- 虽然所有领先指标都显示2013年下半年将恢复季节性增长，但包括半导体在内的电子元件产业目前订单情况逊于当前市场复苏阶段的预期水平。据IHS公司的元件价格走势追踪服务，这种需求缺口可能限制今年电子元件市场的增长幅度。
2013年商品类芯片的总体前景仍然坚挺，预计半导体营业收入增长4.8%，尽管该市场的各个领域不会同样强劲。
在假日季节之前的这个时期，MOSFET、电容与逻辑器件的订单活动没有呈现出通常的水平。这个阶段通常出现交货期延长和价格上涨现象，而目前尚未看到这些情况。同时，消费电子、汽
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电子元件 MOSFET
- 欢迎来到电源设计小贴士！随着现在对更高效、更低成本电源解决方案需求的强调，我们创建了该专栏，就各种电源管理...
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工作频率 MOSFET Pcon
- 飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。
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飞兆 MOSFET LED
- 安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件，用于智能手机及平板电脑应用，作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分。EFC6601R和EFC6602R帮助设计人员减小方案尺寸、提升能效及将电池使用时间延至最长。
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安森美 MOSFET 锂离子电池
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
- 什么是功率MOSFET？我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信...
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功率 MOSFET 基础知识
- 一、引言电力电子设备正朝着高频、高效、高可靠、高功率因数和低成本的方向发展，功率器件则要求高速、...
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IGBT MOSFET
- 日前，集设计，研发一体的著名功率半导体及芯片供应商万国半导体(AOS, 纳斯达克代码: AOSL)发布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。该器件作为AOS AlphaMOS™ (MOS™)中压系列旗舰产品，为众多设备追求极致效率提供了解决方案。
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AOS AON6250 MOSFET
- 高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题。 同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂。
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飞兆 FDMQ86530L MOSFET
- 我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管...
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MOSFET 三极管
- 本应用笔记提供了一个低功耗投影仪RGBLED驱动器的参考设计。基于单芯片MAX16821构建大电流LED驱动器，能够为...
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MOSFET 降压转换器 RGB LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。
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Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP
- 针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器,引言对电能转换而言，可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中，开关型功率转换器通常为非隔离式，功率水平相当低(200 W)，并且常常会把电
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IGBT MOSFET 栅极驱动器
- 在绿色能源和节能计划的带动下，加之出口回升，预计今年中国市场的功率MOSFET出货量继2011年大幅下滑之后反弹。这暗示中国以及其它主要全球经济体的形势好转。功率MOSFET广泛用于多种电子产品与系统之中。
据IHS公司的中国研究专题报告，今年中国功率MOSFET产业的营业收入预计为22.5亿美元，比2012年的21.8亿美元增长3%。去年该市场比2011年的23.7亿美元下降8%。
明年增长将更加强劲，预计营业收入上升11%，随后每年将保持稳定增长，至少保持到2017年。到2017年，预
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消费电子 MOSFET
- 常用功率器件MOSFET的基础知识介绍,我们都懂得如何利用二极管来实现开关，但是，我们只能对其进行开关操作，而不能逐渐控制信号流。此外，二极管作为开关取决于信号流的方向;我们不能对其编程以通过或屏蔽一个
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MOSFET 功率器件
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