在温度高达 210 摄氏度或需要耐辐射解决方案的恶劣环境应用中，集成型降压解决方案可充分满足系统需求。有许多应用需要负输出电压或诸如 +12V 或 +15V 等隔离输出电压为 MOSFET 栅极驱动器电路供电或者为运算放大器实现偏置。我们将在本文中探讨如何使用 TPS50x01 配置降压转换器，提供负输出电压。此外，我们还将讨论如何通过提供高于输入压的电压来满足应用需求。 TPS50601-SP和TPS50301-HT都是专为耐辐射、地质、重工业以及油气应用等恶劣环境开发的集成型同步降压转换器解决方
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MOSFET TPS50601-SP 电压隔离
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)推出符合国际零待机功耗标准的新电源管理芯片，率先为白色家电(white good)、照明及工业设备提供唤醒功能智能管理方式。这也代表着电能吸血鬼(装置在被关掉或处于闲置状态时仍在消耗电能)将不复存在。
最大限度降低用电设备的待机耗电量(也称：电能吸血鬼)是设计人员长期努力的目标，这也推动了全世界启用IEA[1]等国际组织提出的节能建议，即在2010年和2013年前将电器待机功耗分别降至1W和0
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意法半导体 MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化，同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管，并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。
新产品瞄准计算机服务器及工业自动化市场。服务器要求更高的辅助开关式电源输出功率，同时电源稳健性是最大限度减少断电停机时间的关键要素，电焊、工厂自
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意法半导体 MOSFET
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品提供了更高的开关速率和更低的开关损耗，从而为电力电子工程师们提供了设计出更小，更快，更酷，更高效的电源解决方案可能。
新的900V SiC MOSFET系列产品极大的扩大了产品应用空间，能够更好的应对不断发展变化的应用领域，更高的直流母线电压可以覆盖
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Wolfspeed MOSFET
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世强代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。
SiC与Si性能对比
简单来说，SiC主要在以下3个方面具有明显的优势为:击穿电压强度高(10倍于S
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SiC MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关，能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。
在局域网路由器及中跨设备等供电设备内，100V N通道MOSFET把电源接到五类或六类网线。然后网线就会借由消除供终端设备内的电源降低成本，并提供电力和数据。该器件还保障了终端用户，因为以太网
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Diodes MOSFET
功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容(RC)缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。
图1： 四种基本的功率开关电路
有多种不同的拓扑用于功率转换器、
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功率开关 MOSFET
简介：不断的思考，不断的理解，不断的总结!希望大家坚持下去!
1、CS单管放大电路
共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知，MOSFET的静态工作点具有较宽的动态范围，主要表现为MOS管在饱和区的VDS具有较宽的取值范围，小信号放大时输入的最小电压为VIN-VTH，最大值约为VDD，假设其在饱和区可以完全表现线性特性，并且实现信号的最大限度放大【理想条件下】
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CMOS MOSFET
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
关键词：MOSFET 损耗分析 EMI 金升阳R3
一、引言
MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗
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MOSFET EMI
关注高能效电源转换的高压集成电路业界领导者Power Integrations公司今日发布InnoSwitch™-EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink™技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET™ F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。
STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能，还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure)，实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量，并取得
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意法半导体 MOSFET
DIY工具，比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此，其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列，推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动，节省空间和降低成本。此外，StrongIRFET™十分坚固耐用，帮助延长电子产品的使用寿命。
经过实验证明StrongIRFET系列器件能够最大限度提高电动工具的能效。这次逻辑电
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英飞凌 MOSFET
e络盟日前宣布新增多款来自全球半导体和分立器件领先供应商威世2015 Super 12系列的创新型无源元件和半导体产品，其中包括电容、电阻及MOSFET，适用于医疗、消费电子、可替代能源、工业、电信、计算及汽车电子等各种应用领域。
e络盟大中华区区域销售总监朱伟弟表示：“e络盟拥有来自全球领先供应商的丰富产品系列，可充分满足广大用户对最新技术的需求，帮助他们进行产品开发与制造。此次新增的几款威世Super 12系列创新型产品均为全球最佳产品。用户可通过e络盟升级版网站，更加快捷地查看
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e络盟 MOSFET
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 推出了其行业领先的中压MOSFET产品，采用了8x8 Dual Cool封装。这款新型Dual Cool 88 MOSFET为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品，在尺寸缩减了一半的同时，提供了更高功率密度和更佳效率，且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。
Castle Creations, Inc首席执行官Patrick Castillo说：“在我们为每一位
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Fairchild MOSFET
SiC-MOSFET技术新突破。罗姆半导体(ROHM)近日研发出采用沟槽(Trench)结构的SiC-MOSFET，并已建立完整量产机制。新推出的沟槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%导通电阻，大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业用变流器等设备的功率损耗。
罗姆半导体功率元件制造部部长伊野和英(左2)表示，新发布的沟槽式SiC-MOSFET采用该公司独有的双沟槽结构专利，目前已开始量产。
罗姆半导体应用设计支援部课长苏建荣表示，相对于Si-IGBT，SiC
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ROHM SiC-MOSFET
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