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TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ，优值系数为 854 mΩ*nC，封装面积10.89 mm²

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n沟道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时，经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET开关应用重要优值系数（FOM）为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度，占位面积比采
  • 关键字： MOSFET  FOM  

耦合电感技术的优势

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