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coolsic mosfet 文章 进入coolsic mosfet技术社区

Diodes公司推出微型车用 MOSFET，可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的 MOSFET，采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域，可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中，提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字： MOSFET  汽车  

针对高耐用性和可靠性电源需求，意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国，2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器，集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET，使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压，无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件，即可实现类似的电压处理能力，可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能，MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器，VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑，包括原边或副
  • 关键字： 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模，技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体，以耐高压、高温和高频，在高性能功率半导体上显出优势。在应用中，在光伏和服务器市场最大，正处于发展中的市场是xEV（电动与混动汽车）。随着SiC产品特性越做越好，在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过，制约SiC发展的，最主要的是价格，主要原因有两个，一个是衬底，一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大，成本也会相应地下降，ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面，众厂商竞争
  • 关键字： SiC  MOSFET  

华为强力扫货　手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧，华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货，熟悉功率元件业者透露，除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外，疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字： 华为  MOSFET  中美贸易战  

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德国 慕尼黑）　　摘要：通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。　　关键词：IGBT; MOSFET; 栅极驱动器；耐受性；隔离    &nb
  • 关键字： 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G、S两级之间，有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字： MOS  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型， 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  • 　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型，该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2)，而且产品阵容丰富，拥有13个机型。　　ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产，在SiC功率元器件领域，ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场，ROHM也及时确立车载品质，并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字： ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，补足成长的生态系统，并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  • 　　2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。　　这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统，包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件，以及
  • 关键字： 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  • 　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时，提高设计灵活度，非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日，该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。　　此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术，实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字： ROHM  MOSFET   

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  • 　　Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管，采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm)，可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供更高的功率密度设计。　
  • 关键字： Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  • 　　2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。　　在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字： Vishay  MOSFET  

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

  • 　　世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链，包括：电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用，形成了较为完整的产业链体系，正在大力进行垂直整合，全面推进从产业源头到末端的全链贯通。　　主要应用　　w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组　　w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天　　SiC MOSFET系列　　产品覆盖额定电压650-1200V，额定电流30-92A，可满足多
  • 关键字： 新能源汽车  MOSFET  

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字： 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器，可最大程度提高效率及安全性

  • 　　深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器，可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压，来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。　　SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字： Power Integrations  SiC-MOSFET  

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

  • 　　专注于引入新品的全球半导体与电子元器件授权分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计，可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。　　贸泽电子供应的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，从而增加功率密度。该系列
  • 关键字： 贸泽  STMicroelectronics  MOSFET  
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