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Vishay发布宽体IGBT和MOSFET驱动器

  •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备,以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T,扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离,还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压,非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。  除了具有优异的隔离能力,使用可靠和久经考验的光电子
  • 关键字: Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  
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