首页　 资讯　 商机 　 下载　 拆解 　 高校　 招聘 　 杂志　 会展　 EETV　 百科 　 问答　 电路图　 工程师手册 　 Datasheet　 100例 　 活动中心　 E周刊阅读 　 样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> coolsic mosfet

coolsic mosfet 文章 进入coolsic mosfet技术社区

在工业高频双向PFC电力变换器中使用SiC MOSFET的优势

  • 摘要随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电应用也是方兴未艾，越来越多的应用领域要求有源前端电力变换器具有双向电流变换功能。本文在典型的三相电力应用中分析了SiC功率MOSFET在高频PFC变换器中的应用表现，证明碳化硅电力解决方案的优势，例如，将三相两电平全桥(B6)变换器和NPC2三电平(3L-TType)变换器作为研究案例，并与硅功率半导体进行了输出功率和开关频率比较。前言随着汽车电动化推进，智能充电基础设施正在迅速普及，智能电网内部的V2G车辆给电网充电
  • 关键字： MOSFET  IGBT  

贸泽电子与PANJIT签订全球分销协议

  • 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics)近日 宣布与PANJIT签订全球分销协议。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半导体制造商。签订本协议后，贸泽开始备货PANJIT 丰富多样的产品，包括二极管、整流器和晶体管。贸泽备货的PANJIT产品线包括高度可靠的汽车级E-Type瞬态电压抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS产品采用外延 (EPI) 平面晶圆工艺，与传统晶圆工艺相比，该工艺具有高浪涌、低反向电流和更好的箝位电压
  • 关键字： MOSFET  

英飞凌推出EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET模块，适用于1500V太阳能系统和ESS应用的快速开关

  • 近日，英飞凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。此功率模块适用于储能系统（ESS）这样的快速开关应用，还有助于提高太阳能系统的额定功率和能效，并可满足对1500 V DC-link太阳能系统与日俱增的需求。Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范
  • 关键字： MOSFET  

Microchip抗辐射MOSFET获得商业和军用卫星及航空电源解决方案认证

  • 空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电
  • 关键字： MOSFET  LET  IC  MCU  

安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案

  • 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor)，近日发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。随着电动车销售不断增长，必须推出满足驾驶员需求的基础设施，以提供一个快速充电站网络，使他们能够快速完成行程，而没有“续航里程焦虑症”。这一领域的要求正在迅速发展，需要超过350 kW的功率水平和95%的能效成为“常规”。鉴于这些充电桩部署在不同的环境和地点，紧凑性、鲁棒性和增强的可靠性都是设计人员面
  • 关键字： MOSFET  

三星首款MOSFET冰箱变频器 采用英飞凌600V功率产品

  • 英飞凌科技向三星电子供应具有最高能源效率及最低噪音的功率产品。这些功率装置已整合在三星最新款的单门式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)与FDR(对开式：RF18A5101SR)变频式冰箱。变频是当代变频器设计中，采用直流转交流的新兴转换趋势。与传统的开/关控制相比，能让产品应用更安静平稳地运转，同时也减少平均耗电量。 三星首款在压缩机中使用分立式装置设计的冰箱，采用英飞凌多款电源解决方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及压缩机马达用的 600V CoolMO
  • 关键字： 三星  MOSFET  英飞凌  

东芝推出用于隔离式固态继电器的光伏输出光耦

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封装的新款光伏输出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，适用于驱动高压功率MOSFET的栅极，这类MOSFET用于实现隔离式固态继电器（SSR）[1]功能。今日开始批量出货。SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器，它适用于对大电流执行开／关控制的应用。光伏耦合器是一种内置光学器件但不具有用于执行开关功能的MOSFET的光继电器。在配置隔离式SSR设计时，通过将光伏耦合器与MOSFET结合使用，便
  • 关键字： MOSFET  SSR  

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。Nexperia产品市场经理Neil M
  • 关键字： Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

