日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n沟道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采
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MOSFET FOM
可穿戴设备广泛用于娱乐、运动和医疗健康等领域，作为把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着或配件的设备，可支持手势和眼动操作等多种交互方式。作为消费电子业面临的又一个新发展机遇，可穿戴设备经历了前些年从概念火爆到实际产品大量普及的过程之后，行业前景一直稳步成长。据统计，2019年全球可穿戴技术产品市场的规模超过了500亿美元，是2014年的2倍以上，可以说可穿戴设备已成为过去5年来消费电子领域最成功的市场之一。1 市场需求持续爆发虽然2020年全球经历了严重的新冠疫情影响，部
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MOSFET VR MR CGM IDC 202009
1 无线基站罗姆（ROHM）针对无线基站推出了多款解决方案，包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等，有助于降低功耗。 SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性，即使在高温环境下也能显示出色的电器特性，有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品。其中，第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款产品，特点是导通
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耐高压 MOSFET DC/DC 202009
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日确立了一项VCSEL*1模块技术，该技术通过提高VCSEL的输出功率，进一步提高了空间识别和测距系统（TOF系统*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作为光源的VCSEL产品和用来驱动光源的MOSFET产品在电路板上是独立贴装的。在这种情况下，产品之间的布线长度（寄生电感*3）无意中会影响光源的驱动时间和输出功率，这就对实现高精度感应所需的短脉冲大功率光源带来了局限性。ROHM此项新技术的确立，将新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1个模块
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MOSFET VCSEL TOF AGV
一、芯片介绍继推出5W和20W的开关电源控制IC后，为满足客户对更多功率段的需求，金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM 调频技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，稳定性和平均效率非常高。由于集成高压启动，可以省去外围的启动电阻，实现低损耗可靠启动。同时，该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能，输出功率最大可达8W。二、产品应用可广泛应用于AC
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MOSFET PSR IC RFM
罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应
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MOSFET 碳化硅 UPS
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团 近日宣布推出一款48V电动车应用成功产品组合解决方案，可帮助用户加快电动滑板车、电动自行车、混合动力汽车、UPS和储能系统的开发。该参考设计在硬件和软件中均采用模块化方法以展示核心及可选功能块，可用于多种24V-48V应用，如割草机、手推车、机器人清洁器、电动工具、移动电源等。该成功产品组合使用了15个瑞萨IC产品，包括三个关键器件：ISL94216 16芯电池前端（BFE）、强健的HIP2211 100V MOSFET驱动器以及用于电机控制的RX23T 32位
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MOSFET PWM BLDC MCU
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET--- SiRA99DP ，10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代 SiRA99DP 导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43
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MOSFET
电动汽车(EV)将获得越来越多的市场份额，最终取代内燃机汽车。直流快速充电站将取代或整合加油站。太阳能、风能等可再生能源将为它们提供动力。人们将希望能在不到15分钟的时间内为电动汽车充满电，他们不愿排队等候唯一的充电桩。
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MOSFET PWM BMS
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，与MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于东芝电机驱动IC的Click boards™开发评估板。Mikroe是一家设计和制造用于嵌入式系统开发的软硬件工具的公司。客户现在可通过由Mikroe制造和销售的评估板Click boards™对东芝电机驱动IC进行评估。东芝高度集成的电机驱动IC拥有四十多年的历史，因得到电机控制系统的普遍采用而在业界广受推崇。为控制多种应用中的直流有刷电机、直流无刷电机和步进电机，东芝提供丰富的电机驱动
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NVM IC MOSFET
美国国家航空航天局(NASA) 喷气推进实验室于7月30日将毅力号 (Perseverance) 探测车送上了太空，展开火星探测之旅。这辆探测车预计将于 2021 年 2 月在火星着陆。英飞凌科技股份公司 旗下的企业IR HiRel，为该探测车提供了数千个经过抗辐射强化 (Rad Hard) 的关键组件。这是该公司电力电子组件第五次登上 NASA 的火星探测车。IR HiRel曾相继为 1997 年的索杰纳号 (Sojourner)、 2004 年的机遇号 (Opportunity) 和勇气号 (Spir
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MOSFET IC NASA IR
严苛的汽车和工业环境中的噪声敏感型应用需要适用于狭小空间的低噪声、高效率降压稳压器。通常会选择内置MOSFET功率开关的单片式降压稳压器，与传统控制器IC和外部MOSFET相比，这种整体解决方案的尺寸相对较小。可在高频率（远高于AM频段的2 MHz范围内）下工作的单片式稳压器也有助于减小外部元件的尺寸。此外，如果稳压器的最小导通时间(TON)较低，则无需中间稳压，可直接在较高的电压轨上工作，从而节约空间并降低复杂性。减少最小导通时间需要快速开关边沿和最小死区时间控制，以有效减少开关损耗并支持高开关频率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型拓扑。GaN具有低寄生电容（Ciss、Coss、Crss）和无第三象限反向恢复的特点。这些特性可实现诸如图腾柱无桥功率因数控制器（PFC）等较高频率的硬开关拓扑。由于它们的高开关损耗，MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）实现此类拓扑。本文中，我们将重点介绍直接驱动GaN晶体管的优点，包括更低的开关损耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
本文介绍了传统PFC电路MOS管在应用过程中产生振荡的机理，通过具体的案例详细分析了因MOS振荡引起损坏的原因，并结合实际应用给出具体的解决措施和方案，通过实验及大批量的生产验证表明，措施有效，稳定且可靠，对PFC电路MOS管应用电路及参数匹配具有重要的借鉴和参考意义。
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202008 PFC电路 MOS管 振荡 MOSFET 202008
本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，更低输出电容转折点电压，降低开关损耗，同时产生非常大的du/dt和di/dt，对系统EMI产生影响。
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202008 功率 MOSFET 超结结构 输出电容 横向电场
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