● Calibre 3DThermal 可为 3D IC 提供完整的芯片和封装内部热分析，帮助应对从芯片设计和 3D 组装的早期探索到项目 Signoff 过程中的设计与验证挑战● 新软件集成了西门子先进的设计工具，能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出 Calibre® 3DThermal 软件，可针对 3D
IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
联电昨（2）日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案，此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术，在不损耗射频（RF）效能下，可将芯片尺寸缩小逾45％，联电表示，此技术将应用于手机、物联网和AR/VR，为加速5G世代铺路，且该制程已获得多项国际专利，准备投入量产。 联电表示，RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长，联电的RFSOI 3D IC解决方案，利用晶圆对晶圆的键合技术，并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题，将装置中
在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
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