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台积电CoWoS扩产 可望落脚云林

  • 晶圆代工龙头台积电将在7月18日举行法说会,2日业界先传出台积电可能会在云林觅地设先进封装厂,台积电表示,一切以公司对外公告为主;法人认为台积电受惠AI强劲需求,仍看好长线,挤进千元俱乐部没问题。 台积电在嘉义的CoWoS先进封装P1厂,在整地时发现遗址,因此停工,改兴建P2厂,日前传出台积电在屏东或者云林觅地,希望能找到P1的替代场址,2日供应链传出台积电可能已在云林的虎尾园区觅地。针对云林设厂的传言,台积电表示,设厂地点选择有诸多考虑因素,公司以台湾作为主要基地,不排除任何可能性;将持续与管理局合作评
  • 关键字: 台积电  CoWoS  先进封装  

英伟达巩固王位:预定台积电大量CoWoS并促其涨价

  • 芯片业巨擘英伟达(Nvidia)股票分割后股价续扬,一度挤下微软登全球市值最大企业,在AI领域掀起浪潮。财经专家黄世聪指出,英伟达为巩固自己领先的垄断地位,已经开始抢芯片、抢业务、抢人才,这举动将会让英伟达市值继续攀升,因为后面没人能够追上来。   黄世聪昨在《Catch大钱潮》节目表示,英伟达、黄仁勋近期抢业务、抢人才、抢芯片的用意,是要把护城河筑的越来越高,让其他人无法跨越;人才方面,英伟达从三星挖脚515人、从SK海力士挖了38人,有一部分是因为HBM的关系,把DRAM厂的人挖过来或许能在
  • 关键字: 英伟达  台积电  CoWoS  

台积电先进制程/CoWoS先进封装涨价?

  • 近日,台积电在嘉义科学园区新建的第一座CoWoS厂突然暂停施工,原因是6月初工地发现疑似文物遗迹。台积电方表示,P1厂暂时停工,同时启动P2厂工程先行建设。另外,近期行业消息显示,台积电拟调涨先进制程和先进封装报价。1台积电嘉义先进封装厂暂停施工6月17日消息,台积电此前在嘉义科学园区规划建设的两座CoWoS先进封装厂,第一座CoWoS厂已于5月动工,进行地质勘探工作。但目前现场已暂停施工,原因是6月初工地发现疑似文物遗迹。嘉义县南科管理局表示,台积电在嘉义科学园区兴建的第一座CoWoS厂,6月初挖掘到疑
  • 关键字: 台积电  先进制程  CoWoS  先进封装  

台积电产能供不应求,将针对先进制程和先进封装涨价

  • 6月17日,据台媒《工商时报》报道,在产能供不应求的情况下,台积电将针对3nm/5nm先进制程和先进封装执行价格调涨。其中,3nm代工报价涨幅或在5%以上,而2025年度先进封装报价也将上涨10~20%。
  • 关键字: 台积电  制程  封装  3nm  5nm  英伟达  CoWoS  

台积电进驻嘉义开始买设备,或冲刺CoWoS 先进封装

  • 业界传出,台积电南科嘉义园区CoWoS新厂正进入环差审查阶段,即开始采购设备,希望能加快先进封装产能建置脚步,以满足客户需求。同时,南科嘉义园区原定要盖两座CoWoS新厂还不够用,台积电也传出派员南下勘察三厂土地。针对上述消息,台积电昨(11)日表示,不评论市场传闻。此前中国台湾嘉义县政府之前公布,台积电先进封装厂将进驻南科嘉义园区,占地约20公顷,其中,第一座先进封装厂规画面积约12公顷,预计2026年底完工,并创造3000个就业机会。据悉,台积电初期规划要在当地建两座先进封装厂。依据台积电官方资讯,后
  • 关键字: 台积电  CoWoS  先进封装  

台积电先进封装产能被订光,一路包到明年

  • 英伟达、AMD 等冲刺高性能计算,大举下单。
  • 关键字: CoWoS  SoIC  

台积电升级 CoWoS 封装技术,计划 2027 推出 12 个 HBM4E 堆栈的 120x120mm 芯片

  • 4 月 28 日消息,台积电近日在北美技术研讨会上宣布,正在研发 CoWoS 封装技术的下个版本,可以让系统级封装(SiP)尺寸增大两倍以上,实现 120x120mm 的超大封装,功耗可以达到千瓦级别。根据台积电官方描述,CoWoS 封装技术继任者所创建的硅中介层,其尺寸是光掩模(Photomask,也称 Reticle,大约为 858 平方毫米)是 3.3 倍。CoWoS 封装技术继任者可以封装逻辑电路、8 个 HBM3 / HBM3E 内存堆栈、I / O 和其他芯粒(Chiplets),最高可以达到
  • 关键字: CoWoS  

台积电CoWoS供不应求,三星抢下英伟达2.5D先进封装订单

  • 4月8日消息,据韩国媒体TheElec报导,三星电子已经成功拿下了GPU大厂英伟达(NVIDIA)的2.5D封装订单。据市场人士的说法,三星的先进封装(AVP)团队将为英伟达提供Interposer(中间层)和I-Cube先进封装产能。I-Cube为三星自主研发的2.5D封装技术,但是当中的高带宽內存(HBM)和GPU晶圆的生产将由其他公司负责。现阶段通过2.5D封装技术可以将多个芯片,例如CPU、GPU、I / O界面、HBM等,平均放置在中间层上完整封装在单一系统芯片当中。台积电将这种封装技术
  • 关键字: 台积电  CoWoS  三星  英伟达  2.5D先进封装  

全球半导体复苏势头不减!

