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原厂MOSFET价格一年涨3倍：还会继续涨价
- 相比去年，已有多款MOSFET产品涨价幅度超过3倍，而供货周期也无限延长。由于缺货的确定短期内得不到解决，有业内人士认为下半年该产品依旧会涨价。芯研所7月24日消息，自2020年以来，在供需层面多种因素的叠加作用下，功率器件MOSFET价格持续大涨。近日由于马来西亚、台湾等地区新冠肺炎疫情延烧，导致产能下降，在过去的一个月，英飞凌、意法半导体、安森美等IDM大厂又再度将产品的价格上调了10~15%。芯研所采编目前MOSFET原厂年内订单已全部排满，各大MOSFET厂仍在不断上调MOSFET价格。相比去年，
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使用IC采样保持放大器
- 采样保持(S/H)功能是数据采集和模数转换过程的基础。S/H放大器电路有两种不同的基本工作状态。在第一种状态下，对输入信号采样，同时传送到输出端（采样）。在第二种状态下，保持最后一个采样值（保持），直到再次对输入采样。在大多数应用中，S/H用作数据采集系统中模数转换器的“前端”。这样使用时，S/H主要用于在执行模数转换所需的时间段内，让模拟输入电压电平保持恒定不变。具体来说，S/H是数据转换系统必须具备的系统功能模块，所用的模数转换器在进行转换期间，必须提供恒定且准确的模拟输入。逐次逼近类型模数转换器就是
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大联大品佳集团推出基于NXP产品的5G open frame解决方案
- 大联大控股近日宣布，其旗下品佳推出基于恩智浦（NXP）TEA2206的240W 5G open frame解决方案。图示1-大联大品佳推出基于NXP产品的5G open frame解决方案的展示板图当前，系统对于电源设计要求正在变得愈发苛刻。随着能源法规不断完善，针对效率的要求不断提高，在电源已做到极致的情况下，单纯地使用原始架构已不能满足需求，因此必须有新一代的架构设计来满足现行的需求。大联大品佳针对高效率的5G电源应用，基于NXP技术推出了open frame解决方案，该方案搭载输入端同步整流技术IC
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硅晶体管创新还有可能吗？ 意法半导体超结MDmesh案例研究
- 前言自从固态晶体管取代真空电子管以来，半导体工业取得了令人惊叹的突破性进展，改变了我们的生活和工作方式。如果没有这些技术进步，在封城隔离期间我们就无不可能远程办公，与外界保持联系。总之，没有半导体的技术进步，人类就无法享受科技奇迹。举个例子，处理器芯片运算能力的显著提高归功于工程师的不断努力，在芯片单位面积上挤进更多的晶体管。根据摩尔定律，晶体管密度每18个月左右就提高一倍，这个定律控制半导体微处理器迭代50多年。现在，我们即将到达原子学和物理学的理论极限，需要新的技术，例如，分层垂直堆叠技术。同时，我们
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贸泽与Vishay携手推出全新电子书介绍汽车级电子元件的新应用
- 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日宣布与Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新电子书An Automotive Grade Above（推动汽车电子进一步发展），探讨支持电动汽车 (EV) 充电、车载信息娱乐系统等各种汽车应用所需的高性能解决方案。在这本电子书中，来自贸泽和Vishay的行业专家就现代汽车设计中一些富有创新性的技术提出了深入的见解，这些技术包括用于人机交互的光电传感器和用于电动/混动汽车设计的光
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ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力。此外，为了进一步提高电机的效率并减小尺寸，对于MOSFET还提出了更低导通电阻和高速开关工作的要求。在这种背景下，
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安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案
- 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日推出业界首款专用临界导通模式 (CrM) 图腾柱PFC控制器，是该公司超高密度离线电源方案集的新成员。在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。相比之下，PFC级的能效通常为97%，LLC电路实现类似的性能。然而，用 "图腾柱 "配置的开关取代有损耗的二极管，并拉入升压PFC功能，可减少电桥损耗，显著提高整体能效。此外，NCP1680可适用于任何开关类型，无论是超级结
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