- 半导体及微电子市场高新技术创新公司Brewer Science宣布公司在美国获得了一项新专利，该专利是关于一种新型光感化合物，在MEMS器件的制造过程中可用作保护层。
- 关键字：
传感 MEMS
- 介绍Cypress公司的图像传感器IBIS5-B-1300，分析其特性和工作原理，并对其两种快门方式进行了比较。在此基础上设计它所需要的时序控制电路。选用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作为硬件设计平台，对采用不同配置和快门的时序控制电路进行了仿真。实验结果表明，设计的驱动电路能够满足成像器的工作需求。
- 关键字：
时序 设计 驱动 IBIS5-B-1300 图像 传感器 CMOS 数字信号
- 当前许多便携式电子设备正处于音频变革的前锋。虽然近年来设计师一直致力于开发一些令人激动的新功能，如无线互联网访问和移动电视接收，但音频功能的发展始终落在后头。Analog Devices, Inc.，全球领先的超高性能音频信号处理技术提供商，最新推出两款 MEMS 麦克风，用于向便携式电子产品提供先进的音频功能。这些功能包括高保真音频/视频回放、免提通信、内置风噪抑制功能的语音识别以及符合 TIA-920 标准的 VoIP。
新推出的 ADMP 404 和 ADMP405 iMEMS(R) 麦克
- 关键字：
ADI MEMS 麦克风
- 日本DRAM大厂尔必达今天宣布，已经成功开发出4Gbit容量DDR3内存颗粒。这是目前市场上DDR3颗粒的最大容量，只需单面8颗即可组成 4GB容量内存条，双面16颗即可构成单条8GB内存。该颗粒使用40nm CMOS工艺制造，相比同工艺的2Gb颗粒可节能30%。支持x4、x8、x16 bit位宽，其中x4/x8位宽版本采用78-ball FBGA封装，x16bit产品采用96-ball FBGA封装。除DDR3标准的1.5V电压外，还可支持1.35V低压标准。
尔必达计划将该颗粒使用在单条32
- 关键字：
尔必达 40nm CMOS DDR3
- 低成本CMOS图像传感器对医学技术的推动作用, 医学技术一直是CCD(电荷耦合设备)图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很
- 关键字：
CMOS 图像传感器 动作
- 象过去多年来一样, 在今年的会上台积电也爆出让人感到惊奇的新工艺技术。它的新工艺路线图, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等领域。以下是在一天的会中对于会议的观察及感受;
1,Morris张去年79岁高令重新执掌台积电, 那时正值全球IC业混乱时代, 它又重新扬帆启航。但是在此次会上见到张时仍是如1990年首次见到它时那样精力充沛而健谈。更重要的是在公司经历40nm的风波后,它似乎为客户重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取积极的投资, 研发与招工策略, 张认为至今年底公司将从今日的2
- 关键字：
台积电 CMOS Analog MEMS RF
- 韩国三星电子宣布提高CMOS传感器灵敏度的背面照射技术达到了实用化水平，2010年将批量生产产品。至此，三家大型...
- 关键字：
CMOS 传感器
- 台积电总裁张忠谋认为,虽然近期IC业的形势越来越好, 但是产业还是面临诸多挑战。
在近期举行的台积电技术会上张忠谋表示,摩尔定律正在减缓和芯片制造成本越来越高，因此台积电将比过去在芯片制造商与代工之间更加加强紧密合作。
它对于大家说,此种合作关系要从芯片设计开始, 并相信未来台积电会做得更好。
它同时指出，加强合作要依技术为先。从技术层面, 那些老的，包括新的代工竞争者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,对于台积电都能构成大的威胁。
非常幸运, 大部分
- 关键字：
台积电 20nm CMOS
- 提出了减小输入电容的轨到轨电压缓冲器。轨到轨操作不仅在电路的输出端，同样在电路的输入端实现。所介绍电路的AB特性导致了低功耗和高的转换速率，使它很适合驱动大的电容负载。仿真结果已经提供了该电路的操作。
- 关键字：
CMOS 低功耗 转换速率 模拟
- 摘 要： 基于0.18 μm CMOS工艺，采用共源共栅源极负反馈结构，设计了一种3 GHz低噪声放大器电路。从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能，提出了相应的优化设计方法。仿真结果表明，该放大器具有良好的性能
- 关键字：
3GHz CMOS 低噪声放大器 优化设计
- 这个电路是使用，CMOS集成电路CD4013双D正反器，分别接成一个单稳态电路和一个双稳态电路。单稳态电路的作用是对触摸信号进行脉波宽度整形，保证每次触摸动作都可靠。双稳态电路用来驱动晶体管Q1的开通或关闭，进而控
- 关键字：
开关 触摸 CD4013 集成 CMOS
- 鉴于MEMS工艺源自光刻微电子工艺，所以人们很自然会考虑用IC设计工具来创建MEMS器件的掩膜。然而，IC设计与MEMS设计之间存在着根本的区别，从版图特性、验证或仿真类型，到最重要的构造问题。 尽管针对MEMS设计
- 关键字：
MEMS 设计方法
- 摘要：分析了一种射频COMS共源-共栅低噪声放大器的设计电路，采用TSMC 90nm低功耗工艺实现。仿真结果表明：在5．6GHz工作频率，电压增益约为18．5dB；噪声系数为1．78dB；增益1dB压缩点为-21．72dBm；输入参考三阶交
- 关键字：
CMOS 5.6 GHz 低噪声
- 中心议题：
车用安全应用检测技术
解决方案：
无线感测技术 提供个人化服务
MEMS Sensor敏感称王扮车体安全关键角色
影像感测加红外线 开车停车无顾虑
安全为车辆发展之母，感测技术则是牢牢把关新一代车辆安全的优等生。自汽车发明以来，陆上交通事故有增无减，虽然汽车工业被喻为封闭且较为传统的产业，各家汽车大厂长久以来莫不朝向安全、舒适的方向努力不辍。电子产业厂商也明白这个趋势，针对车用安全等相关应用，提出许多感测技
- 关键字：
汽车电子 MEMS
- 概述：以CMOS探测器为记录介质的数字化射线检测技术，检测精度高、温度适应性好、结构适应性强。CMOS射线扫描探测器探测单元排成线阵列，需要在检测时进行相对扫描运动，逐线采集并拼成完整的透照投影图像。介绍了检
- 关键字：
设计 应用 检测 射线 探测器 CMOS
cmos-mems介绍
您好，目前还没有人创建词条cmos-mems!
欢迎您创建该词条，阐述对cmos-mems的理解，并与今后在此搜索cmos-mems的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
