据国外媒体报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，预计会在年内开始生产236层NAND闪存。此外，它还计划在本月开设一个新的研发中心，负责更先进NAND闪存产品的开发。韩国媒体在报道中还表示，三星目前量产的NAND闪存，最高是176层，在236层的产品量产之后，三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。从韩国媒体的报道来看，三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示，在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占了35%，为全球最高。将层数增加60层后，他们计划凭借生产技术、价格及
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三星 NAND 闪存
中关村在线消息，金士顿于近日发布了Type-A和Type-C接口的DataTraveler Max系列高性能闪存盘新品。其特点是采用了USB 3.2 Gen 2方案，具有高达1000 MB/s的读取、以及900 MB/s的写入速度。此外该系列闪存盘采用了带横纹的伸缩头设计，能够在收纳时更好地保护USB接头。金士顿表示，DataTraveler Max系列高性能闪存盘设计之初就充分考虑到了便携性和便利性，黑/红外壳可一眼分辨其接口，并带有挂绳孔和LED状态指示灯。容量方面，DataTraveler Max系
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金士顿 闪存 USB 3.2 Gen 2
近日，长江存储科技有限责任公司（简称“长江存储”）宣布推出UFS 3.1通用闪存——UC023。这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片，可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域，以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场，将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。长江存储高级副总裁陈轶表示 ：“随着5G通信、大数据、AIoT的加速
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长江存储 3D NAND
这两年，长江存储无论是NAND闪存还是SSD固态盘，都呈现火力全开的姿态，从技术到产品都不断推陈出新。6月23日，长江存储有发布了面向OEM市场的商用SSD PC300系列，可用于笔记本、轻薄本、二合一本、一体机、台式机、物联网、嵌入式、服务器等各种场景，而且同时支持3.3V、1.8V SideBand电压，可适配更多平台。长江存储PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶栈架构的第三代3D NAND闪存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280两种形态规格
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长江存储 3D NAND
近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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西部数据公司在日前举办的“What’s Next数造辉煌发布会”上发布了旗下闪迪™及闪迪大师品牌的创新产品，包括模块化固态硬盘系统以及全新升级的UHS-I SD™和microSD™存储卡，旨在为世界各地的内容创作者和专业人士提供更好的支持。无论是在工作室内创作影视大片，还是在户外现场拍摄素材片段，全新发布的解决方案将为内容创作者带来高性能、可扩展且极具可靠性的解决方案，助力他们实现无限可能。西部数据消费者解决方案高级副总裁Jim Welsh表示：“闪迪大师品牌致力于为追寻理想不断前行的人提供高品质的存储解
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HDD 闪存
西部数据公司在日前举行的“What’s Next数造辉煌发布会”上宣布：旗下专为游戏玩家打造的WD_BLACK品牌再度扩充产品组合，推出WD_BLACK™ SN850X NVMe™ SSD和WD_BLACK P40 游戏移动固态硬盘两款新品，旨在进一步提升玩家游戏体验，为玩家升级PC和主机的存储系统提供更多选项。AMD（超威半导体）企业科研理事兼计算与图形首席技术官Joe Macri表示：“AMD很高兴能与西部数据持续开展深度合作，为玩家提供卓越的游戏体验。随着游戏变得更加让人身临其境，玩家们也越来越青睐
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HDD 闪存
西部数据公司在日前举办的“What’s Next数造辉煌发布会”上推出了全新的西部数据™PC SN740 NVMe™ SSD，旨在满足当今混合办公趋势的独特需求，为用户带来更佳的计算体验。西部数据公司闪存业务部门消费级及企业级SSD副总裁Eric Spanneut表示：“过去几年，混合和远程办公模式已成为企业的‘新常态’，这也推动了PC出货量的显著增长。工作习惯和办公场所的改变，为我们带来了巨大的市场机遇。我们致力于为企业级和商用PC 的OEM厂商提供轻薄的存储解决方案，在保证低能效的前提下，提供强大的性
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HDD 闪存
西部数据公司在日前举行的“What’s Next数造辉煌发布会”上宣布：公司新款Ultrastar™ NVMe™ PCIe™ 4.0 SSD正在向部分超大规模客户交付样品。基于西部数据强大的垂直整合优势，新款SSD旨在提供大规模的高性能产品支持，同时降低公有云部署的TCO。如今，云基础设施逐渐往分布式架构发展，为不断增长的 “即服务“ 产品提供了弹性、可扩展性和可预测性。将存储与计算分离，使大容量数据中心NVMe SSD 成为热门的细分品类——可提高存储利用率，增加数据中心机柜密度，以适应虚拟化和多租户环
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