新闻摘要：• 16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。• 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代
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LPDDR4X 批量生产进入1z 纳米 DRAM 工艺节点
梅卡曼德机器人近日宣布获得来自英特尔的投资。据新芽数据库，今年4月梅卡曼德曾宣布完成来自启明创投的A＋轮融资。
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3D AI 工业机器人 英特尔
根据国外科技媒体《Anandtech》的报导指出，日前美系存储器大厂美光科技(Micron)正式宣布，将采用第3代10纳米级制程(1Znm)来生产新一代DRAM。而首批使用1Znm制程来生产的DRAM将会是16GB的DDR4及LPDDR4X存储器。对此，市场预估，美光的该项新产品还会在2019年底前，在美光位于中国台湾台中的厂区内建立量产产线。
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美光 10纳米 DRAM
上海—— 近日，全球领先的半导体制造设备及服务供应商泛林集团宣布推出全新解决方案，帮助客户提高芯片存储密度，以满足人工智能和机器学习等应用的需求。通过推出用于背面薄膜沉积的设备VECTOR® DT和用于去除背面和边缘薄膜的湿法刻蚀设备EOS® GS，泛林集团进一步拓展了其应力管理产品组合。泛林集团推出晶圆应力管理解决方案以支持3D NAND技术的持续发展高深宽比沉积和刻蚀工艺是实现3D NAND技术持续发展的关键因素。随着工艺层数的增加，其累积的物理应力越来越大，如何控制由此引起的晶圆翘曲已成为制造过程中
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泛林集团 晶圆应力管理解决方案 3D NAND技术
Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。日韩贸易战的爆发使得业界盛传存储器价格将反转，集邦咨询分析指出，因DRAM价格已历经连续三个季度快速下滑，下游
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日韩贸易战 东芝 DRAM/NAND
英飞凌提供各类可经济高效评估其 3D 传感器的设计套件。 毕竟，即使在传感器设计初始阶段，开发人员也须测试所选传感器是否满足性能要求。 此外，还应提供适当的磁铁。 各种评估套件使设计入门快速简便。 带有不同磁性支架的 TLE / TLI493D 3D 磁传感器评估套件现已搭载了“线性滑块”，用于检测线性运动。TLE / TLI493D 3D 磁传感器现已推出新一代产品，可实现高精度的三维扫描。 通过感应 3D，线性和旋转运动，该传感器非常适合工业，汽车和消费领域的各类应用。 由于在 x，y 和 z 方向上
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3D 传感器
EOS和Blackbox Solutions共同研发了定制化的智能膝关节矫正器，成功将3D打印技术与嵌入式传感器以及连接器技术相结合。通过这一创新的概念验证，医疗行业在改善患者康复过程和帮助医生实时分析数据方面迈出了新的步伐。作为当前的热门话题，物联网（IoT）、消费电子类产品、基础设施建设和机器零部件的互联互通已被多次谈论。作为金属和高分子材料工业3D打印的全球技术领导者，EOS坚信增材制造（AM）的智能运用将帮助物联网充分发挥其潜力，并且可以更便捷、更经济地集成智能和连接组件。事实上，传感器技术、连接
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医疗 3D
ToF是Time of Flight的缩写，有的翻译称之为飞行时间。这种成像技术通过向目标发射连续的特定波长的红外光线脉冲，通过特定传感器接收待测物体传回的光信号，计算光线往返的飞行时间或相位差得到待测物体的3D深度信息。TOF相机的亮度图像和深度信息可以通过模型连接起来，迅速精准地完成人脸匹配和检测 。
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TOF 光线脉冲 3D
在中美贸易摩擦有所缓和之际，日前紫光集团宣布组建DRAM集团，让市场注意力集中到国内存储器布局上。当前国际存储寡头垄断的格局下，国内存储方队既要面对技术、团队等方面的叠代差距，又要面对当前国际半导体市场势弱，存储大幅降价的风险，迎难而上，逆势扩张。 国际半导体产业降温 6月30日晚间，紫光集团宣布了组建DRAM事业群的计划，并配套部署人事安排，深化和完善紫光集团“从芯到云”产业链的建设。而如果放眼国际，此时紫光集团布局DRAM可谓迎难而上，逆势扩张。 据美国半导体行业协会官网最新统计，5月全球半
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半导体 存储 DRAM
在近日与投资者和金融分析师召开的收益电话会议上，美光对其长期未来及对其产品的强劲需求表示了信心，该公司还概述了扩大产能的计划，并迅速转向更先进的工艺技术。
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美光 DDR5 DRAM
6月30日，紫光集团发布公告称，决定组建紫光集团DRAM事业群，全力加速发展国产内存。
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紫光 DRAM 闪存
SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来，虽然容量越来越大，但是性能、寿命、可靠性却是越来越弱，只能通过其他方式弥补。就像之前很多人抗拒TLC一样，现在依然有很多人不接受QLC，但大势不可逆转。
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美光 3D QLC 闪存
3D QLC颗粒的出现，使得固态硬盘消除了容量劣势，但传输性能、PE值缺点也暴露出来。若将傲腾与3D QLC结合，则可为基于3D QLC颗粒的固态硬盘加点“血”。
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固态硬盘 SSD 3D QLC
DRAM价格第2季大幅走跌，根据供应链透露，6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌，主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。
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三星电子 SK海力士 美光 南亚科 DRAM
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