b触点型“PhotoMOS”的开发随着PhotoMOSMOSFET输出光电耦合器的优势被广泛了解，人们将其用于信息通信...
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MOSFET 光电耦合器
汽车可靠性和AEC资格认证汽车可能是我们每个人拥有的最可靠的设备之一。这可能听起来有失偏颇，并且如果您的...
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汽车电子 IR MOSFET
双栅极SET 与MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振荡特性和MOSFET 的阈值电压特性可构成双栅极SET/MOSFET ...
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双栅极 SET MOSFET
CMOS器件的等比例缩小发展趋势，导致了栅等效氧化层厚度、栅长度和栅面积都急剧减小。栅氧化层越薄，栅漏电流越 ...
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MOSFET 栅漏电流 噪声分析
高级半导体解决方案的领军厂商瑞萨电子株式会社(TSE：6723，以下简称“瑞萨”)，于日前发布了最新的用于个人计算机CPU、服务器和储存系统的供电稳压器 (VR) 芯片集诞生。它包括行业首个集成微控制器(MCU)数字接口的VR控制器R2A30521NP和带集成电流检测电路的智能脉宽调制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
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瑞萨 MCU MOSFET
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容，推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET，用于空间受限的便携消费电子产品，如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。
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安森美 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。
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Vishay MOSFET
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码：ISIL)日前宣布，推出面向电源和电机驱动应用的业内领先“HIP”系列MOSFET桥式驱动器新品---HIP212x系列。该100V、2A高频半桥驱动器产品家族提供最短的上升/下降时间，可调节死区时间控制和灵活的控制输出。
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Intersil MOSFET 驱动器
摘要： 对具有驱动变压器的功率MOSFET管驱动电路的动态过程进行了分析，推导了驱动变压器设计参数（绕组电流有效值，变压器功率）的计算方法，定量分析了变压器漏感和电路杂散电感对开通过程的影响，并通过仿真和试
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MOSFET 驱动 变压器设计
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封装、高度0.8mm的单片30V器件---Si5429DU，扩充其TrenchFET® Gen III系列P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司(纳斯达克全球交易代码：ISIL)日前宣布，<0}推出以最小功率耗散提供电源冗余和保护的坚固、紧凑型ORing FET控制器。
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Intersil MOSFET ISL6146
在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和 FET 电阻比有关。进行这种折中处理可得到一个用于 FET 选择的非常有用的起始点。通常，作为设计过程的一个组
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MOSFET 同步降压 电阻比
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码：NXPI)近日发布了LFPAK56D产品组合——多款双通道Power-SO8 MOSFET，专为燃油喷射、ABS和稳定性控制等汽车应用而设计。恩智浦LFPAK56D系列产品完全符合AEC-Q101标准，具有一流的性能和可靠性;同时，与通常需要使用两个器件的DPAK解决方案相比，节省了77%的占位面积。
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恩智浦 LFPAK56D MOSFET
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶体管，助力技术型企业满足日益严格的生态设计标准对功率和能效的要求，瞄准太阳能微逆变器、光伏模块串逆变器和电动汽车等绿色能源应用。
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意法 晶体管 MOSFET LED
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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MOSFET
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