3 月 18 日消息，据台媒 digitimes 今日消息，SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片，实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E的运行速度可达
9.6Gbps，在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。去年 11 月，SK
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SK 海力士 英伟达 HBM3E 芯片
1. 实验内容通过本实验了解触摸屏的触摸原理和显示原理，能够在液晶屏上开发应用。本实验要求：1. 将存储在Flash中的一幅图像显示在液晶屏上。2. 将用户在触摸屏上触摸的坐标显示在8段数码管上。2. 实验原理2.1 液晶屏的基本原理液晶显示是目前最常用的显示方式，无论是简单的黑白显示还是高清晰度的数字电视，大量使用了液晶显示。液晶屏的基本物理原理是：液晶分子在不通电时排列混乱，阻止光线通过；当液晶上加一定电压时，分子便会重新垂直排列，使光线能直射出去，从而可以在液晶阵列上显示不同的图形。本实验使用的液晶
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Nios II Verilog 触摸屏
1. 实验内容通过本实验熟悉SOPC Builder和NIOS IDE的开发环境及开发流程，了解NIOS II的基本结构，能够利用SOPC Builder和NIOS IDE实现简单的NIOS II系统和应用程序。本实验要求利用SOPC Builder创建一个简单的NIOS II系统，这个简单的NIOSII 系统括NIOS核、片内SRAM及PIO口；利用NIOS II IDE创建一个简单应用程序，能够点亮核心板上的LED等。2. 实验步骤2.1 NiosⅡ硬件设置1. 工程建立：首先在Quartus II中
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Nios II uClinux 操作系统 Verilog
1. 实验内容通过本实验了解如何建立复杂的NIOS II，如何在Nios II系统运行uClinux操作系统，以及在uClinux操作系统环境上开发简单用户应用程序。本实验要求利用SOPC建立一复杂的NIOS II，通过NIOS II IDE配置uClinux，实现在uClinux在NIOS II上的运行。2. 实验步骤2.1 NiosⅡ硬件设置1. 工程建立：首先在Quartus II新建一个名为uclinux的工程，工程建立之后在工具栏中点击图标，出现SOPC Builder对话框。在System N
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Nios II uClinux 操作系统 Verilog
1 月 2 日消息，韩媒 Business Korea 今天（1 月 2 日）发布博文，受全球电动汽车需求下滑影响，LG Energy Solution、三星 SDI 和 SK On 韩国三大电池企业的工厂利用率大幅下降，企业纷纷采取应对策略以应对市场挑战。LG Energy Solution 位于美国亚利桑那州的工厂透视图，图源：LG Energy Solution据
12 月 30 日行业报告，LG Energy Solution 今年第三季度平均工厂利用率为 60%，较去年同期的 73% 显著下
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电动汽车 韩国电池 LG Energy Solution 三星 SDI SK On
12 月 3 日消息，据韩媒 Business Korea 昨日报道，三星电子和 SK 海力士正在合作标准化 LPDDR6-PIM 内存产品。该合作伙伴关系旨在加快专门用于人工智能（AI）的低功耗存储器标准化。报道提到，两家公司已经确定，有必要建立联盟，以使下一代存储器符合这一趋势。报道还称，三星电子和 SK 海力士之间的合作尚处于早期阶段，正在进行向联合电子设备工程委员会（JEDEC）注册标准化的初步工作。目前正在讨论每一个需要标准化项目的适当规格。▲ 图源三星PIM 内存技术是一种将存储和计
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三星电子 SK 海力士 内存
10 月 17 日消息，据韩媒 ZDNET Korea 当地时间昨日报道，SK 海力士正缩减 CIS （注：即 CMOS 图像传感器）等次要业务规模，全力聚焦高利润产品 HBM 以及 CXL 内存、PIM、AI SSD 等新兴增长点。SK 海力士今年减少了对 CIS 业务的研发投资，同时月产能已低于 7000 片 12 英寸晶圆，不足去年一半水平。而这背后是 2023 年 CIS 市场三大巨头索尼、三星、豪威共占据 3/4 市场份额，SK 海力士仅以 4% 排在第六位，远远落后于竞争对手。同时，SK 海力
