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美光：3D NAND产能总容量已高于2D　二代3D NAND将进入大批量产

  • 　　美国记忆体晶片大厂美光科技(Micron)财务长Ernie Maddock日前出席Barclays Technology Conference时表示，该公司在3D NAND记忆体生产上已取得重要历程碑。 　　科技网站AnandTech报导，Maddock表示，虽然目前2D NAND晶片生产数量仍高于3D，但就记忆体总容量而言，3D NAND产能的总容量已高于2D产品。 　　据悉，美光2D和3D NAND生产采用完全不同的技术。 2D NAND生产依赖于光刻(lithography)技术，3D NA
  • 关键字： 美光  NAND  

东芝副社长：“3D NAND将挑战200层单元积层”

  • 　　“三维闪存需要挑战200层左右的存储单元积层”。东芝代表执行董事副社长兼存储与电子元器件解决方案公司社长成毛康雄在2016年12月14日开幕的半导体相关展会“SEMICON Japan 2016”(东京有明国际会展中心)的“半导体高端论坛”上登台发言，并如此介绍了该公司的三维闪存(3D NAND)高密度化战略。 　　成毛以对比15nm工艺2D NAND(二维闪存)的形式，介绍了东芝供应的3D NAND“BiCS FL
  • 关键字： 东芝  NAND  

美光第二代3D NAND年底大规模量产

  • 　　今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第一代3D NAND闪存的成本也符合预期，堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了，今年底就要大规模量产了。 　　对于3D NAND闪存，我们并不陌生，现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存，不论是性能还是容量或者是写入寿命，3D NAND闪存都要比传统2
  • 关键字： 美光  NAND  

​NAND缺口达颠峰　推升SSD价涨逾10%

  • 　　DRAMeXchange最新研究显示，受惠于强劲的智慧型手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第1季，届时企业级与用户级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。 　　今年第四季NAND Flash通路端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与用户级SSD合约价也上涨5～10%。 　　DRAM
  • 关键字： ​NAND  SSD  

不甘心三星拿下NAND市场最大份额 Intel推出市场最低价产品

  • 　　三星在手机市场遭遇一定挫折，不过由于全球手机的出货量成长以及对更大容量的内存和存储的需求却让它在NAND Flash市场成为大赢家，据TrendForce的数据显示营收同比增长20.6%，市占率提升到36.6%创下新高。 　　目前3D NAND技术正日益受到各方的欢迎，由于它相较2D NAND技术可以提供提高存储器的容量及宽度，在采用更低工艺的情况下却可以提供远比工艺更高2D NAND技术数倍容量，例如采用16nm工艺的2D NAND存储器容量为64GB，而采用21nm工艺的三星 48层3D NAN
  • 关键字： Intel  NAND  

三星Q3稳居全球NAND市占王，东芝开倒车、被远远甩开

  • 　　三星凭藉着技术优势，NAND快闪存储器市占率逐季甩开东芝等竞争者的纠缠，龙头位置越座越稳。 　　市调机构DRAMeXchange最新数据显示，三星第三季NAND存储器营收来到37.44亿美元，市占率较前季进步0.3个百分点至36.6%。(韩国经济日报) 　　同期间，东芝NAND存储器营收为20.26亿美元，市占率较前季下滑0.3个百分点成为19.6%，落后三星幅度从前季的16.2%扩大至16.8%，此为历史新高水平。 　　刚完成并购SanDisk的Western Digital市占率达17.1%
  • 关键字： 三星  NAND  

[ARM笔记]驱动对设备的识别过程及实例——NAND Flash

  • 　　驱动程序识别设备时，有以下两种方法：　　(1)驱动程序本身带有设备信息，比如开始地址、中断号等;加载驱动程序时，就可以根据这些信息来识别设备。　　(2)驱动程序本身没有设备信息，但是内核中已经(或以后)根据其他方式确定了很多设备的信息;加载驱动程序时，将驱动程序与这些设备逐个比较，确定两者是否匹配(math)。如果驱动程序与某个设备匹配，就可以通过该驱动程序来操作这个设备了。　　内核常使用第二种方法来识别设备，这可以将各种设备集中在一个文件中管理，当开发板的配置改变时，便于修改代码。在内核文件incl
  • 关键字： NAND  驱动  

NAND Flash供不应求，第三季品牌商营收大幅季成长19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。 　　DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收
  • 关键字： NAND Flash  英特尔  

u-boot-在2440上的移植详解（一）

  • 　　一、移植环境　　主 机：VMWare--Fedora 9　　开发板：Mini2440--64MB Nand,Kernel:2.6.30.4　　编译器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgz　　u-boot：u-boot-2009.08.tar.bz2　　二、移植步骤　　本次移植的功能特点包括：　　支持Nand Flash读写　　支持从Nor/Nand Flash启动　　支持CS8900或者DM9000网卡　　支持Yaffs文件系统　　支持USB
  • 关键字： u-boot  2440  

SSD价格2016年来首度大涨，明年第一季价格估将持续走升

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示，2016年第四季主流容量PC-Client OEM SSD(固态硬盘)合约均价近一年来首度大涨，在MLC-SSD部分，季涨幅达6～10%，TLC-SSD部分则上涨6～9%。展望2017年第一季，虽然终端产品实际销售状况仍保守，但由于非三星阵营的原厂仍处于3D-NAND Flash转换阵痛期，及龙头厂商持续以提升获利为主要策略下，预估2017年第一季PC-Client OEM SSD 主流容量合约价仍将持
  • 关键字： SSD  NAND   

GNU ARM汇编--(十九)u-boot-nand-spl启动过程分析

  • 在理解bootloader后,花些时间重新学习了开源软件的makefile和相关脚本之后,自己的u-boot移植工作也比较顺利的完成了:移植
  • 关键字： ARM汇编u-boot-nand-spl启动过  

GNU ARM汇编--(十八)u-boot-采用nand_spl方式的启动方法

  • 在《GNUARM汇编--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解读》中分析完u-boot-201207的makefile以及mkconfig脚本后,发现一个现象:在
  • 关键字： ARM汇编u-boot启动方  

GNU ARM汇编--(十七)u-boot的makefile和mkconfig解读

  • 自己写的bootloader可以引导kernel了,我以为曾经神秘的u-boot代码将变得毫无挑战,然事实表明u-boot作为优秀的开源代码,阅读起来还是
  • 关键字： ARM汇编u-bootmakefilemkconfi  

fl2440使用u-boot-1.1.6原版串口没信息问题

嵌入式Linux之我行——u-boot-2009.08在2440上的移植详解（三）

  • 一、移植环境主机：VMWare--Fedora9开发板：Mini2440--64MBNand,Kernel:2.6.30.4编译器：arm-linux-gcc-4.3.2.tgzu-boot：u-boot-200...
  • 关键字： Linuxu-boot-244  
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