当前的新能源车的模块系统由很多部分组成,如电池、VCU、BSM、电机等,但是这些都是发展比较成熟的产品,国内外的模块厂商已经开发了很多,但是有一个模块需要引起行业内的重视,那就是电机驱动部分,则是电机驱动部分最核心的元件IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管芯片)。想要从零了解汽车电控IGBT模块看这一篇就够了!根据乘联会数据,2022年6月新能源车国内零售渗透率27.4%,并且2022年6月29日欧盟对外宣布,欧盟27个成员国已经初步达成一致,欧洲
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汽车 电控 IGBT
3 月 28 日的发布会上,小米雷军对外正式公布了小米 SU7 各版本的售价。同时,雷军宣布特别推出 5000 台小米 SU7 创始版。创始版除可选标准版及 Max 版基本配置外,还有专属车标、配件等权益。由于提前生产,不可选配,故相关车型可最先交付,而非创始版的小米 SU7 标准版与 Max 版于 4 月底启动交付,Pro 版在 5 月底启动交付。几天后的 4 月 3 日,小米汽车创始版迎来首批交付。在北京亦庄小米汽车工厂总装车间的交付现场,雷军亲手将车交给车主并和车主合影留念,再挥手目送每位车主离开。
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IGBT
IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感(DC−Link loop inductance)和栅极环路电感(Gate loop inductance)对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响,本文为第一部分,将主要讨论直流链路环路电感影响分析。测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ,DPT)
采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性
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杂散电感 SiC IGBT 开关特性
IGBT和碳化硅(SiC)模块的开关特性受到许多外部参数的影响,例如电压、电流、温度、栅极配置和杂散元件。本系列文章将重点讨论直流链路环路电感(DC−Link loop inductance)和栅极环路电感(Gate loop inductance)对VE‑Trac IGBT和EliteSiC Power功率模块开关特性的影响,本文为第二部分,将主要讨论栅极环路电感影响分析。(点击查看直流链路环路电感分析)测试设置双脉冲测试
(Double Pulse Test ,DPT)
采用不同的设置来分析S
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IGBT SiC 开关特性
热泵是一种经过验证的、提供安全且可持续供暖的技术,其满足低排放电力要求,是全球迈向安全、可持续供暖的核心技术。尽管逆循环热泵也可以同时满足供暖和制冷的要求,但热泵的主要目标是提供供暖。由于热泵能够回收废热并将其温度提高到更实用的水平,因此在节能方面具有巨大的潜力。系统目标热泵的原理与制冷类似,其大部分技术基于冰箱的设计。2021年,全球约有10%建筑的采暖由热泵来完成,且安装热泵的步伐仍在不断加快。鉴于政府对能源安全的关注以及应对气候变化的承诺,热泵将成为减少由建筑采暖以及热水所产生的碳排放的主要途径。此
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热泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器,非常适合各种应用。在确保安全控制方面,STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案,在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离,确保无缝集成和优质性能。选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC技术得到广泛采用,对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高,而ST的STGAP系列电气隔离栅极驱
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STGAP MOSFET IGBT 驱动器 电气隔离
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计,其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板,实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高,使
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GaN FET D类音频放大器
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场,因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而,电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易,因为它很容易发生振荡,并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度,这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。 IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过
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功率半导体 IGBT
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET,与EPC的上一代产品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐热QFN封装,顶部裸露,封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
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EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。理想等效电路与实际等效电路如图所示:IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:IGBT的开通过程IGBT 在开通过程中,
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IGBT 电路设计 驱动电路
激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中,大多都有人类参与其中,因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害,汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求,同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲,重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性,因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管,但又不能直接驱动它,这样就必须增加一个栅极
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自主驾驶 LiDAR GaN FET
中国 北京,2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 
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Qorvo SiC FET 电动汽车
宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
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EPC GaN FET 激光二极管
在当今的半导体市场,公司成功的两个重要因素是产品质量和可靠性。而这两者是相互关联的,可靠性体现为在产品预期寿命内的长期质量表现。任何制造商要想维续经营,必须确保产品达到或超过基本的质量标准和可靠性标准。安森美 (onsemi) 作为一家半导体供应商,为高要求的应用提供能在恶劣环境下运行的产品,且这些产品达到了高品质和高可靠性。人们认识到,为实现有保证的质量性能,最佳方式是摒弃以前的“通过测试确保质量”方法,转而拥抱新的“通过设计确保质量”理念。在安森美,我们使用双重方法来达到最终的质量和可靠性水
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IGBT 可靠性 测试
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