据TrendForce研究，尽管有旺季效应和DDR5渗透率提升的支撑，第三季DRAM市场仍不敌俄乌战事、高通膨导致消费性电子需求疲弱的负面影响，进而使得整体DRAM库存上升，成为第三季DRAM价格下跌3～8％的主因，且不排除部分产品别如PC与智能型手机领域恐出现超过8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持续走弱情况下，引发PC OEMs下修整年出货目标，同时也造成DRAM库存快速飙升，第三季PC OEMs仍将着重在调整与去化DRAM库存，采购力道尚难回温。同时，由于整体DRAM产业仍处于供过于求，因此即便
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TrendForce DRAM
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
SK海力士宣布公司开始量产 HBM3 -- 拥有当前业界最佳性能的 DRAM。拥有当前业界最佳性能的 HBM3 DRAM 内存芯片，从开发成功到量产仅用七 个月HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）SK海力士旨在进一步巩固公司在高端 DRAM 市场的领导地位* HBM (High Bandwidth Memory，高带宽存储器)：是由垂直堆叠在一起的 DRAM 芯片组合而成的高价值、高性能内存
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SK海力士 英伟达 HBM3 DRAM
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
内存大厂华邦电日前宣布扩大利基型DDR3产出，争取韩系DRAM厂退出后的市占率，推升营收及获利续创新高。华邦电自行开发的20奈米DRAM制程，将于明年导入至高雄厂量产，为长远发展奠定良好的基础与成长动能，同时满足5G基地台、人工智能物联网（AIoT）、电动车及车用电子、元宇宙等产业大趋势强劲需求。华邦电第一季迎来利基型DRAM价格回升，SLC NAND及NOR Flash价格回稳，季度营收265.14亿元为历史次高，归属母公司税后净利年增近1.9倍达45.59亿元并创下历史新高，每股净利1.15元优于预期
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DRAM 华邦电 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作为先进内存技术的厂商，三星宣布开发出三星首款512 GB 内存扩展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商业化迈出了重要一步，CXL将在IT系统中实现更高的内存容量且更低的延迟。三星半导体512GB 内存扩展器 CXL DRAM与以往版本相比，新开发的CXL内存容量为其4倍，从而让服务器扩展至数十TB，而系统延迟仅为其五分之一三星还将推出其开源软件工具包的升级版本，以推动CXL内存在现有和新兴IT系统中的部署自2021年5月推出三星首款配备
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三星 内存扩展器 CXL DRAM
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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根据市调预估，第二季整体DRAM平均价格跌幅约0～5％，跌幅相较上季已明显缩小。由于买卖双方库存略偏高，再加上需求面如笔电、智能型手机等受近期俄乌战事和高通膨影响，进而削弱消费者购买力道，目前仅服务器为主要支撑内存需求来源，故整体第二季DRAM仍有供过于求情形。在标准型PC DRAM方面，受俄乌战争影响，引发PC OEM对第二季的订单采保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单情形，进而下修今年的出货目标，然而整体供给位却仍在增长，故第二季PC DRAM价格跌幅达3～8％，且可能会进一步恶化。在服务器DR
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TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面
(GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
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今日三星宣布，高通技术公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已经验证了三星14纳米(nm) 16Gb低功耗双倍数据速率5X (LPDDR5X) DRAM，并应用于高通技术公司的骁龙(Snapdragon®)移动平台。自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5
(6.4Gbps)快约1.2倍，有
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按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大，半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升，因此，业界开始向更多方向进行探索。
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摩尔定律 3D 堆叠技术
1 几种3D深度感知技术比较3D深度感知主要有3个技术方向：双目立体，结构光，飞行时间（ToF），结构光起步比较早，但是技术的局限性较大，而双目立体的发展速度较快，势头迅猛。从物理原理上，双目立体和结构光二者都用了三角测距，但是双目立体是依靠自然的红外反射在摄像头上产生特征点，来计算对象物深度的数据。结构光需要有一个发射光的发射源，带编码的光到了对象物体再反射回来来计算这个深度。结构光的弱点是在室外时，结构光发射带编码的光经常受到环境的干扰；而双目立体不容易受到室外光的干扰，因此室
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3D 双目 深度
随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在DRAM结构中，电容存储单元的充放电过程直接受晶体管所控制。随着晶体管尺寸缩小接近物理极限，制造变量和微负载效应正逐渐成为限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而对于先进的DRAM，晶体管的有源区 (AA) 尺寸和形状则是影响良率和性能的重要因素。在本研究中，我们将为大家呈现，如何利用SEMulator3D研究先进DR
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DRAM 微结构
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