- LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微处理器内核和高速嵌入式 DRAM 内存模块，进一步丰富了其业界领先的定制芯片 IP 产品系列。该新型处理器内核和内存模块旨在加速用于诸如企业级交换机、路由器、RAID 存储器、服务器以及基站等高性能应用中的高级网络和存储SoC 的开发。
定制多核集成电路 (IC) 使 OEM 厂商能够针对计算密集型应用开发出高度差异化的高性能解决方案。LSI 推出的这款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工艺制造而成，能
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LSI DRAM 内存模块 PowerPC476
- 在DRAM市场的历史上，2009年初可能是最黑暗的时期之一，当时厂商能活下来就不错了。
但是，继春季温和复苏之后，DRAM供应商的黑暗日子结束，夏天迎来了光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3来临
第三季度，下一代DRAM技术——DDR3看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli公司预测，DDR3出货量将在2010年第一季度超
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DRAM DDR3 DDR2
- 据国外媒体报道，日本芯片生产商尔必达记忆体(Elpida)公司今日表示，预计2010年动态随机存取记忆体(DRAM)将出现供应短缺。
尔必达社长本幸雄在新闻发布会上接受采访时表示，DRAM的价格可能将在截至2011年3月的会计年度企稳。
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Elpida DRAM
- 2010年1月农历春节前的补货行情落空，DRAM价格大跌，所幸NAND Flash价格比预期强势，存储器模块厂1月营收可望维持平稳，与2009年12月相较，呈现小涨或小跌的局面，整体第1季营收受到2月农历过年工作天数减少影响，而呈现下滑，但整体行情不看淡;模块厂认为，DDR3目前仍是缺货，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利润较高，另一方面DDR3短期会被DDR2价格带下来，但整体第1季DDR3供货仍相对吃紧。
存储器模块厂2009年交出丰厚的成绩单，创见、威刚都赚足1个股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 近期晶圆代工、DRAM等科技大厂扩产计划不断，不少业者的机台进厂时间落在下半年，从目前的设备交期6~9个月来推算，部分机台交货时间恐怕落到2011年。
在2010年科技业大扩产风潮下，市场纷纷看好设备业业绩可望较2009年成长4~5成，不过近期在关键设备交期拉长到6~9个月的隐忧下，设备业者已开始担忧，交期拉长恐怕使部分原本可在2010年交货的机台，延后到2011年，使全年业绩成长幅度受到压抑。
设备短缺现象自2009年第4季就已出现，尤其是关键机台包括LED的金属有机物化学气相沉积(MO
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MOCVD，晶圆代工 DRAM
- 2009年DRAM 市场乌云笼罩，厂商艰难度过黑暗时期，终于守得云开见月明。春季温和复苏，夏季迎来光明。价格在春季的基础上持续上涨，营业收入也水涨船高。
三星走在前列，营业利润率为19%，营业收入达22 亿美元，市场份额扩大到35.5%的最高水平。
DDR3 来临
第三季度，下一代 DRAM 技术——DDR3 看到希望，而且显然这种技术代表未来的一股潮流。iSuppli 公司预测，DDR3 出货量将在2010 年第一季度超过DDR2。
三星在 DDR3
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DRAM DDR3
- 2010年台DRAM厂将决战50和40奈米制程技术，但新制程关键恐未必在技术上，而在于浸润式微显影(Immersion Scanner)机台设备采购是否能跟上脚步，近期业界传出瑞晶机台原本2月要交货，但目前交期已递延至4月，南亚科和华亚科之前亦传出机台交货不及，公司则澄清前期机台已顺利拉进来，转换制程进度一切正常。
DRAM厂决战50和40奈米制程技术最大挑战是资金问题，其中，机台购置成本占相当大比重，由于1台机台设备动辄要价新台币10亿元，且每台机器产能约仅1万片，若1座产能达10万片的12寸
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Samsung DRAM
- 嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案,介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上，利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL语言编程实现。
