11月1日消息 据韩媒 The Lec 今日报道，今年十月份，DRAM 和 NAND 价格遭遇集体暴跌。分析师认为，这是由于美国对华为的制裁所致，这加剧了存储芯片市场价格的下跌。据市场研究公司 DRAM Exchange 上个月 30 日的统计，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易价格为 2.85 美元，相比 9 月份的交易价格下降 8.9%。这与八月和九月连续第二个月保持平稳的情况形成了对比，就
NAND 闪存而言，128GB 存储卡和用于 USB 的多层单元存储（MLC）
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内存 DRAM
根据IC Insights的分析报告，DRAM内存芯片在今年底之前将继续呈现下滑态势。简单回顾下，内存跌价大致是从2018下半年开始，2019年12月均价一度跌至3.9美元。尽管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家办公、远程学习等推动了PC等设备的需求增长，内存价格有所小幅反弹，但持续的时间并不长。6月份DRAM均价是3.7美元，7、8月份则在3.51美元处徘徊。通常来说，三四季度是DRAM价格大幅飙升的旺季，可今年的情况大家都懂，无论是厂商还是个人消费者，其季节性的购买行为也被扰乱了。另外，尽管5G智能
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内存 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM标准，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作为超高速、高容量产品，尤其适用于大数据、人工智能、机器学习等领域。 图1. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM 图2. SK海力士推出1y纳米级DDR5 DRAM SK海力士于2018年1
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SK海力士 DDR5 DRAM
搁浅2年多的成都格芯厂，在今年5月正式宣布停业4个多月之后，终于迎来了接盘者————成都高真科技有限公司（以下简称“高真科技”），并有望转产DRAM内存芯片。根据企查查的资料显示，高真科技成立于2020年9月28日，注册资本51.091亿元人民币。经营范围包括：“销售：电子元器件、集成电路、集成电路芯片及产品、电子产品、机械设备、计算机、软硬件及其辅助设备；存储器及相关产品、电子信息的技术开发；电子元器件制造；集成电路制造；软件开发；质检技术服务（不含进出口商品检验鉴定、认证机构、民用核安全设备无损检验、
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格芯成都 DRAM
前言人工智能/机器学习（AI/ML）改变了一切，影响着每个行业并触动着每个人的生
活。人工智能正在推动从5G到物联网等一系列技术市场的惊人发展。从2012年到
2019年，人工智能训练集增长了30万倍，每3.43个月翻一番，这就是最有力的证
明。支持这一发展速度需要的远不止摩尔定律所能实现的改进，摩尔定律在任何情况下都在放缓，这就要求人工智能计算机硬件和软件的各个方面都需要不断的快速改进。从2012年至今，训练能力增长了30万倍内存带宽将成为人工智能持续增长的关键焦点领域之一。以先进的驾驶员辅助系
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ADAS ML DRAM 内存
实现DRAM量产后，预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场，下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工，首发量产产品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，极紫外光刻）制程的16Gb（吉字节）LPDDR5移动DRAM，开创业界先河。 三星电子 16GB LPDDR5 三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米（
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EUV10 纳米级 LPDDR5 DRAM
三星今日宣布，其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光（EUV）技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造，拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛，克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米，相当于约16个足球场，是迄今为止全
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三星 LPDDR5 DRAM
日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术，展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能（ AI）的发展，车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统，发展到现在的深度学习与车联网（ V2X），并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前，先进驾驶辅助系统（ADAS）是车载通讯中最普遍的应用之一，它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护，以达到无人驾驶的最终目标。因此，越来越多的半导体产商与车辆制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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DRAM NAND
7月2日，SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.7GB），是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技术将8个16Gb DRAM垂直连接，其容量达到了16GB，是前一代HBM2容量的两倍以上。H
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SK海力士 DRAM
SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。 图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度，通过1,024个I/Os（Inputs/Outputs, 输入/输出）能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清（FHD）电影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
6月6日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约，一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产，其中内存国产化的意义更重要一些，毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导，门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿，去年底量产了1Xnm级别（具体大概是19nm）的内存芯片，可以供应DDR4
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国产 DRAM 内存 合肥长鑫
存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会，会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法，指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长，其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于，2020年下半年市况，吴嘉昭则是表示，因为各项不确定因素仍多，因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示，2019年因中美贸易战导致的关税问题，使得供应链面临调整，加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素，导致DRAM需求减少，使得平均销货较2018年减少超过45%，也使得南亚科在2019年
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存储器 10nm 南亚科 DRAM
三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%，但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示，一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%，是第一大厂商，较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点，后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%，但一季度三星DRAM的营收其实有下滑，较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士，一季度的销售额也下滑了4%，下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技，其一季度的市场份额为20.8%，销售额下滑1
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三星 DRAM
从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元；(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL)；(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏；(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元（图1 (a)）在电
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DRAM GIDL
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
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