- 这次大概介绍了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接线 这个开发板搭载了一个256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引脚接线如下：
偷个懒，直接上引脚复用的图。其中PC14表明该NAND FLASH需要作为SMC的外设0使用。通过使用NANDOE和NANDWE引脚说明需要使用芯片的NAND Flash控制逻辑。另外，PC18复用为输入
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SAM4E NAND
- 随着APP体积不断扩大，以及照片、视频等文件逐渐累积，消费者再难回到被16GB ROM支配的时代。就连吝啬的苹果也将iPhone存储容量翻番，最高达到了256GB。大容量闪存能够提高数据并行处理的效率，但是256GB就够了吗?
日前，海力士(SK Hynix)推出业界首款72层堆叠的3D NAND闪存。该方案基于TLC阵列、单晶片容量为256Gb(32GB)，闪存芯片封装后的最高容量将达到512GB。
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海力士 NAND
- 从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。
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内存 NAND
- 东芝已经处于资不抵债的边缘，被迫出售优质大额资产来改善其财务状况，究竟东芝存储业务花落谁家，虽然在近期就可以揭晓。
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东芝 NAND
- 北京时间3月24日上午消息，由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升，美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期。该公司第二财季利润也超出分析师预期，促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%。
由于各大企业都在争相开发体积更小、效率更高的芯片，引发了供应瓶颈，但与此同时，智能手机、人工智能、无人驾驶汽车和物联网的数据存储需求却在飙升，导致全球存储芯片制造商正在经历分析师所谓的“超级周期”。
美光科技周四表示，该公司的DRAM芯片第二季度涨价21%，此前一个季度已
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美光 NAND
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。
三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。
新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。
市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
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三星 3D NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，随后
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长江存储 NAND
- 3月1日，乐视宣布，对旗下乐Pro 3进行价格调整。在这之前，魅族、红米、努比亚已先后宣布了涨价措施……手机厂家纷纷执行涨价措施，往常都想用低价策略吸引用户的厂家们这次都是因为什么呢? 有没有朋友发现目前市场上的闪存类产品价格在悄悄增长，包括我们熟悉的U盘、内存、硬盘类产品，这些产品和近期纷纷宣布涨价的手机是否有什么关系呢? 关键在于它们都使用了一种核心器件：Flash Memory，也就是大家说的“闪存”，而这类器件由于目前生产减少，出现了供不应求的状况，导致其价格上涨，最终
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Nand 内存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据) 工作原理 动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列地址引脚复用来组成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艰难的挑战，是储存电容的高深宽比，为了要延长DRAM这种内存的寿命，在短时间内必须要采用3D DRAM解决方案。
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DRAM NAND
- NAND闪存芯片被三星、东芝、SK Hynix、美光、Intel等少数公司垄断，中国公司在此领域毫无话语权，甚至连收购、合作外资公司都没可能，想获得突破还得靠国产公司自立。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工，2019年全速量产，预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
长江存储科技前身是武汉新芯公司，该公司去年联合湖北省政府投资基金在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，
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NAND 东芝
- 市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器(NAND Flash)整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
集邦科技调查，随着NAND Flash缺货达到高峰，产品平均售价走扬，加上终端出货畅旺，去年第4季NANDFlash产值达120.45亿美元，季增达17.8%，各NANDFlash厂获利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，稳居全球NAND Flash龙头地位;东芝市占率18.3%，居第2大厂;西部数据市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
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存储器 3D NAND DRAM 20170203
- 据海外媒体报道，去年下半年以来NANDFlash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND，但3DNAND生产良率不如预期，2DNAND供给量又因产能排挤缩小，NANDFlash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
不过，随着3DNAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NANDFlash市场最大变数。
2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据(WD)进入15纳米，美光导
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NAND 存储器
- 非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。
根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示，专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度与写入速度更高1，000倍，单芯片尺寸约200mm2左右，即可实现高达
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NAND ReRAM
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