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coolsic mosfet 文章 进入coolsic mosfet技术社区

大功率电源MOS工作温度确定之计算功率耗散

  • 在电子电路设计中,散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下,空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
  • 关键字: 大功率电  MOSFET  功率耗散  

功率MOSFET在集成驱动电路中的设计应用简析

  • 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用,此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式,在今天的文章中
  • 关键字: MOSFET  驱动电路  电源  

干货!一种简易的MOSFET自举驱动电路设计分享

  • 功率开关器件MOSFET在驱动电路中的应用频率在最近几年直线上升,在一些中小功率的开关电源产品中,利用MOSFET完成驱动电路的设计不仅省时省力,还具有
  • 关键字: MOSFET  驱动电路  设计  

同步整流降压式DC-DC变换器应怎样选择MOSFET?

  • 功率器件MOSFET在很多电路系统的设计中都得到了广泛的应用,而对于同步整流降压式的DC-DC变换器来说,怎样选择合适的MOSFET则是非常重要的一环,需要研
  • 关键字: MOSFET  同步整流  DC-DC  

6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

  • 由于不间断电源的兴起,IGBT技术得以飞速发展。IGBT的特点是具有电流拖尾效应,因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格,需要负压驱动进行辅助
  • 关键字: MOSFET  IGBT  隔离驱动  

MOSFET开关损耗分析

  • 摘要:为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间
  • 关键字: MOSFET  带电插拔  缓启动  开关损耗  

基于大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术

  • 1.MOSFET栅极驱动电平的上升时间和下降时间功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,S
  • 关键字: MOSFET  笔记本电源  降压变换器  

大国器重 功率半导体小行业大机会

  • 在传统应用领域,功率半导体分立器件引领工业发展方式向节能型转变,实现家电工业转型升级,优化产业结构。而随着物联网、云计算、新能源、节能环保等新兴产业的高速发展,新兴领域成为支撑功率半导体分立器件保持较好发展势头的重要市场。
  • 关键字: 功率半导体  MOSFET  

功率MOSFET关断损耗计算攻略

  • 本文介绍了MOSFET管关断损耗的计算方式,供大家参考。
  • 关键字: MOSFET  关断损耗  

看懂MOSFET数据表,第1部分―UIS/雪崩额定值

  • 在看到MOSFET数据表时,你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼,也一目了然(BVDS、RDS(ON)、栅极电荷),其它的一些参数会十分的含糊不清、模
  • 关键字: MOSFET  雪崩  

传中兴急单ODM/OEM抬价20%抢货:MOSFET全年涨价30%

  •   MOSFET涨价已经很长一段时间,从今年年初至今,其涨价幅度已经达到了5%-10%,相对另外一种被动元器件MLCC,MOSFET涨价幅度还算在可接受范围之内。简而言之,今年以来MOSFET一直处于供货吃紧状态,包括英飞凌、威世、意法半导体、安森美等国际IDM大厂近些年并没有新增产能。  由于去年下半年以来,汽车电子、物联网、云端计算等新应用加大对MOSFET的需求,导致电脑以及智能手机等3C电子产品用MOSFET供货严重不足,价格已经从今年年初上涨至今持续了3个季度!据市场表示,今年上半年MOSFET
  • 关键字: 中兴  ODM  OEM  MOSFET  

汽车级N沟道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是众多汽车子系统的重要组成部分,其能够帮助实现各种各样的功能,包括负载切换、电机控制以及DC/DC转换等。SQJQ480E 的意义在于它可以处
  • 关键字: MOSFET  DC/DC转换  SQJQ480E  

IGBT扫盲文,IGBT基础与运用知识学习

  •   IGBT基础与运用  IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内。  理想等效电路与实际等效电路如图所示:  IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。  动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
  • 关键字: IGBT,MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圆后端处理集成服务

  •   随着电子产品功能愈来愈多元,对于低功耗的要求也愈来愈高, MOSFET成为车用电子、电动车势不可挡的必备功率组件,而在目前市面上产能不足,客户庞大需求下,电子产品验证服务龙头-iST宜特科技今宣布,正式跨入「MOSFET晶圆后端处理集成服务」,目前已有20多家海内外厂商,包括全球知名晶圆厂、IDM厂商、IC设计企业已于今年第一季底,前来宜特进行工程试样,并于第二季初开始进行小量产,并在下半年正式量产。  宜特董事长 余维斌指出,在车用可靠度验证分析本业上,已做到亚洲龙头,然而在服务客户的同时,发现了此
  • 关键字: MOSFET  晶圆  

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

  •   意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。  逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作,可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能,这种优势可简化设计,节省空间和物料清单成本。  VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
  • 关键字: 意法半导体,MOSFET  
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