- 51 DRAM , SRAM 动态,静态随机存取内存 随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要之差异在于动态随机存取内存（DRAM），在一段时间（一般是0.5ms～5ms）后，资料会消失，故必须在资料未消失前读取元资料再重写（refresh），此为其最大缺点，此外速度较慢也是其缺点，而DRAM之最大好处为，其每一记忆单元（bit）指需一个Transistor（晶体管）加一个Capacitor（电容器），故最省面积，而有最高之密度。而SRAM则有不需重写、速度快之优点，但是密度低，每一记忆单元（bit）有两类
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工艺 微电子
- 据台湾媒体报道，针对英特尔公司在中国的芯片工厂获得批准的传言，全球第一大芯片代工巨头台积电公司的董事长张忠谋日前对媒体表示，台湾地区行政机构应该加速对大陆地区开放半导体先进工艺，否则台湾厂商在内地将处于落后境地。
去年年底，台湾行政机构刚刚批准了岛内半导体企业向大陆地区输出0.18微米线宽的8英寸芯片生产工艺。
英特尔公司目前没有对在中国的芯片工厂进行证实，根据传言，这座芯片厂将采用90纳米工艺，位于中国北方的大连。90纳米工艺已经比台湾厂商获准在大陆使用的180纳米工艺(即0.18微
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工艺 台积电
- ARM发布首款可即量产的基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP Velocity DDR存储器接口获得TSMC IP质量认证 ARM公司发布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的9
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90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存储器 单片机 工艺 接口 纳米 嵌入式系统 存储器
5nm 工艺介绍
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