今天的智能手机和平板电脑内均装有射频(RF)前端模块(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、开关、可调谐电容器和过滤器。射频绝缘体上硅(RF SOI)等技术可支持移动设备调整和获取蜂窝信号——在更广泛的区域为无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望在物联网中发挥关键作用。
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RF-SOI 5G
全耗尽型绝缘上覆矽(FD-SOI)制程技术正从原本的“迟到”(too-late)位置摇身一变，成为可望在物联网(IoT)与汽车市场取代鳍式场效电晶体(FinFET)的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
“我认为，FD-SOI正蓄势待发。也许还得经过几年的时间，但它终将获得新的动能，并发展成为一项关键技术，”International Business Strategies (IBS)创
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FD-SOI FinFET
身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多;一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。
因 为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要;我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多;部分读者会有先入为主的看法，认为那 些题目不关他们
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FD-SOI FinFET
本文介绍了Soitec半导体公司的全耗尽绝缘硅(FD-SOI)的特点、最新进展及其生态系统，并将FD-SOI与FinFET作比较，分析了各自的优势、应用领域和应用前景。
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FD-SOI FinFET 制造 201604
中国芯片企业起步较晚，在发展中屡屡遭受国际巨头的“专利围剿”，通过支持重点企业的兼并重组及海外收购，培育具有核心竞争力的大型企业，无疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec FD-SOI
全球领先的绝缘硅(SOI)晶圆制造商法国Soitec半导体公司今日在北京举办的新闻发布会中介绍了该公司在中国市场的发展历史、全耗尽绝缘硅(FD-SOI)基板的成熟性和生产及准备状态、FD-SOI的最新进展及其生态系统。与会发言人包括Soitec公司市场和业务拓展部高级副总裁Thomas Piliszczuk， 以及Soitec公司数字电子商务部高级副总裁Christophe Maleville。会上主要讨论的问题包括该技术是否适合各代工厂及应用设计师广泛使用，更重要的是，该技术如何解决中国半导体行业及
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Soitec FD-SOI
苹果(Apple)宣布以182万美元从美信半导体(Maxim Integrated)买下位于加州圣荷西的一座8吋晶圆厂。专家分析认为，此举并不会影响与苹果合作的晶圆代工厂生意。
据SemiWiki报导指出，SEMI World Fab Watch Database资料显示，苹果买下的晶圆厂于1987年建立，即使全面开工每月也只能生产1万片晶圆，规模相对小且老旧，无法生产苹果所需的应用处理器(AP)。
苹果最新AP采16/14纳米FinFET制程，而10纳米制程也正在开发中。8吋晶圆近日才微
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三星 FD-SOI
DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
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格罗方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
身为记者，我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿，然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一个例子。
我从美国旅行到中国接着又到欧洲，在与电子产业人士讨论技术的过程中，发现FD-SOI从一个不容易了解的名词，逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术，我在最近这几个星期所收集到的随机
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晶圆 FD-SOI
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