- 在《GNUARM汇编--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解读》中分析完u-boot-201207的makefile以及mkconfig脚本后,发现一个现象:在
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ARM汇编u-boot启动方
- 一、移植环境主机:VMWare--Fedora9开发板:Mini2440--64MBNand,Kernel:2.6.30.4编译器:arm-linux-gcc-4.3.2.tgzu-boot:u-boot-200...
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Linuxu-boot-244
- 日本存储器大厂东芝(Toshiba)主要的获利支柱的智能手机存储器因市场需求大,带动价格上扬,2016上半会计年度(4~9月)的财报也因而受惠,表现亮眼。
东芝财务长平田政善在11日东芝财报记者会上说明,由于大陆智能手机对于大容量存储器需求殷切,东芝NAND Flash事业获利超出预期。
平田表示,在当今智能手机大打硬件规格战,竞争激烈的情况下,大陆本土手机业者推出的手机较当初预期更早进入64GB、128GB阶段,是东芝始料未及的趋势。根据日经调查,目前市况单一标准规格存储器约3美元,价格
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东芝 NAND
- 据韩国经济报导,传闻SK海力士(SK Hynix)先前测试生产的48层3D NAND Flash产品已通过客户端认证,最快将从11月底正式启动量产;以12吋晶圆计算的月产能可望提高到2万~3万片,3D NAND Flash的生产比重也将提高至整体NAND Flash的15%。
业界除了三星电子(Samsung Electronics)已从2015年第4季起开始量产48层产品之外,其他如东芝(Toshiba)、美光(Micron)等,目前都尚未突破技术瓶颈,SK海力士将是第二家进入量产的业者。
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SK海力士 NAND
- 根据彭博社的报导,受惠于于储存晶片以及硬碟业务的营收成长,加上撙节计画的奏效,日本最大半导体生产公司东芝 (Toshiba) 于 31 日将公司 2016 上半年度(4 月到 9 月)的预期营业利益上调 36%,来到 950 亿日圆 (约新台币 285.83 亿元 ),似乎已经完全走出过去因作假帐所造成的经营低潮期。
根据报导,东芝在声明中表示,除了上调 2016 年上半年的预期营业利益之外,还同时微幅上调了上半年的预期营收,从 2.55 兆日圆上调至 2.58 兆日圆。根据彭博社的统计资料显示
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东芝 NAND
- 容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快,新世代SSD产品的卓越价格性能比,预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距,两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点,高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
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3D NAND SSD
- 慧荣科技全新主控解决方案为新生代SSD产品开发设计保驾护航
以相同的成本,却能达到倍增的容量,各家内存大厂对3D NAND创新技术的强力投入,预告了2017年将成为3D NAND固态硬盘(SSD)爆发成长的起点。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非挥发性内存高速规格)超高传输接口的普及登场。容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快,新世代SSD产品的卓越价格性能比,预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距,两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点,高速大容
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NAND SSD
- 嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性,构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统,并阐述具体的设计思想。
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Flash NAND FAT 文件系统
- 随着近段时间以来,固态硬盘、内存条甚至优盘等存储设备的大幅度一致性涨价,影响着存储设备涨价的背后关键性元件闪存颗粒,开始浮出水面,被越来越多的业内人士,反复解读。
那么,在价格上起着关键性因素的闪存颗粒到底是什么?闪存颗粒和存储设备的价格上涨又有什么关系?2D NAND和3D NAND闪存颗粒之间又有哪些区别?下面,我们一起来聊聊NAND闪存颗粒这些年。
闪存颗粒的释义及厂商
闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单
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NAND 存储器
- 随着嵌入式系统产品的发展,对存储设备的要求也日益增强。文章以东芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00为例,阐述了NAND Flash的基本结构和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要:由于智能手机、SSD市场需求强烈,闪存、内存等存储芯片最近都在涨价,这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中,存储芯片是最优先的,也是全国各地都争着上马的项目,其中国家级的存储芯片基地在武汉,投资超过240亿美元,之前是新芯科技主导,现在已经变成了紫光公司主导,预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存,而且是32层堆栈的,起点不算低。
2015年中,国家级存储芯片基地确定落户武汉市,由武汉新芯科技公司负责建设,今年3月份12寸晶圆厂正式动工,整个项目预
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SSD 3D NAND
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