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采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
- 引言人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统功率半导体封装的限制，在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力。在本文中，我们首先讨论传统封装的一些局限性，然后介绍采用更好的封装形式所带来的好处。最后，展示对使用了图腾柱（Totem-Pole）拓扑的3.7kW单相PFC进行封装改进后获得的改善效果。功率元器件传统封装形式带来的开关性能限制TO-247N（图1）是应用最广泛的功率晶体管传统封装形式之一。如图1左侧所示，
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Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
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Vishay赞助的同济大学电动方程式车队勇夺冠军，支持培养下一代汽车设计师
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其赞助的同济大学大学生电动方程式车队---DIAN Racing首次荣获中国大学生电动方程式汽车大赛（FSEC）总冠军。DIAN Racing车队由100多名成员组成，致力于提高汽车速度和能效，同时为国际清洁能源的发展做出贡献。每年，车队设计制造一款先进的电动赛车，参加包括FSEC在内的国际大学生方程式汽车赛。在2020年襄阳站的角逐中，DIAN Racing车队以设计报告和直线加速赛第一，8字绕环第二，耐久性第三的优异成绩获得本届比
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ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列产品作为ROHM拥有丰硕市场业绩的Pch MOSFET产品，采用了第五代新微米工艺，实现了业界超低的单位面积导通电阻*3。－40
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简化汽车车身电机控制器设计，快速实现轻量化
- 无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱，车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关给电子控制模块设计（包括电磁干扰（EMI）和热管理、电流感应、断电制动以及诊断与保护）带来了新的技术性挑战。德州仪器开发的集成电路（IC）电机驱动器产品集成了模拟功能，可帮助电子控制模块设计人员应对这些挑战，同时减小解决方案尺寸并缩短开发时间。本文中，我们将讨论可帮助应对这些设计挑战、集成到电机驱动集成电路中
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照明的光明未来
- 要有（电）灯！但谁负责点亮呢？有许多人声称自己是电灯的发明者，在19世纪中叶的许多发展为世界变得更亮一点铺平了道路。我们可能无法查明确切的“发现”！但我们知道的是，1879年，托马斯·爱迪生（Thomas Edison）申请了第一个商业上成功的带有碳化竹丝的电灯泡专利[[1]]。除了细丝材料的微小改进，包括20世纪初期从碳到钨的转变，我们从那时起直到最近基本上一直在使用爱迪生的古老技术。白炽灯泡迅速普及，提供了低成本和高质量的照明。但在过去的一二十年中，照明技术发生了根本性的变化，在大多数住宅和商业设施中
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iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势
- 大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时，近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关，从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势，需要一种具有新规格要求的新隔离方案。GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多，并可降低开关损耗，原因在于：■ 较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作，从
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应用笔记140 第2/3部分 - 开关模式电源基础知识
- 为何使用开关模式电源？显然是高效率。在SMPS中，晶体管在开关模式而非线性模式下运行。这意味着，当晶体管导通并传导电流时，电源路径上的压降最小。当晶体管关断并阻止高电压时，电源路径中几乎没有电流。因此，半导体晶体管就像一个理想的开关。晶体管中的功率损耗可减至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是设计人员使用SMPS而不是线性稳压器或LDO的主要原因，特别是在高电流应用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT开关模式同步降压电源通常可实现90%以上的效率，而线性稳压器的效率不到27.5%。这意味着功率
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