- GlobalFoundries位于德国Dresden的Fab 1正在启动22nm CMOS工艺的开发，并计划将该工艺投入量产。目前还不知道该工艺和32nm及28nm工艺所采用的gate-first高k金属栅CMOS工艺有何差别。
此前，Fab 1被认为将作为45/40nm和32/28nm的主要生产工厂，而正在美国纽约州兴建的Fab 8才作为22nm及以下工艺的生产地。
“22nm制程已在Fab 1开动，Fab 1将试产22nm，并投入部分量产。”Fab 1总经理Ud
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GlobalFoundries 22nm CMOS
- 飞思卡尔半导体推出最新的动作传感技术，以提升移动消费电子产品的使用体验。MMA8450Q 加速计是高精确度、高功效的解决方案。它能够延长小型移动设备的电池使用时间，并通过高灵敏度的动作和方向检测功能捕捉精确的动作。
MMA8450Q 加速计是针对下一代移动设备，如智能手机和智能本设计的，这要求性能、便携性和电池寿命进行理想组合才能满足市场需求。这款三轴数字传感器在飞思卡尔的智能本平板参考设计中发挥着关键作用。该参考设计已在上个月的2010国际消费电子展 (CES) 上首次亮相。
该器件提供
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飞思卡尔 MEMS 动作传感 MMA8450Q
- 金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应
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原理 设计 传感器 图像 CMOS 新型
- 摘要: 设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路。电路中采用3对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像，增大了低电压下电荷泵的输出电阻，实现了上下两个电荷泵的匹配。为消除单端电荷泵存在的电荷共享问题
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设计 电荷 CMOS 高性能
- 引言
现在，有越来越多的人愿意参加体育运动，在健身车或跑步机上锻炼身体。然而，与此同时，却有许多孩子浪费大量时间在电视游戏上而把锻炼身体抛之脑后。缺乏锻炼、过多的游戏时间不仅仅使孩子们的体重增加，而且紧张刺激的游戏可能会诱发那些对光敏感而身体失调的孩子出现突发性痉挛(癫痫)。
癫痫可能由光刺激(闪烁)或空间上周期性发生的光栅引起[1]。这些光刺激被发现存在于多人在线角色扮演类游戏、掌上游戏、电视游戏和一些特殊的游戏控制台中[2]。意识到这些潜在的危险后，为了保护这些特殊个体，国际组织，包括
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飞思卡尔 控制器 ZigBee MEMS 201003
- 据iSuppli公司，日本任天堂在2009年超越韩国的三星，成为用于消费电子产品和手机的微机电系统(MEMS)的全球最大买家。
虽然消费者在电子产品上面的支出大幅缩减，但2009年用于消费电子产品和手机的MEMS市场仍然增长了7.6%，从2008年的11.0亿美元上升到11.9亿美元，这是相当不错的增长。考虑到2009年销售额的增长，2008-2013年MEMS的复合年增长率现在是18.4%。据此估计，该领域的营业收入到2013年有望突破25亿美元，是2008年11亿美元的两倍多。
尽管任
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消费电子 MEMS 手机
- 大联大集团于3月IIC期间推出系列研讨会，大联大旗下凯悌集团于3月5日在深圳IIC展馆推出『SiTime 产品及Active-semi 产品介绍』，本场研讨会将为您介绍SiTime全硅 MEMS时脉方案及Active-Semi系列照明方案。
【SiTime 全硅 MEMS时脉方案】
大联大旗下凯悌集团所代理的SiTime推出全硅 MEMS时脉方案，具有业界唯一量产，Bosch验证成熟的MEMS频率技术及最小，最薄的封装(<0.30um);高性能可编程MEMS频率产品支持低抖动，高频率
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大联大 MEMS SiTime
- 高端数字成像解决方案的领先开发商 OmniVision Technologies, Inc.(纳斯达克代码： OVTI)，今日宣布其 OV9715 CMOS 图像传感器即将上市。该传感器可用于 360 度视图以及其他独立摄像头或多摄像头汽车视觉系统中。 这款 100 万像素的 OV9715 是一款完全达到 AEC-Q100 标准的 CMOS 图像传感器，专为高级驾驶辅助系统而优化， 现已向多家顶级汽车供应商供货。
“OV9715 是引导领先功能的先锋，它实现了最高端的多摄像头汽车应用
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OmniVision 图像传感器 OV9715 CMOS
- 据中芯国际集成电路制造有限公司资深研发副总季明华撰文披露，2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实 现45纳米和40纳米技术的小批量试产。
在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，中芯国际有两项技术获奖，其一是 “65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”，其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。
据介绍，目前，中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证，并于2009年第三季度
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嵌入式 65纳米 40纳米 CMOS
- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球领先的高性能信号处理解决方案供应商，今天宣布针对中国市场发布全新的低成本、高速 CMOS 运算放大器 ADA489系列。与其它供应商提供的产品相比，ADA4891系列能够帮助设计师以更低的成本和更低的功耗实现同样的高速性能。与此同时，ADI 在高速运算放大器产品领域的行业绝对领导地位以及对于中国市场的长期承诺和投入，也确保了中国客户能够得到业界最好的质量保证和技术支持。针对中国市场的需求，ADI 还将弥
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ADI CMOS 运算放大器 ADA489
- 在2010年2月10日召开的国际固态电子电路大会上，IMEC、株式会社瑞萨科技(以下简称瑞萨)、M4S联手推出了利用40nm低功耗CMOS工艺制造而成、带有RF、基带和数据转换器电路的完整收发器。这款完全可重配置的收发器符合各种无线标准和应用要求，并且符合即将推出的移动宽带3GPP-LTE标准。
可随时随地为用户提供大量服务的无线通信终端发展趋势，推动了利用深亚微米CMOS工艺制造而成的可重配置无线电的发展。就3GPP-LTE标准自身非常灵活的特性而言，可重配置无线电就成为其最经济的实现方式。并
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瑞萨 40nm CMOS 无线收发器
- 爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管，并称此项发明对10nm级别制程意义重大，可大大简化晶体管的制造工艺复杂 程度。这种晶体管采用类似Finfet的结构，将晶体管的栅极制成婚戒型的结构，并在栅极中心制出硅质沟道，沟道的尺寸仅有数十个原子的直径加起来那么大。
该研发团队是由Jean-Pierre Colinge教授领导的，这种晶体管的亚阀值斜率接近理想状态，而且还具备漏电电流小，门限电压低以及耐温性好的优点，而且还可以兼容于CMOS工艺。
硅沟道中的电
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晶体管 CMOS
- MEMS技术最早由Richard Pfeynman(1965年获得诺贝尔物理奖)，在1959年提出设想。1962年硅微型压力传感器问世。
1979年Roylance和Angell开始压阻式微加速计的研制。1991年Cole开始电容式微加速度计的研制。
惯性传感器包括加速度计(或加速度传感计)和角速度传感器(陀螺)以及它们的单、双、三轴组合IMU(惯性测量单元)，AHRS(包括磁传感器的姿态参考系统)。
MEMS加速度计是利用传感质量的惯性力测量的传感器，一般由标准质量块(传感元件)和
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MEMS
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