- CL002是完成一位数字显示的BCD码显示器,它以小型固体块的形式完成寄存-译码驱动-LED数码显示等功能.CL002除了无计数部分外,其余部分和CL102完全相同,它的逻辑框图及管脚排列如图所示.外形尺寸与CL102相同.
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线路 应用 显示器 BCD CL002
- C3065 BCD-七段译码液晶显示驱动器功耗低微,在25度条件下仅几十微安,工作电压范围为4~18V,采用交流驱动,可直接驱动液晶显示屏.C306的管脚外引线排列和功用如图所示,C306的功能真值表如9.42表所示.显示.
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应用 电路图 驱动器 液晶显示 BCD- 段译码 C3065
- C301是BCD(4线)-10进制(10线)译码器,也是二进制到八进制译码器其逻辑功能与引线排列与美国RCA公司的CD4028相同,可方便也互换.C301的管脚外引线排列和功用如图所示,C301的功能真值表如9.41所示.C301是BCD-十进制或二进
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电路图 应用 进制 BCD-10 C301
- 台积电今日宣布，推出通过美国汽车电子协会(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100产品规格验证标准的0.25微米车用一次性可编程存储器(One-time-programmable) 硅知识产权。
此一硅知识产权与TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺、混合信号/模拟(Mixed signal/analog)工艺以及标准CMOS逻辑工艺完全相容，因此无需额外增加其他工艺步骤，提供车用电源管理及模拟产品系统单芯片制造一个理想的选择。
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台积电 BCD 存储器
- 华润上华科技有限公司(“华润上华”)主办、北京集成电路设计园协办的“2010 CSMC 工艺培训(北京)”在北京举行，有百余位主要来自北京的IC设计公司、大学、研究所的IC 设计人员和业务主管绕有兴趣地参加了培训和讨论。此次培训是继去年华润上华在京举办“共赢中国半导体应用市场研讨会”后，应听众的反响和要求而开办的。
根据听众欲更多了解华润上华的工艺及特点，为其产品寻找低成本、高效率的工艺解决方案的需求，华润上华精心准备了针对
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华润上华 IC设计 BCD
- 近年来，节能环保理念的深入人心，对半导体IC设计和应用也提出了更高的要求。2008年11月，五大手机制造商诺基亚、三星、索尼爱立信、摩托罗拉和LG电子联合发布了手机充电器的五星级标准。新的分级制度将以零到五颗星的标志图案来区分待机能耗。例如，待机功耗小于或等于30mW的手机充电器属于最高星级，在其标签上印有五颗星。相反，如果待机功耗≤500mW，则充电器标签上将无任何星级标记。为适应手机充电器的技术革新和发展，新进半导体制造有限公司(简称BCD半导体)于近期推出一种新的电源控制芯片AP3768，
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BCD 手机充电器 AP3768
- 随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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驱动器 解决方案 LED 白光 利用 BCD 基于
- 随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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- 随着像手机，PDA、DSC、GPS等数码及便携式产品的迅猛发展，以及液晶显示器的制造技术的日臻完善。彩色的LCD显示屏越来越成为数码及便携式产品的重要部件。彩屏的手机，PDA等也越来越受人们的喜欢和青睐。彩色LCD显示
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解决方案 驱动器 LED 白光 BCD
- 领先业界的高整合创新电源管理半导体解决方案提供业者－德商Dialog半导体公司与TSMC 23日共同宣布，双方正密切合作，为移动产品的高效能电源管理芯片量身打造BCD（Bipolar–CMOS -DMOS）工艺技术。
此0.25微米高压工艺技术世代能将各种高电压功能有效整合在单一电源管理芯片中，因而增加成本效益，同时扩大Dialog公司解决方案的潜在市场。
Dialog公司下一世代电源管理芯片的重要特点之一，就是将更高电压与更有效的元件予以整合，因此得以开发出更小尺寸、更节能的芯片；这些芯
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台积电 电源管理 BCD
- TSMC昨日推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。
此一新的BCD工艺特色在于提供12伏特至60伏特的工作电压范围，可支持多种LED的应用，包括： LCD平面显示器的背光源、LED显示器、一般照明与车用照明等，且工艺横跨0.6微米至0.18微米等多个世代，并有数个数字核心模组可供选择，适合不同的数字控制电路闸密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘试制服务，支援0.25微米与0.18微米工艺的初步功能验证。
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TSMC BCD LED驱动
- 针对DC－DC电源管理系统中所必须的欠压锁存(UVLO)功能，提出一种改进的欠压锁存电路。所设计的电路在不使用额外的带隙基准电压源作为比较基准的情况下，实现了阈值点电位、比较器的滞回区间等参量的稳定。整个电路采用CSMC0．5 μm BCD工艺设计，使用HSpice软件仿真，结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、反应灵敏、温度漂移小、功耗低等特点。
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电路设计 工艺 BCD 基于
- ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulk process)进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时，SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。
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ARM 45纳米 SOI
- 据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
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ARM 45nm SOI 测试芯片
- 在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平，预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。
据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平，而且已经进入正式量产阶段，在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划，32nm SOI制程将在2
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GlobalFoundries 32nm SOI
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