- 开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新。目前，开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。
根据中国电源学会收集整理的数据，2008年全国开关电源(主要包含消费类开关电源、工业类开关电源、通信电源、PC电源，下同)产值达到855亿元，2009年达931亿元，
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开关电源 MOSFET
- 1.前言
变频器在能源节约、电力环保方面意义重大，电动机驱动是电能消耗大户，约消耗全国65%发电量，近三十多年来变频调速已在钢铁、冶金、石油、化工、电力等工作中得到广泛运用，其他家用电器例如变频冰箱，变频洗衣机、变频微波炉等也已相继出现，因此设计可靠高性能的变频器电源尤为重要。
变频技术目前得到了广泛的应用，而变频器的可靠稳定运行决定了变频器性能指标，作为基础硬件，变频器电源的高效可靠运行至关重要。如图1所示为变频器的拓扑结构，主要由整流单元、预充电电路、制动单元和逆变单元组成，从图中可知，变频器电源
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AN8026 MOSFET
- 随着城市快节奏的发展，大多数人拥有自己的车，这也使得交通变得拥堵，而汽车在高峰期的走走停停会耗掉很多的能源，不仅浪费还污染环境。故而引进了汽车系统中的“启停”功能，但是这种系统也给汽车电子带来了一些独特的工程技术挑战，汽车启停系统中电源设计是一大难题。本文就为大家介绍一种用于汽车启停的低耗能电源设计。
为了控制燃油消耗，许多汽车制造商在下一代汽车中实现了“启停”功能，而且为数众多的这种汽车已经开始上路。这些系统会在汽车停下来时关闭发动机，当脚从刹车踏板移动
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P-FET MOSFET
- 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低频应用性能的超低导通电阻 (RDS(on))、极高的电流承载能力、软体二极管，以及有助于提高噪声免疫力的3V典型临界
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IR StrongIRFET MOSFET
- Allegro MicroSystems, LLC 公司宣布推出针对多输出系统的新型双转换器。Allegro’经 AEC-Q100 标准认证的 A8651 是双 2 A 低 VIN 同步稳压器，带可调频率，整合了高端 P 通道 MOSFET 和低端 N 通道 MOSFET。A8651 整合电流模式控制，可
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Allegro 双转换器 MOSFET
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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供电处理器 凌力尔特 MOSFET 均流控制器 二极管
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副边 MOSFET 驱动器 LT8311，该器件在隔离式同步正向转换器中无需原边控制就可工作。LT8311 采用独特的预测模式，通过在副边检测信号以控制同步整流，无需信号变压器实现原边至副边通信。这种模式减少了组件数量和解决方案尺寸。 LT8311 在 3.7V 至 30V
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凌力尔 MOSFET LT8311
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器
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TI TO-220 MOSFET NexFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出能接受 76V 输入的高效率降压型转换器 LTC3637，该器件可提供高达 1A 的连续输出电流。它在 4V 至 76V 的输入电压范围内工作，非常适用于电信、工业、航空电子和汽车应用。LTC3637 运用可编程峰值电流模式设计，在很宽的输出电流范围内优化效率。该器件提供高达&nbs
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Linear LTC3637 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。 除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD，进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET，这些器件更加可靠耐用，具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗，有助于实现最可靠的系统，特别是在硬开关应用中，如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。 提高可靠性，同时节省成本 OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
- 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副边同步整流器驱动器 LT8309，该器件采用 MOSFET 取代了输出二极管，无需使用散热器就可允许高达 10A 的输出电流。
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凌力尔特 LT8309 MOSFET
- 电子技术发展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成为很多公司对外宣传的杀手锏，那么在这个速食的时代，下一代晶体管技术又将何去何从呢？
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MOSFET 晶体管
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