使用功率MOSFET的汽车应用要求栅极驱动器具备高峰值驱动电流和低输出阻抗。来自飞兆半导体的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽车合格栅极驱动器(纽约证券交易所代码: FCS)为电源和其他高效MOSFET开关应用带来了灵活性,可提供大量功能和性能组合选择以创建紧凑、高效和可靠的设计。
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飞兆 驱动器 MOSFET
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布,该公司已经为智能手机和平板电脑等移动设备的高电流充电电路的开关推出了超紧凑型MOSFET,包括两种电池。
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东芝 MOSFET 智能手机 移动设备
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。
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东芝 MOSFET TK9J90E
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布通过“MOSFET”扩充移动设备锂离子电池和电源管理开关专用保护电路中使用的低压N通道MOSFET的阵容。TPN2R203NC采用第八代工艺打造,实现了低导通电阻,可减少设备的传导损失。
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东芝 MOSFET 锂离子电池
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布为其用于基站和服务器的通用直流-直流转换器功率MOSFET阵容增加60V电压产品。这些产品使用最新的第八代低电压沟槽结构,并实现了顶尖[1]低导通电阻和高速开关性能。即日开始批量生产。
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东芝 MOSFET
东京—东芝公司(TOKYO:6502)日前宣布为专用于基站和服务器的通用DC-DC转换器推出30V电压功率MOSFET系列。这些产品采用了最新的第八代低压沟槽结构,实现了最高级别的低导通电阻和高速转换。该系列产品计划于6月底投入量产。
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东芝 MOSFET 电阻
摘要:由于铜丝键合可以替代金键合,价格又便宜,正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品,但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(FA)技术。
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铜丝键合 MOSFET 金键合 失效分析 金属层 201308
电机控制系统设计人员需要能够在严苛的应用条件下,提高效率同时确保最高可靠性的解决方案。为此,飞兆半导体开发了SPM® 5 智能功率模块系列三相 MOSFET 逆变器解决方案,为设计人员提供交流感应电机 (ACIM) 和无刷直流电机逆变器解决方案,适用于功率最高为 200 W 的电机,包括风扇电机、洗碗机和各种小型工业电机。
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飞兆 MOSFET SPM
用肖特基二极管实现多电源系统有多种方式。例如,µTCA 网络及存储服务器等高可用性电子系统都在其冗余电源系统中采用了肖特基二极管“或”电路。二极管“或”电路还用于采用备用电源的系统,例如 AC 交流适配器和备份电池馈送。
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凌力尔特 肖特基二极管 MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
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