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SK 海力士 CIS HBM 内存
2024年8月23日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，全新推出1430和 1440 系列 DIN 导轨安装 DC 浪涌保护器 (SPD)。该两款新系列 SPD 旨在保护 DC 电力系统且符合 IEC/EN 61643-31 标准Class I + Class II / T1+T2。Bourns® 1430 和 1440 系列提供从 48 VDC 到 1500 VDC 的保护电压范围，并采用高能量 MOV 技术。此外，1440 系列更配备先进的热断路器 (
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韩国最大电信运营商SK电信周三（8月21日）称，将与美国GPU云服务公司Lambda合作，于今年12月在首尔江南区开设一家人工智能（AI）数据中心，该设施将以英伟达先进的图形处理器（GPU）为基础。目前，双方已签署了人工智能云服务合作协议，将通过战略合作扩大GPU即服务（GPUaaS）业务，并奠定Lambda在韩国的立足点。Lambda成立于2012年，为寻求训练人工智能大模型的公司提供云、本地和咨询服务。目前Lambda的平台可以访问英伟达公司的大型GPU集群。所谓的GPUaaS服务，就是帮助企业客户通
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SK 电信 AI 数据中心 英伟达 GPU
IT之家 8 月 8 日消息，据清华大学官方消息，清华大学电子工程系方璐教授课题组、自动化系戴琼海院士课题组另辟蹊径，首创了全前向智能光计算训练架构，研制了“太极-II”光训练芯片，实现了光计算系统大规模神经网络的高效精准训练。该研究成果以“光神经网络全前向训练”为题，于北京时间 8 月 7 日晚在线发表于《自然》期刊。IT之家查询获悉，清华大学电子系为论文第一单位，方璐教授、戴琼海教授为论文的通讯作者，清华大学电子系博士生薛智威、博士后周天贶为共同一作，电子系博士生徐智昊、之江实验室虞绍良博士
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清华大学 大模型 AI 太极-II 芯片
7 月 25 日消息，SK 海力士宣布将在芯片生产清洗工艺中使用更环保的气体 —— 氟气（F2）。SK 海力士 2024 可持续发展报告显示，该公司原先将三氟化氮（NF3）用于芯片生产过程中的清洗工艺，用于去除沉积过程中腔室内部形成的残留物，其全球变暖潜能值（GWP）显著高于氟气（NF3的 GWP 为 17200，而 F2为 0）。除此之外，SK 海力士还进一步增加了氢氟酸（HF）的使用量（可用于低温蚀刻设备），该气体的 GWP 为 1 甚至更低，远低于过去用于 NAND 通道孔蚀刻的氟碳气体。
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SK 海力士 芯片 生产工艺 氟气 三氟化氮
Source: Zhihao/via Getty Images总部位于美国加州硅谷的Sakuu是一家专注于为电池制造行业提供商业化设备和技术的公司，该公司日前已与韩国电动汽车电池供应商SK On签订了一份联合开发协议。此次合作彰显了两家公司通过推动电池制造创新以解决当前行业挑战的坚定承诺，并为下一代解决方案的发展奠定了坚实基础。作为此次合作的一部分，两家企业将携手推进Sakuu干法制造工艺平台Kavian的工业化进程。Sakuu干法制造工艺平台Kavian有助于电池供应商转变其业务运营模式。该公司表示，使
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Sakuu SK On 电动汽车电池
《科创板日报》17日讯，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽。
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SK 海力士 HBM 混合键合技术
7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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英伟达 台积电 SK 海力士深 HBM4 内存
IT之家 7 月 1 日消息，据《韩国经济日报》报道，三星电子、SK 海力士分别考虑向韩国产业银行申请 5 万亿和 3 万亿韩元（IT之家备注：当前分别约 263.8 / 158.28 亿元人民币）低息贷款，用于业务扩张。韩国产业银行由韩国政府全资控股，是韩国唯一的政策性金融机构，主要为韩国国家经济发展提供长期资金。韩国企划和财政部此前公布了“半导体生态系统综合支持计划”。作为该计划的一部分，韩国产业银行将向半导体企业发放 17 万亿韩元低息贷款，其中大企业可获得 0.8~1% 利率折让，而中小
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