市场研究公司IC Insights预计，今年半导体产业资本支出中的2/3将由支出前十位的公司包揽，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的厂商的投资总额预计增长67%，而产业整体支出增长额预计为51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出额将增长91%。”IC Insights总裁Bill McClean指出。然而，尽管许多公司计划在今年将产能翻倍，但仍然无法阻止IC价格的上涨和供应短缺的局面发生，尤其是下半年。
大
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Samsung DRAM 存储
市场研究公司IC Insights预计，今年半导体产业资本支出中的2/3将由支出前十位的公司包揽，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的厂商的投资总额预计增长67%，而产业整体支出增长额预计为51%。
“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出额将增长91%。”IC Insights总裁Bill McClean指出。然而，尽管许多公司计划在今年将产能翻倍，但仍然无法阻止IC价格的上涨和供应短缺的局面发生，尤其是下半年。
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Samsung DRAM 芯片 半导体
市场研究公司Gartner预计，2010年全球半导体营收将增长20%，达到2760亿美元。
2009年，全球半导体营收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半导体销售额有望达到2760亿美元，与去年的2310亿美元相比将增长19.5%。
Gartner表示，处理器和内存是推动2010年半导体营收增长的主要动力。其中，DRAM芯片涨幅将达到55%。
Gartner预计，至少在2014年之前，半导体市场将持续增长。到2012年，全球半导体市场规模将达到3040亿美元。
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半导体 处理器 DRAM 内存
2月24日消息，市场研究公司iSuppli预计，今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%，也是3年来的首次增长。
据国外媒体报道称，iSuppli表示，今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿美元，2009年、2008年和2007年DRAM内存芯片销售额分别下滑了3.7%、25.1%和7.5%。
iSuppli分析师迈克·霍华德当地时间上周四说，“今年DRAM内存市场将继续去年第四季度的增长趋势，增长40%。”
推动去年第四季度DRAM
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DRAM 内存芯片
英飞凌科技股份公司今日宣布，该公司及其子公司英飞凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书，称尔必达(Elpida Memory Inc.)制造并向美国进口销售的某些DRAM半导体产品侵犯了英飞凌在半导体制程和元件制造方面四项重要发明专利，涉嫌不公平贸易。
英飞凌公司管理委员会成员兼销售、营销、技术与研发负责人Hermann Eul博士指出：“英飞凌在业界一直处于先进半导体制程的领先地位。我们将尽力保护我们通过持续研发所获得的知识产权。&rdqu
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英飞凌 DRAM
据市场研究公司iSuppli称，经过连续三年的下降之后，DRAM内存市场2010年的销售收入将达到319亿美元，增长40%。
iSuppli负责DRAM内存业务的高级分析师Mike Howard在声明中说，2010年将在2009年第四季度增长的基础上继续增长。2009年第四季度整个DRAM内存行业的销售收入环比增长了40%。 Howard指出出货量的增长和平均销售价格的提高是这种增长的主要原因。
2009年第四季度是DRAM内存行业在最近的记忆中表现最好的一个季度。据iSuppli称，20
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Elpida DRAM 内存
DRAM厂普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM厂海力士(Hynix)却发出警语，认为今年DRAM恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警语，看法与三星大为迥异。
外电报导，海力士执行长金钟甲(Kim Jong-kap)在接受媒体采访时透露，由于各大芯片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM会供给过剩;不过，他认为储存型闪存(NAND Flash)需求仍会不错。
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Hynix DRAM
美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，同时也全面导入铜制程技术，与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比，美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多，预计在2010年第2季试产，而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程，与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
2010 年DRAM市场50
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Micron 40纳米 DRAM
2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发出警告，认为今年DRAM芯片恐出现供给过剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM产业的大厂。
全球DRAM芯片龙头三星上周才公开表示，看好整体内存产业，海力士却发布警告，看法与三星大为迥异。海力士发警告，将牵动南科、华亚科、力晶以及创见、威刚等台湾内存企业发展计划。
外电报道，海力士执行长金钟甲在接受媒体採访时透露，由于各大晶片厂都大举扩大资本支出，担心DRAM芯片会供给过剩
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海力士 DRAM
据报道，韩国检方近日逮捕了两名美国半导体设备供应商应用材料Applied Materials高管，罪名则是这两名高管偷取三星DRAM、NAND芯片处理技术等机密并出售给了竞争对手海力士。
美国证券交易委员会的报告显示，Applied已经确认此事，并透露说其中一人是前应用材料韩国(AMK)高管、现任应用材料副总裁，另一名则是应用材料韩国子工厂的高管。
应用材料在一封电子邮件中表示，由于韩国检方目前还未公布两人的姓名，他们也不方便透露两者的信息。作为应用材料的一大客户，三星的利益显然受到了伤害
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应用材料 DRAM NAND
报道，威刚主席Simon Chen今天表示，随着DRAM制造商把重点放在DDR3芯片生产上，DDR2芯片的出货量将开始减少，其价格有望在今年下半年超过DDR3。
Simon Chen认为，DDR2在低端PC市场还是比较受欢迎。如果1Gb DDR2的价格低于2美元，那么它需求将会出现大幅度增长。
Simon Chen还表示，上游芯片供应商纷纷通过工艺升级的方式来加大DDR3芯片的产量，不过这种升级或许会因为其它设备的供应短缺而延缓。
根据DRAMeXchange的监测，1Gb DDR2
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DRAM DDR3 DDR2
汤森路透知识产权解决方案事业部今日发布了《2009年顶级专利权人》(2009 Top Patentees) 的分析结果，对过去一年在美国获得专利最多的前25家公司进行排名。这项研究发现，在这25家顶级公司中，无一家中国大陆企业上榜。老牌科技厂商美国IBM公司以4843项专利位列第一， 韩国三星电子和美国微软公司分别位列第二和第三，这份25大专利权名单还包括11家日本公司，中国台湾、芬兰和德国各一家公司。
2009年美国专利权人 TOP25
亚洲公司目前已经占据了专利权名单的56%，而日
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三星电子 芯片 LCD DRAM
三星电子宣布，全球第一颗采用30nm级别工艺的DDR3 DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm 之类的。三星此前投产的3-bit MLC NAND、异步DDR 32Gb MLC NAND闪存芯片同样也是这种30nm级别的。
三星这种30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标 准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30%的功耗，因此又称为绿色内存(Gree
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三星电子 DRAM 30nm DDR3
导读：《朝鲜日报》今日撰文称，三星电子虽然跻身世界最大的电子企业行列，但公司销售业绩在很大程度上依赖于芯片产品，而芯片的营业利润容易根据市场环境起伏不定，这也被认为是三星的“致命弱点”。如果现在放松警惕，今后可能会面临更大的危机。
以下为全文：
三星电子在韩国企业史上第一个实现“销售额100万亿韩元、营业利润10万亿韩元”的业绩，成为世界最大的电子企业。但英国《金融时报》29日报道称：“从长远来看，三星电子的创新性不足将损害收益。
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三星电子 芯片 LCD DRAM
近期DRAM厂掀起一股40纳米热潮，这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后，最后决定跳过50纳米，直接转进45纳米，这下刺激了美光(Micron)阵营，南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程提前1季导入，让整个DRAM产业在50纳米都还没看到影子时，又冒出一堆40纳米的话题，但40纳米能为DRAM产业贡献多少? 真的有待商榷，只有三星电子(Samsung Electronics)在克服良率困难后，有机会大量生产，其它阵营的40纳米技术，都是口头说说成分居多。
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DRAM 40纳米
ddr5 dram介绍
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