功率MOSFET在目前一些大功率电源的产品设计中得到了广泛的应用，此前本文曾经就几种常见的MOSFET电路设计类型进行了简单总结和介绍。在今天的文章中，本文将会就这一功率器件的另一种应用方式，即有隔离变压器存在的互补驱动电路，进行简要分析。 有隔离变压器的互补驱动电路作为一种比较常见的驱动电路形式，在目前的家电产品设计中应用较多，其典型电路结构如图1(a)所示。在图1(a)所给出的电路结构中，V1、V2为互补工作，电容C起隔离直流的作用，T1为高频、高磁率的磁环或磁罐。
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MOSFET 驱动电路
功率器件MOSFET是目前应用频率最高的电子元件之一，也是很多电子工程师在入门学习时的重点方向。如果设计得当，MOSFET驱动电路可以帮助工程师快速、高效、节能的完成电路系统的驱动设计，本文在这里将会分享一种比较常见的MOSFET驱动电路设计方案，该方案尤其适用于小功率电路系统的采用。 下图中，图1(a)所展示的是一种目前业内比较常用的小功率MOSFET驱动电路，这一电路系统的特点是简单可靠，且设计成本比较低，尤其适用于不要求隔离的小功率开关设备。图1(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防
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MOSFET 驱动电路
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的两款40V车用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ温度额定值高达+175°C，非常适合在高温环境下工作。DMTH4004SPSQ旨在满足水泵和燃油泵等超过750W的高功率无刷直流电机应用的要求;DMTH4005SPSQ则适用于低功率无刷直流应用，包括备用泵和暖通空调系统。 DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ为满足三相无刷直流电机控制应用的严格要求，
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Diodes MOSFET
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。 FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件，能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用
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Fairchild MOSFET
一、引言 MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。 二、开关管MOSFET的功耗分析
MOSFET的损耗主要有以下部分组成：1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动
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MOSFET EMI
关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加全面。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N
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MOSFET 驱动电路
进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组成部分，你会有一套包括了输入电压范围和期望输出电压的规范，并且需要选择一些 FET。另外，如果你是一名 IC 设计人员，你还会有一定的预算，其规定了 FET 成本或者封装尺寸。这两种输入会帮助您选择总 MOSFET 芯片面积。之后，这些输入可用于对各个 FET 面积进行效率方面的优化。
图 1 传导损耗与 FET 电阻比和占空比相关
首先，FET 电阻与其面积成反比例关系。
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MOSFET
最后，我们来到了这个试图破解功率MOSFET数据表的“看懂MOSFET数据表”博客系列的收尾部分。在这个博客中，我们将花时间看一看MOSFET数据表中出现的某些其它混合开关参数，并且检查它们对于总体器件性能的相关性(或者与器件性能没什么关系)。
另一方面，诸如FET固有体二极管的输出电荷 (QOSS) 和反向恢复电荷(Qrr) 等开关参数是造成很多高频电源应用中大部分FET开关损耗的关键因素。不好意思，我说的这些听起来有点儿前言不搭后语，不过设计人员在根据这些参数比较不同
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MOSFET 二极管
在《估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升——第 1 部分》中，我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性，计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。 本文中，我们把图 1 所示模型的瞬态响应与图 3 所示公开刊发的安全工作区域(SOA 曲线)部分进行了对比。
图 1 将散热容加到&nb
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MOSFET 电路板
在本文中，我们将研究一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法。 热插拔电路用于将电容输入设备插入通电的电压总线时限制浪涌电流。这样做的目的是防止总线电压下降以及连接设备运行中断。通过使用一个串联组件逐渐延长新连接电容负载的充电时间，热插拔器件可以完成这项工作。结果，该串联组件具有巨大的损耗，并在充电事件发生期间产生温升。大多数热插拔设备的制造厂商都建议您查阅安全工作区域 (SOA) 曲线，以便设备免受过应力损害。图 1 所示
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MOSFET
今天我们来谈一谈MOSFET电流额定值，以及它们是如何变得不真实的。好，也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON) 和栅极电荷等参数的方法测量出来的，而是被计算出来的，并且有很多种不同的方法可以获得这些值。 例如，大多数部件中都有FET“封装电流额定值”，这个值同与周围环境无关，并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏，而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降
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MOSFET
本文总结了场效应管(MOSFET)检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 (1)用测电阻法判别结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极，另一只表笔
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场效应管 MOSFET
在看到MOSFET数据表时，你一定要知道你在找什么。虽然特定的参数很显眼，也一目了然，其它的一些参数会十分的含糊不清、模棱两可，而其它的某些参数自始至终就毫无用处(比如说：开关时间)。在这个即将开始的博文系列中，我们将试着破解FET数据表，这样的话，读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说，是最常见的数据，而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被
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MOSFET UIS
提出了一种小型可调压DC-DC降压变换器的结构。主电路由MOSFET管、电感器及滤波电容器构成。通过PWM波控制，由于PWM波的驱动能力较差，设计驱动电路通过与PWM发生器一同控制MOSFET管的通断。通过改变PWM波的占空比来改变输出电压以达到可调压的目的。该降压变换器设计简单、经济适用、体积较小，输出电压可调。主要由主电路和驱动电路组成。该变换器适用于较低压工作场合，输入电压在5V至20V之间，输出电压在3V至18V之间。对电路的工作原理和结构进行了深入分析，并通过实物制作验证其可行性。
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DC-DC降压 PWM MOSFET 驱动电路 201601
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证，采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺，击穿电压范围为400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。 400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET，而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全
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意法半导体 MOSFET
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