集成电路，即integrated circuit，这是一种微型电子器件或部件，按功能可划分为数字和模拟两大类。而模拟集成电路一般用于模拟信号的产生和处理，有很多种种类，比如集成运算放大器、集成锁相环、集成功率放大器、集
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CMOS 工艺 放大器设计 集成运算
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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聚四氟乙烯 微波板 工艺 多层化
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1GHz，这无疑推动了集成CMOS射频电路的发展。目前，几个研究组已利用标准的CMOS工艺开发出高性能的下
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集成 电路设计 RF 工艺 CMOS 基于
一、生产工艺1.工艺：a)清洗：采用超声波清洗pcb或LED支架，并烘干。b)装架：在LED管芯（大圆片）底部电极备上银胶后进行扩张，将扩张后的管芯（大圆片）安置在刺晶台上，在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在PCB
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技术 封装 工艺 生产 LED
Intel CEO Paul Otellini近日对投资者透露，半导体巨头已经开始了7nm、5nm工艺的研发工作，这也是Intel第一次官方披露后10nm时代的远景规划。
他说：“我们的研究和开发是相当深远的，我是说(未来)十年。”
按照路线图，22nm工艺之后，Intel将在2013年进入14nm时代，相应产品代号Broadwell。下一站是10nm，目前还在早期研究阶段，预计2015年左右实现。
7nm、5nm现在都处于理论研究阶段，具体如何去做还远未定案
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Intel 5nm
摘要：数字集成电路的不断发展和制造工艺的不断进步，使得物理设计面临着越来越多的挑战。特征尺寸的减小，使得后端设计过程中解决信号完整性问题是越来越重要。互连线间的串扰就是其中的一个，所以在后端设计的流程
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设计 信号 预防 物理 IC 65nm 工艺 数字 基于
CMOS工艺兼容的热电堆红外探测器,0 引言热电堆红外探测器是最早发展的一种热红外探测器，其工作原理基于Seebeck 效应。这类探测器通常不需要致冷，可以常温工作，并对较大范围内的红外光响应均匀，由于成本较低，可以大批量生产，因此在安全监视、医
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CMOS 工艺 兼容 红外探测器
在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器件进行重配置，这就使得可以通过监视配置
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方法 介绍 加密 FPGA SRAM 工艺 基于
闪光对焊作为一种先进的焊接技术，具有无需添加焊接材料、生产率高、成本低、易于操作等优点。随着工业技术的不断发展，焊接的零件截面越来越大，遇到了一些技术问题，如焊接加热难、生产率低、产品合格率低等。为了
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焊 工艺 过程 设计方案
光刻技术类似于照片的印相技术，所不同的是，相纸上有感光材料，而硅片上的感光材料——光刻胶是通过旋涂技术在工艺中后加工的。光刻掩模相当于照相底片，一定的波长的光线通过这个“底片”，在
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介绍 工艺 典型
烧结就是把印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片,最终使电极和硅片本身形成欧姆接触,从而提高电池片的开路电压和填充因子2个关键因素参数,使电极的接触具有电阻特性,达到生产高转效率电池片的目的.烧结过程中有利
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工艺 烧结 太阳能电池
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用...
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工艺 分立技术 封装技术
准单晶技术总结 一，准单晶的概念 准单晶（Mono Like ）是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。这种通过铸锭的方式形成单晶硅的技术，其功耗只比普通
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工艺 准单晶 系统
5nm 工艺介绍
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