- 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。 9月26日，第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾(Sanjay Jha)亲临现场，发表主题为「以SOI技术制胜(Winning with SOI)」的演讲，阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展，介绍公司最新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状，并畅想了产业的未来。 关于
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格芯 FD-SOI
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK(22FDX®-rfa)解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK(22FDX®-mmWave)解决方案。 该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，
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格芯 FD-SOI
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器(eMRAM)技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。
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格芯 FD-SOI
- 预计半导体和代工市场将在2016-2020年出现强劲成长，半导体年复合增长率达4.4%，代工业年复合增长率达7.1%，而且中国代工厂的年复合增长率更高，达20%。2017年2月10日，格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工厂奠基典礼之后，向部分国内媒体介绍了格芯对全球半导体市场的看法及其业务扩展计划。
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半导体市场 FD-SOI 22FDX 12FDX 代工 20170203
- 全球代工巨头格罗方德(GF)在成都落子，与成都市政府合资建12英寸生产线，GF占51%，并引入中国半导体业非常有兴趣的22FDX(FD-SOI)技术。
“格芯”之所以引起业界关注有两点：
1)与厦门的”联芯”一样是合资企业，它不同于之前英特尔、海力士、三星及台积电的独资模式;
2)导入SOI技术，目前计划是2018年开始成熟制程量产，以及2019年是22纳米的FD-SOI技术量产。
为什么SOI技术对于中国是个亮点?
在摩尔
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SOI 格芯
- 近日格罗方德12英寸晶圆厂落户中国成都引起业界关注，为何?因为FD-SOI技术。
众所周知，当栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。FinFET与FD-SOI恰是半导体微缩时代续命的高招。
尽管FinFET与FD-SOI师出同门，但是，两者却被“阵营化”，FinFET阵营占据绝对优势。格罗方德是为数不多的FD-SOI技术坚守与推动者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格罗方德12英寸晶圆厂能给出答案。
今天我们就来谈谈Fi
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FinFET FD-SOI
- 中国半导体业发展可能关键不在于方向在那里?而是确定方向之后，如何踏实去干，去解决一个一个难题。任何进步没有捷径，其中骨干企业的责任尤为重要。
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SOI finFET
- 在今年，业界对FD-SOI的讨论终于从理论性的制程技术比较，转移到由产品与应用所决定的技术竞争。
因为没有可见的终端产品能证明其号称超低功耗的特色，全空乏绝缘上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI)制程一直得努力克服半导体产业界许多工程师的质疑，例如：该技术的好处在哪?在商业市场上有实际产品吗?它真正的优势何在?
终于，现在有实际产品可以做为FD-SOI制程的实证──是一只中国智慧型手机品牌业者小米(Xiaomi)副品牌华米(Huami
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智能手表 FD-SOI
- 日前在上海举办的“RF-SOI研讨会”上，SOI产业联盟称，RF-SOI生态系统现已建立完善，并成为天线调谐器与射频开关的主流技术，占据了95%的市场份额，该系统有利于IoT连接和5G的发展，为了更深层地与射频前端器件结合，RF-SOI这种突破型技术还需要更多的创新和突破性的方案。
目前，RF-SOI技术主要应用于智能手机、WiFi等无线通讯领域，具有性能高、成本低等优势。上海新傲科技股份有限公司总经理王庆宇称，国际上3G/4G手机用的射频器件
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RF-SOI 5G
- 格罗方德9月8日发布12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，12FDXTM提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存
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格罗方德 FD-SOI
- 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，
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格罗方德 FD-SOI
- 格罗方德半导体今日宣布一项全新合作伙伴计划FDXcelerator™，该生态系统旨在为客户加速基于22FDX™的片上系统设计，并缩短产品上市时间。
随着公司新一代12FDX™的发布，格罗方德现提供业内首个FD-SOI 路线图，并随之建立了FDXcelerator™合作伙伴计划，为希望实现先进节点设计的客户提供了一条低成本的迁移路径。
通过格罗方德半导体和FDXcelerator合作伙伴解决方案，客户将能打造各类创新的22FDX 片上系统解决方
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格罗方德 FD-SOI
- Samsung Foundry准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快闪记忆体嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
三星晶圆代工业务(Samsung Foundry)准备开始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快闪记忆体，做为嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)选项。
Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该
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FD-SOI 存储器
- 产业资深顾问Handel Jones认为，半导体业者应该尽速转移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用该技术的众多优势…
半 导体与电子产业正努力适应制程节点微缩至28奈米以下之后的闸成本(gate cost)上扬;如下图所示，在制程微缩同时，每单位面积的逻辑闸或电晶体数量持续增加，其速率高于晶圆片成本增加的速率。在另一方面，当制程特征尺寸缩 减时，晶片系统性与参数性良率会降低，带来较高的闸成本。
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FD-SOI 14nm
- Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
晶圆代工业者Globalfoundries技术长GaryPatton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，FD-SOI)制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
Globalfoundries声称其针对不同应用最佳化的22FDX平台四种制程，能提
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Globalfoundries FD-SOI
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