首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 3d dram

3d dram 文章 进入3d dram技术社区

国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与3家公司合作

  • 6月6日,长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行,合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约,一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产,其中内存国产化的意义更重要一些,毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导,门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿,去年底量产了1Xnm级别(具体大概是19nm)的内存芯片,可以供应DDR4
  • 关键字: 国产  DRAM  内存  合肥长鑫  

南亚科:视欧美疫情定市场 10纳米级产品试产

  • 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会,会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法,指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长,其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于,2020年下半年市况,吴嘉昭则是表示,因为各项不确定因素仍多,因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示,2019年因中美贸易战导致的关税问题,使得供应链面临调整,加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素,导致DRAM需求减少,使得平均销货较2018年减少超过45%,也使得南亚科在2019年
  • 关键字: 存储器  10nm  南亚科  DRAM  

三星一季度全球DRAM市场份额超过40% 但销售额有下滑

  • 三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%,但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示,一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%,是第一大厂商,较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点,后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%,但一季度三星DRAM的营收其实有下滑,较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士,一季度的销售额也下滑了4%,下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技,其一季度的市场份额为20.8%,销售额下滑1
  • 关键字: 三星  DRAM  

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

  • 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升,不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能,更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC),在2016年加入NAND Flash设计生产后,也为市场添增了一股活力。
  • 关键字: 群联  3D NAND  长江存储  

长江存储:128层3D NAND技术会按计划在今年推出

  • 据证券时报消息,长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示,128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工,从中长期来看,这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候,长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示,接下来,长江存储将跳过如今业界常见的96层,直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到,长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总
  • 关键字: 长江存储  3D NAND  

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

  • 从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元;(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL);(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏;(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元(图1 (a))在电
  • 关键字: DRAM   GIDL  

三星首次将EUV技术应用于DRAM生产

  • 据ZDnet报道,三星宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
  • 关键字: 三星  EUV  DRAM  

三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

  • 当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12
  • 关键字: 三星  DRAM  EUV  

微软Surface Duo未来新特性:支持3D深度相机

  • 新推出的Surface Neo并不是微软唯一的双屏设备。在去年10月份的发布会上,微软还宣布了一款名为“Surface Duo”的Surface手机,Surface Duo可运行Google的Android应用,并直接从谷歌Play商店支持Microsoft服务。Surface Duo是由Panos Panay领导的Surface团队设计的,它具有出色的硬件,但是之前有传言称Surface Duo设备将配备中核相机。与三星Galaxy Fold和华为Mate Xs竞争的Surface Duo可能没有配备出
  • 关键字: 微软  Surface Duo  3D  

欧司朗推出首款智能3D感应发射器模块,让智能手机玩转专业摄影

  • 图片已经成为人们在社交媒体展现自我的重要方式。为了追求“完美的图像”,越来越多的应用程序提供了滤镜或编辑功能来增强图像效果。尽管智能手机摄影功能创新层出不穷,但仍然有一些图像效果只能通过专业相机和复杂昂贵的镜头来实现。欧司朗推出首款3D传感发射器模块,让智能手机以交错景深拍摄高质量的图像和视频,达到专业效果。例如在人像拍摄中,实现人脸聚焦、背景模糊的小景深。如今,智能手机、可穿戴设备和其他移动设备的功能越来越多,留给内部元器件的设计空间也越来越小。对制造商而言,能找到合适的发射和接收器件以及IC元器件,进
  • 关键字: 3D  感应  VCSEL  

光线追踪:一种颠覆性技术

  • 对于任何名副其实地从事AR/VR/XR、产品设计或仿真工作的工程师而言,光线追踪是他们应该熟悉的一种技术。因为它是自三维(3D)图形诞生以来图形技术领域最重要的进步之一,而且它即将从高深的电影和广告领域转向移动、可穿戴和汽车等嵌入式领域,作为全新的、更有效的处理光线追踪的方法进入市场。如果你去看任何的三维场景,会发现其逼真度很大程度上取决于光照。在传统的图形渲染(光栅化处理)中,光照贴图和阴影贴图是预先计算好的,然后应用到场景中以模拟场景外观。然而,虽然可以实现很美观的效果,但其始终受限于一个事实,即这些
  • 关键字: 路径追踪  3D  

TrendForce:2019年第四季量增抵销价跌影响,DRAM产值较前季近持平

存储器行业的冰与火之歌:凛冬是否已经结束 ?

  • 据IDC预测,2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量,如此惊人而又庞大的数据量,半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种,具体类型如下:“凛冬将至”:这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元,存储器的
  • 关键字: 存储器、NAND、DRAM  

走近英特尔Lakefield——采用备受赞誉的Foveros 3D封装技术

  • 这款指甲大小的英特尔芯片是首款采用了Foveros技术的产品。英特尔院士、芯片工程事业部成员 Wilfred Gomes,手执一枚采用Foveros先进封装技术打造而成的处理器。该处理器将独特的3D堆叠与一种混合计算架构结合在一起,这种架构混搭了多种类型、功能各异的内核。(图片来源:Walden Kirsch/英特尔公司)Foveros封装技术改变了以往将不同IP模块放置在同一2D平面上的做法,改为3D立体式堆叠,让处理器有了全新的构建模式。试想一下,全新设计的芯片就像一个设计成1毫米厚的夹心蛋
  • 关键字: 3D  封装  

全球DRAM产业迎来大牛市 内存将连涨7个季度

  • 最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影,智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了,Q1季度开始就进入全球牛市,预计会连涨七个季度,也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后,这两家公司纷纷表态对生产基本没影响,但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血,内存及SSD硬盘的现货价应声而起,1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢?UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势,他认为内存涨价将持续至少7个
  • 关键字: DRAM、内存  
共2458条 17/164 |‹ « 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 » ›|
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473