- 中心议题： 计算大功率电源中MOSFET的功率耗散解决方案： 重新设定输入电压范围 改变开关频率
也许便携式电源设计工程师所面临的最大挑战在于向现代高性能CPU供电。最近，CPU供电电流每两年翻一倍。事实上
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功率 耗散 MOSFET 电源 大功率 计算
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5V至25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常
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Diodes MOSFET 控制器
- Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
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Diodes MOSFET ZXGD3104N8
- 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔离式电源效率与可靠性的新一代双通道输出栅极驱动器，进一步壮大其 MOSFET 驱动器产品阵营。
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TI MOSFET UCC27210
- 中心议题： 二极管的泄漏电流的测量 MOSFET的亚阈区电流的测量解决方案： 采用源-测量单元测量二极管的泄漏电流 采用两台SMU来测量MOSFET的亚阀区电流
测试半导体器件和晶圆片（Wafer）常常要涉及到测量
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电流 测量 MOSFET 二极管 泄漏
- Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET
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Diodes MOSFET
- UCC27321高速驱动MOSFET芯片的应用设计,1 引言
随着电力电子技术的发展，各种新型的驱动芯片层出不穷，为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路，外围电路大大减少，使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁，.性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321
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应用 设计 芯片 MOSFET 高速 驱动 UCC27321
- 在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UCD
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MOSFET 驱动器 数字控制电源 设计方案
- 碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。
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科锐 SiC MOSFET
- Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。
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Diodes MOSFET DMP1245UFCL
- 传统的离线开关模式功率转换器会产生带高谐波含量的非正弦输入电流。这会给电源线、断路开关和电力设施带来...
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PFC MOSFET PWM
- 中心议题： 同步整流基础知识 优化同步整流MOSFET解决方案： 确定优化MOSFET的负载电流 借助四象限SR器件优化表选择MOSFET
1. 引言
电源转换器的封装密度日益提高和节能标准越来越严格，
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MOSFET 最优化 选择 整流 同步
- 摘要：新推出的全桥移相控制器LM5046，全桥变换器的全部功能，LM5046组成的全桥DC／DC基本电路，内部等效电路。而其具备28个PIN脚功能，文中一一有分解说明。
关键词：全桥移相控制器LM5046；28个PIN脚功能 (上接第
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控制器 -LM5046 全桥移 驱动器 MOSFET 集成
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