- 据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。
三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
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三星 3D NAND
- DSP技术在目前的芯片研发过程中得到了广泛应用，在之前的文章中，我们曾经就DSP在EMIF接口中的应用进行过简要分析和探讨。今天我们将会接着上一次的讨论结果，来看一下DSP技术在EMIF接口中的系统BOOT是如何实现的，下面就让我们一起来看看吧。 在这里我们依旧以TMS320C6722型DSP芯片为例子，来进行讨论。这种的TMS320C6722型DSP内部没有可写的ROM，DSP的程序必须存放在外部器件中。当TMS320C6722型DSP芯片上电后，必须首先从外部芯片下载程序。本款DSP可以通过SP
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DSP BOOT
- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查显示，东芝公司为提升半导体业务竞争力，已正式宣布将在今年三月三十一日前将完成分拆内存业务。预期分拆出来的新公司将有更多经营弹性及更佳的筹资能力，长期而言对东芝/西数(Western Digital)电子阵营在NAND Flash产能提升、产品开发均有所帮助。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，东芝公司这一做法，一方面为的是应付日渐沉重的产业竞争环境，另一方面是为缓解经营压力，并满足筹措营运资金的需求。从产业结构来看，DRAMeX
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东芝 NAND
- 据报道，东芝(Toshiba)惨亏，将分拆旗下赚钱的半导体部门，成立新公司，卖股筹钱。由于东芝是全球NAND Flash二哥，各方都兴趣浓厚。据传韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)有意投资，借此强化NAND Flash布局。
韩媒BusinessKorea 24日报导，业界专家表示，SK海力士可能会投资东芝独立出来的存储器公司，取得决定NAND Flash表现的控制器技术。东芝在NAND市场表现出色，去年第三季市占率为19.8%，仅次于龙头三星电子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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SK海力士 NAND
- 从2016年下半年开始，包括CPU、内存、屏幕、CMOS Sensor在内的众多电子元器件都进入了缺货周期，这样就给终端制造商带来了成本压力，最终这个压力就转移到了消费者身上，引起蝴蝶效应。
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DRAM NAND
- 随着全球对于手机、电脑、汽车等消费性产品需求持续增强，NAND FLASH始终处于供不应求的情况，特别是印度、印尼及越南等新兴智慧手机市场，当地消费者智慧手机持有率大增，进而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，预计2017年NAND FLASH全年供货仍将持续吃紧，特别是在第2、3季最为严重。
群联董事长潘建成表示，预计NAND FLASH今年将持续缺货，特别是在第2、第3季最为明显，原因在于手机、电脑、汽车等终端消费性产品需求仍旧强劲。因应此一情况，有些记忆体业者将部分产能转去做3D
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SSD NAND
- 根据 SEMI (国际半导体产业协会) 的最新研究数据表示，当前中国正掀起兴建晶圆厂的热潮，预估 2017 年时，中国兴建晶圆厂的支出金额将超过 40 亿美元，占全球晶圆厂支出总金额的 70%。而来到2018年，中国建造晶圆厂相关支出更将成长至 100 亿美元，而其中又将以晶圆代工占其总支出的一半以上。
SEMI 中国台湾地区产业研究资深经理曾瑞榆指出，2017 年全球半导体产产值可望达到 7.2% 的年成长率。其中，存储为其中成长的关键。而未来 5 年之内，全球半导体产业仍将持续成长，到了 2
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晶圆 NAND
- 赛普拉斯半导体公司旗下子公司，高速、高容量和免电池非易失性存储器解决方案领先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式发布其符合JEDEC标准的AGIGARAM® DDR4 NVDIMM-N系列解决方案。该解决方案与AgigA业界领先的在JEDEC 标准发布之前就已量产的传统DDR4 NVDIMM产品一起，为最新公布的NVDIMM-N解决方案JEDEC标准(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交钥匙式模块产品和控制器解决方案。 Ag
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赛普拉斯 NAND
- 在上海一场以“匠心独运，卓越创芯”为主题的IC技术峰会上，长江存储CEO杨士宁先生参会并发表了题为《发展存储产业的战略思考》的演讲。在演讲中，他对为什么选择发展存储、为什么选择3D NAND Flash作为突破口、还有3D NAND Flash将面临什么样的挑战等问题，作了深刻的分析。
为什么中国要发展存储产业
在详细介绍为什么中国要发展存储产业之前，杨士宁首先对存储产业的整体状况作了一个分析。根据他的说法，在全球的半导体存储产品中，NAND 和
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存储器 NAND
- 在2015、2016连续两年下跌后，DRAM和NAND Flash存储器平均销售价格(ASP)正稳健走扬，研究机构IC Insights认为，此将有助推升2017年存储器市场销售规模，预估整体产值可达853亿美元新高纪录，较2016年成长10%;2020年更可望首度攀至千亿美元大关。
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DRAM NAND
- 或许是巧合!12月30日，长江存储的国家存储器基地与华力二期12英寸生产线这两个持续受到业界关注的重大项目，同日举行了开工启动仪式。
长江存储是国内最大的存储器项目之一，瞄准3D NAND技术，建成后将扭转我国存储器有市场无产品的窘境;华力微电子12英寸生产线建设项目则是“909工程”的二次升级改造，将建设逻辑芯片的代工生产线，建成后将使我国拥有从0.5微米到14纳米各工艺节点的生产平台，追赶国际先进水平。
随着《国家集成电路产业发展推进纲要》的推进，中国IC业
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集成电路 NAND
- 中国紫光集团宣布，投入快闪记忆体战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。
紫光集团董事长赵伟国：“我们在武汉投资两百四十亿美金的芯片工厂，已经正式动工，昨天我刚刚在成都，和四川省签下了两千亿的协议。我们会在那里投资一个，也是一个超过两百亿美金芯片的工厂”
2016年12月，紫光集团赵伟国，布局半导体战略，先是与成都市、新华集团共同签署战略合作协议，要在四川打造百亿云计算中心。
12月30日，紫光宣布动工，兴建三座全球最大3
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紫光 NAND
- 现在行业内的存储玩家都不想看到三星持续一家独大的现状，中国这波掀起对存储格局的改变，或许会吸引其他相对弱势的厂商给中国提供支持。
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存储路 NAND
- 2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年。
TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆叠顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
DRAMeXch
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NAND TrendForce
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
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