电子工程师必备！40个模拟电路小常识

  • 随着半导体技术和工艺的飞速发展，电子设备得到了广泛应用，而作为一名电力工程师，模拟电路是一门很基础的课，对于学生来说，获得电子线路基本知识、基本理论和基本技能,能为深入学习电子技术打下基础。1. 电接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。2. 稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的。3. PN结具有
  • 关键字： 模电  三极管  MOSFET  

晶体管分类有哪些？收藏这一张图就够了！

  • 本文来自公众号：8号线攻城狮，主要介绍了晶体管分类，并以NPN BJT为例，分析了晶体管的参数和特性。
  • 关键字： 晶体管  NPN  PNP  MOSFET  JFET  

IGBT和MOSFET功率模块NTC温度控制

  • 温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管)，但其他方法也可以用来监控温度。半导体硅PTC热敏电阻可以很好进行电流控制，或铂基或铌基(RTD)电阻温度检测器可以用较低阻值，达到更高的检测线性度。无论传感器采用表面贴装器件、引线键合裸片还是烧结裸片，NTC热敏电阻仍是灵敏度优异，用途广泛的温度传感器。只要设计得当，可确保模块正确降额，并最终在过热或外部温度过高的情况下关断模块。本文以键合NTC裸片为重点，采用模拟电路仿真的方法说明功率模
  • 关键字： IGBT  MOSFET  

集中供电电源的设计与实现*

  • 用于消防控制系统的集中供电电源应具备不间断供电的特性，能够进行电池充电及智能显示。本文通过半桥拓扑设计主电电路，以STM8S003F3P作为电源的控制单片机，使用继电器控制电路实现主备电无缝切换，使用电池充电电路对蓄电池进行智能充电管理，最后搭建实际电路进行验证。验证结果表明：设计的集中供电电源输出性能指标较高，且能够实现不间断供电及电池充电功能，满足消防控制系统供电要求。
  • 关键字： 集中供电电源  半桥拓扑  充电管理  智能  202104  MOSFET  IGBT  

通过节省时间和成本的创新技术降低电源中的EMI

  • 随着电子系统变得越来越密集并且互连程度越来越高，降低电磁干扰 (EMI) 的影响日益成为一个关键的系统设计考虑因素。鉴于 EMI 可能在后期严重阻碍设计进度，浪费大量时间和资金，因此必须在设计之初就考虑 EMI 问题。开关模式电源 (SMPS) 是现代技术中普遍使用的电路之一，在大多数应用中，该电路可提供比线性稳压器更大的效率。但这种效率提高是有代价的，因为 SMPS 中功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的开关会产生大量 EMI，进而影响电路可靠性。EMI 主要来自不连续的输入电流、开关节
  • 关键字： MOSFET  

Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 关键字： Nexperia  MOSFET  GaN  

安森美半导体高能效方案赋能机器人创新，助力工业自动化升级

  • 工业自动化简单说来指从人力制造转向机器人制造，涉及信息物理系统(CPS)、物联网(IoT)/工业物联网(IIoT)、云计算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多种技术，可实现经济增长和利润最大化，提高生产效率，并避免人力在执行某些任务时的安全隐患。安森美半导体为工业自动化提供全面的高能效创新的半导体方案。其中，机器人半导体方案构建框图如图1所示。图1 工业自动化-机器人半导体方案构建框图电机控制设计人员可采用安森美半导体的无刷直流电机(BLDC)控制器实现BLDC电机控制，如高
  • 关键字： MOSFET  BLDC  IoT  IIoT  
共1289条 21/86 |‹ « 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 » ›|

coolsic mosfet介绍

您好，目前还没有人创建词条coolsic mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对coolsic mosfet的理解，并与今后在此搜索coolsic mosfet的朋友们分享。    创建词条

coolsic mosfet电路

更多

coolsic mosfet相关帖子

更多

coolsic mosfet资料下载

更多

coolsic mosfet专栏文章

更多

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052    京公网安备11010802012473