBT
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