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CPLD 解决方案 控制器 DRAM 系统 嵌入式
- 南亚科将逆势扩建旗下12寸厂，从现有3万片扩增至5万~6万片，成为此波DRAM景气复苏后，首家扩产的台系DRAM厂。值得注意的是，南亚科单月产能(加计华亚科)约9.5万片，以目前全球单月12寸厂产能约100万片计算，南亚科扩产后，全球市占率将首度挑战10%，成为台塑集团在 DRAM产业重要里程碑。
DRAM厂喜迎产业景气复苏，但苦于无钱扩增产能，2009年下半除赶紧将减产的产能回复，对于制程演进亦快马加鞭，包括美光(Micron)、尔必达(Elpida)阵营2010年纷宣布要转进40奈米制程世代
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南亚科 DRAM
- 2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示，表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术，并非是制程微缩下的产物，因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后，年底4大阵营技术实力大幅缩小，竞争更激烈。
虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代，其中三星是
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Hynix DRAM 40纳米
- 全球第2大计算机存储器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季财报，随著全球个人计算机(PC)景气回温，海力士获利创下3年来新高。
2009年第4季海力士营收为2.8兆韩元(约24.7亿美元)，较第3季大幅成长32%，海力士营收成长主因为DRAM及NAND Flash存储器出货量成长，同时，DRAM平均售价也上扬，此外，第4季海力士净利为6,570亿韩元，更较第3季大幅成长167%。
和2009年第3季相较，2009年第4季海力士DRAM平均售价及出货量分别成长26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 韩国三星公司与Rambus公司本周二宣布就两家之间的专利权官司达成和解协议，三星公司将在五年之内逐步向Rambus公司支付总额达9亿美金的专利授 权费用.据协议规定，三星将首先一次性支付给Rambus公司2亿美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500万美元的方式逐步将剩下的金额以专利授权费的形式支付给对方，其中包括一笔用于购买三星现有DRAM产品所使用的Rambus专利终身授权的资金。另外，协议还规定三星将向Rambus公司投资2亿美元。
据Rambus公司高级副总裁Sharon Holt
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三星 DRAM 内存
- 全球DRAM市场正加速进行世代交替，DDR3芯片因缺货使得价格持续上涨，DDR2价格却严重下跌，且累积库存越来越多，近期韩系DRAM大厂开始祭出买DDR3模块必须搭配买DDR2模块的搭售策略，希望系统厂和模块厂不要只购买DDR3模块，由于DDR3模块在现货市场货源奇缺，使得部分下游通路商亦跟进DRAM大厂，采取搭售策略，希望在DDR2与DDR3 模块世代交替的同时，避免产品价格严重背道而驰。
近期DRAM市场已呈现两极化发展，DDR3芯片市场缺货情况持续恶化，但DDR2芯片库存却是愈堆愈多，存储
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DRAM DDR3
- 据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品，同时，海力士希望于2010年增加在DRAM市场的市占率，并倍增NAND Flash的产能。
根据研究机构iSuppli资料，2009年第3季海力士于全球DRAM市场市占率为21.7%，落后三星电子(Samsung Electronics)的35.5%，
海力士也将增加NAND Flash产能，金钟甲表示，2010年底前海力士计划倍增NAND
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海力士 DRAM 存储器
- 据国外媒体报道，由于计算机内存芯片供不应求可能有助于利润创下4年来新高，全球第二大内存芯片厂商海力士计划今年偿还逾1万亿韩元债务(约合8.88亿美元)。
海力士首席执行官金钟甲(Kim Jong-kap)日前在接受采访时表示，“我们的目标是，在进行必要投资的同时偿还巨额债务。目前，海力士有息债务约为7万亿韩元(约合62.16亿美元)。”
更少的债务和更高的利润有助于海力士吸引其他收购方。去年11月，晓星公司撤消了收购海力士的收购要约。分析师称，由于PC需求增长，今年
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DRAM 内存芯片 DDR3
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