- 问题:我可以根据负载轻松而精确地进行限流吗?答案:可以使用限流IC进行限流。在一些电源管理应用中,需要精确地限制电流。无论是要保护电源(例如,中间电路电压需要过载保护以便能够可靠地为其他系统部件提供电能),还是在故障情况下保护可能由于过流而造成损坏的负载,都需要精确地限制电流。在寻找合适的DC-DC负载点稳压器来满足此要求时,我们发现市面上具有可调限流功能的电压转换器很少见。可调限流功能在采用外部电源开关的控制器设计中更加常见,而所有的集成解决方案很少提供此类功能。而且,可调限流功能的精度通常不是很高。以
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MOSFET
- 在越来越多的应用中,对导通和关断AC输入电源的器件的性能进行优化是一个重要考虑因素,这些应用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物联网(IoT)的家电、智能开关和插头、调光器和人体感应传感器,特别适用于采用继电器或可控硅进行功率控制的设计。当AC电源异步导通或关断而不考虑其所处的电压时,效率和可靠性会受到不利影响,必须添加电路以保护开关免受高瞬态电流的影响。当AC电源异步导通时,浪涌电流可能超过100A。反复暴露于高浪涌电流会对继电器和可控硅的可靠性和使用寿命产生负面影响。电触点的预期寿命因浪涌电流需求
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MOSFET
- 源设计者如今面临两个主要问题:消除有害的输入谐波电流和确保功率因数尽可能地接近于1。有害的谐波电流会导致传输设备过热,并带来后续必须解决的干扰难题;这两者也会对电路的尺寸和/或效率产生不利影响。如果施加在线路上的负载不是纯电阻性的,输入电压和电流波形之间将产生相移,从而增加视在功率并降低传输效率。如果非线性负载使输入电流波形失真,则会引起电流谐波,从而进一步降低传输效率并将干扰引入市电电网。如果要解决这些问题,需要了解功率变换的基本原理。电源当中通常将来自墙上插座的交流电压连接至整流电路,整流管将交流电压
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MOSFET
- 目前市面上出现了一个新的芯片组,它由具有耐用的750V氮化镓(GaN)初级侧开关的反激式IC方案与创新的高频有源钳位方案组合而成,能够为手机、平板电脑和笔记本电脑设计出额定功率高达110W的新型超紧凑充电器。此芯片组来自Power Integrations,包含内部集成PowiGaN™开关的InnoSwitch™4-CZ零电压开关(ZVS)反激式控制器和提供有源钳位解决方案的ClampZero™产品系列。这些新IC可用于设计效率高达95%且在不同输入电压条件下保持恒定的反激式电源。这种InnoSwitch
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MOSFET
- 问题:有什么有源电路保护方案可以取代TVS二极管和保险丝?答案:可以试试浪涌抑制器。摘要所有行业的制造商都在不断推动提升高端性能,同时试图在此类创新与成熟可靠的解决方案之间达成平衡。设计人员面临着平衡设计复杂性、可靠性和成本这一困难任务。以一个电子保护子系统为例,受其特性限制,无法进行创新。这些系统保护敏感且成本高昂的下游电子器件(FPGA、ASIC和微处理器),这些器件都要求保证零故障。许多传统的可靠保护解决方案(例如二极管、保险丝和TVS器件)能够保持待保护状态,但它们通常低效、体积庞大且需要维护。为
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MOSFET
- 碳化硅具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点,可以很好地满足新能源汽车电动化发展趋势,引领和加速了汽车电动化进程,对新能源汽车发展具有重要意义。我国新能源汽车正处于市场导入期到产业成长期过渡的关键阶段,汽车产销量、保有量连续6年居世界首位,在全球产业体系当中占了举足轻重的地位。新能源汽车产业的飞速发展,极大地推动了碳化硅产业发展与技术创新,为碳化硅产品的技术验证和更新迭代提供了大量数据样本。
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碳化硅 新能源汽车 功率半导体 202110 MOSFET SiC
- 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,已开始供应“TB9083FTG”的测试样品,这是一种面向汽车应用的预驱IC(其中包括电动转向助力系统和电气制动器使用的无刷电机)。东芝将在2022年1月提供最终样品,并将在2022年12月开始量产。TB9083FTG是一种3相预驱IC,能够控制和驱动用于驱动3相直流无刷电机的外置N沟道功率MOSFET。该产品支持ASIL-D[1]功能安全规范[2]且符合ISO 26262标准第二版的要求,适用于高安全级别的汽车系统。这种新型IC内置三通道预驱,用于控制和
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MOSFET
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK®同步降压稳压器被《21IC中国电子网》评为2021年度Top 10电源产品奖获奖产品。这款稳压器采用PowerPAK® 5 mm x 7 mm小型封装,以其高达40 A的额定输出电流,优于前代稳压器的功率密度和瞬变响应能力受到表彰。Top 10电源产品奖已连续举办十九届,成为业内创新电源产品的标志性奖项。获奖产品由工程师投票,经21IC编委会综合技术创新、能效、应用开
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- 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及
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- 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时<±2%,在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
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- 随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合,Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器,为系统开发人员提供多层级的控制和保护,以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说,Microchip的Agi
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Microchip 碳化硅 MOSFET
- 0 引言数字开关通常使用MOSFET 来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势(图1)。图1 双极结型晶体管可为移动设备提供更长的使用寿命 图源:IB Photography/Shutterstock在负载开关应用中,晶体管需要精确地放大基极电流,使输出电压接近零,以便仅测量晶体管的饱和电压。MOSFET 通常用于这项用途,因为它们不需要任何底层控制器作为电压控制组件。
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MOSFET 202109
- 全球都在致力降低功耗,且势头愈来愈烈。许多国家/地区都要求家用电器(如图 1 所示)满足相关组织(如中国标准化研究院 (CNIS)、美国能源之星和德国蓝天使)制定的效率标准。为了满足这些标准,越来越多的系统设计人员在设计中放弃了简单且易用的单相交流感应电机,转而采用更节能的低压无刷直流 (BLDC) 电机。为了实现更长的使用寿命和更低的运行噪音,扫地机器人等小型家电的设计人员也转而在他们的许多系统中使用更先进的 BLDC 电机。同时,永磁技术的进步正不断简化 BLDC 电机的制造,在提供相同扭矩(负载)的
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MOSFET BLDC
- 1. 简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及,工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙(Bluetooth)等各项无线技术的推动下,通信接口日益向无线化发展,无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案,不仅能带来明显的技术优势,还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念,特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域,例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如,它可以替代昂贵且易损
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- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并
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