  • 受益于AI浪潮驱动,以及消费电子市场需求逐步回温,半导体市场正不断释放利好信号。近期,韩国产业通商资源部公布的数据显示,韩国今年3月份芯片出口117亿美元,同比增长35.7%,连续5个月增长,单月增幅为2022年6月以来最高。业界认为,智能手机、数据中心与AI等带动下,韩国芯片出口额上升。与此同时 ,美国半导体行业协会(SIA)对外表示,今年1月全球半导体行业销售总额为476亿美元,同比增长15.2%,2月全球半导体销量同比增长14.3%。此前,SIA透露,2023年全球半导体行业销售总额同比下降8.
  • 关键字: 半导体  CoWoS  

消息称英伟达 Blackwell“B100”GPU 将配 192GB HBM3e 显存

  • 3 月 18 日消息,英伟达将在明日举行GTC 2024 主题演讲,黄仁勋预计将宣布名为 Blackwell 的下一代 GPU 架构。据 XpeaGPU 爆料称,明天推出的 B100 GPU 将采用两个基于台积电 CoWoS-L 封装技术的芯片。CoWoS(晶圆基片芯片)是一项先进的 2.5D 封装技术,涉及将芯片堆叠在一起,提高处理能力,同时节省空间并降低功耗。XpeaGPU 透露,B100 GPU 的两个计算芯片将连接到 8 个 8-Hi HBM3e 显存堆栈,总容量为 192GB。值得注意的是,
  • 关键字: 英伟达  Blackwell B100  GPU  显存  CoWoS  

需求爆发,英伟达等大厂积极争夺CoWoS产能

  • 人工智能(AI)芯片热潮之下,CoWoS先进封装需求水涨船高。最新消息显示,英伟达、AMD、苹果等厂商正积极争夺CoWoS产能。CoWoS需求爆发,英伟达、AMD等积极追单近期,媒体报道,GPU大厂英伟达10月已经扩大CoWoS订单,除此之外,包括苹果、AMD、博通、美满电子等在内的四家大厂近期同样积极追单。据悉,英伟达一直是台积电CoWoS封装大客户,单英伟达一家公司就占据了台积电CoWo六成产能,主要应用于H100、A100等高性能芯片。未来,英伟达将陆续推出H200与B100架构,先进封装需求将持续
  • 关键字: 英伟达  CoWoS  TrendForce  

台积电:希望OSAT扩大其先进封装能力

  • 自 20 世纪 80 年代末代工业务模式诞生以来,台积电就开始生产硅片。相比之下,外包半导体封装和测试 (OSAT) 服务提供商会将其封装到陶瓷或有机外壳中。近年来,随着先进封装方法的出现,情况发生了变化,这些方法需要类似于硅生产所使用的复杂工具和洁净室,因为台积电处于创新封装方法的最前沿,该公司将其聚合在 3DFabric 技术中,并且因为它建立了适当的产能。许多公司,例如英伟达,希望向代工厂发送蓝图并让他们的产品准备好发货,这就是为什么他们选择使用台积电的服务来封装他们先进的系统级芯片,例如 H100
  • 关键字: 台积电  CoWoS  

熬出头的CoWoS

  • 据中国台湾媒体报道,台积电正在扩大 CoWoS 先进封装产能,以满足客户,尤其是 AI 芯片领域的需求。英伟达等大客户增加了对 CoWoS 封装的订单量,AMD、亚马逊等其他大厂也出现了紧急订单。为了满足这些需求,台积电已要求设备供应商增加 CoWoS 机台的生产数量,并计划在明年上半年完成交付和安装。9 月底,传出消息台积电再次追加 30% 半导体设备订单,带动联电、日月光投控等 CoWoS 先进封装中介层供应商接单量,并传出后者要涨价的消息。CoWoS 也曾「煎熬」CoWoS 是台积电独门技术,201
  • 关键字: CoWoS  先进封装  台积电  

什么是CoWoS? 用最简单的方式带你了解半导体封装!

  • 过去数十年来,为了扩增芯片的晶体管数量以推升运算效能,半导体制造技术已从1971年10,000nm制程进步至2022年3nm制程,逐渐逼近目前已知的物理极限,但随着人工智能、AIGC等相关应用高速发展,设备端对于核心芯片的效能需求将越来越高; 在制程技术提升可能遭遇瓶颈,但是运算资源需求持续走高的情况下,透过先进封装技术提升芯片之晶体管数量就显得格外重要。01半导体先进封装技术这两年“先进封装”被聊得很多,“封装”大概可以类比为对电子芯片的保护壳,保护电路芯片免受外界环境的不良影响。当然芯片封装还涉及
  • 关键字: CoWoS  半导体封装!  

异质整合突破 应用材料火力支持IC封装

  • 目前台积电先进封装CoWoS的制程瓶颈在于硅穿孔(TSV)技术,TSV硅穿孔芯片堆栈并非打线接合,而是在各逻辑芯片钻出小洞,从底部填充入金属,使其能通过每一层芯片。再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满,形成连接的功能,最后将晶圆或晶粒薄化加以堆栈、结合(Bonding),作为芯片间传输电讯号用之立体堆栈技术。随着IC设计业者继续将更多的逻辑、内存和特殊功能芯片整合到先进的2.5D和3D封装中,每个封装中的TSV互连导线数量扩展到数千个。为整合更多的互连导线并容纳更高的芯片堆栈,需将硅穿孔变得更窄、更高,
  • 关键字: 异质整合  应用材料  IC封装  CoWoS  
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