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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
- 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验，仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并
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罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会
- 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
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了解热阻在系统层级的影响
- 在电阻方面，电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻，可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中，半导体接面是产生热的来源，允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施，以避免发生过热关机等情况，但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案，就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度，透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
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碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战
- 1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年，我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色，ST的碳化硅研发是如何取得成功的，以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出，到2030年， 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场，例如，太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此，了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的，对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅：半导体行业如何克服技术
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Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器，可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半
- TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器，有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计，并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器，构成完备的电机驱动方案；与同类产品相比元件数量减半，且电源效率提高30%，大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
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简易直流电子负载的设计与实现*
- 随着电力电子技术的飞速发展，传统负载测试电源性能的方法在高科技产品的生产中逐渐暴露出许多的不足之处。为了解决采用传统负载测试方法存在功耗较大、效率与调节精度低、体积大等问题，设计并制作一款适合随频率、时间变化而发生改变的被测电源的简洁、实用、方便的直流电子负载。系统主要由STC12C5A60S2单片机主控、增强型N沟道场效应管IRF3205功率管、矩阵按键、D/A和A/D电路等部分组成。实现了在一定电压与电流范围内恒压恒流任意可调，并通过LCD12864液晶显示屏显示被测电源的电压值、电流值及相应的设定值
- 关键字： STC12C5A60S2单片机 恒流恒压 IRF3205 负载调整率 202105 MOSFET
瑞能半导体举行CEO媒体沟通会
- 近日，瑞能半导体CEO Markus Mosen（以下简称Markus）的媒体沟通会在上海静安洲际酒店举行，瑞能半导体全球市场总监Brian Xie同时出席本次媒体沟通会。沟通会上首先回顾了瑞能半导体自2015年从恩智浦分离出后，从全新的品牌晋升为如今的知名国际品牌的过程中，在六年内保持的相当规模的成长，并取得的骄人成绩；结合瑞能半导体近期推出的第六代碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多种系列产品，明确了在碳化硅器件行业内的领先地位；在分享后续发展策略的同时，强调了瑞能半导体未来
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